源極和漏極上具有不同硅化物的納米線(xiàn)MOSFET制造技術(shù)

本發(fā)明專(zhuān)利技術(shù)提供了一種納米線(xiàn)場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）器件以及用于形成納米線(xiàn)FET器件的方法。形成包括源極區(qū)和漏極區(qū)的納米線(xiàn)FET。納米線(xiàn)FET還包括連接源極區(qū)和漏極區(qū)的納米線(xiàn)。在源極區(qū)上形成源極硅化物，并且在漏極區(qū)上形成漏極硅化物。源極硅化物由第一材料組成，該第一材料不同于漏極硅化物包括的第二材料。本發(fā)明專(zhuān)利技術(shù)提供了源極和漏極上具有不同硅化物的納米線(xiàn)MOSFET。

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種用于形成納米線(xiàn)場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）器件的方法，所述方法包括：形成包括源極區(qū)和漏極區(qū)的納米線(xiàn)FET，其中，所述納米線(xiàn)FET還包括連接所述源極區(qū)和所述漏極區(qū)的納米線(xiàn)；在所述源極區(qū)上形成源極硅化物；以及在所述漏極區(qū)上形成漏極硅化物，其中，所述源極硅化物包括的第一材料不同于所述漏極硅化物包括的第二材料。

【技術(shù)特征摘要】
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【專(zhuān)利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：讓·皮埃爾·科林格，林正堂，江國(guó)誠(chéng)，卡洛斯·H·迪亞茲，
申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人：臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司，
類(lèi)型：發(fā)明
國(guó)別省市：中國(guó)臺(tái)灣;71