FinFET和形成該FinFET的方法技術

本發明專利技術公開了一種FinFET器件和形成該FinFET器件的方法。所述FinFET器件包括：半導體基板；三維鰭片，其垂直于半導體基板定向；局部溝槽隔離，其在三維鰭片與相鄰的三維鰭片之間；氮化物層，其在局部溝槽隔離上；柵極疊層，其圍繞三維鰭片的中心部分卷繞，并且延伸通過氮化物層；側壁間隔物，其與柵極疊層相鄰，并且與氮化物層間接接觸，三維鰭片的兩端從側壁間隔物延伸，第一端用于FET器件的源極，第二端用于FET器件的漏極；以及外延層，其覆蓋三維鰭片的每端，并且在氮化物層上。還公開了制造FinFET器件的方法。

【技術實現步驟摘要】

【技術保護點】
一種FinFET器件，包括：半導體基板；三維鰭片，所述三維鰭片垂直于所述半導體基板定向；局部溝槽隔離，所述局部溝槽隔離在所述三維鰭片與相鄰的三維鰭片之間；氮化物層，所述氮化物層在所述局部溝槽隔離上；柵極疊層，所述柵極疊層圍繞所述三維鰭片的中心部分卷繞，并且延伸通過所述氮化物層；側壁間隔物，所述側壁間隔物與所述柵極疊層相鄰，并且與所述氮化物層間接接觸，所述三維鰭片的兩端從所述側壁間隔物延伸，第一端用于所述FET器件的源極，第二端用于所述FET器件的漏極；和外延層，所述外延層覆蓋三維鰭片的每端，并且在所述氮化物層上。

【技術特征摘要】
...

【專利技術屬性】
技術研發人員：R·拉瑪錢德蘭，H·K·尤托莫，R·維加，
申請(專利權)人：國際商業機器公司，
類型：發明
國別省市：美國;US