環(huán)形磁場(chǎng)和蝸旋電流約束激發(fā)的等離子光球制造方法技術(shù)

本發(fā)明專利技術(shù)公開了一種自持的環(huán)形磁場(chǎng)和蝸旋電流約束激發(fā)的等離子光球制造方法，由等離子體、環(huán)形磁場(chǎng)、和蝸旋電流構(gòu)成。形成一個(gè)自持的，環(huán)形磁場(chǎng)和蝸旋電流相互禁錮的平衡狀態(tài)，并能持續(xù)一段時(shí)間。可儲(chǔ)存并維持巨大能量，誘發(fā)破裂時(shí)對(duì)人身和裝備產(chǎn)生極大破壞力。因此在國(guó)防領(lǐng)域可作為新概念武器系統(tǒng)，極大的提高國(guó)家防御能力；在核聚變領(lǐng)域，因其磁力線是環(huán)形閉合狀態(tài),有利于高溫、高密度等離子體的約束和小型化、工業(yè)化轉(zhuǎn)化；還可以在科學(xué)研究、工業(yè)、電子、娛樂等領(lǐng)域廣泛應(yīng)用。

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
環(huán)形磁場(chǎng)和蝸旋電流約束激發(fā)的等離子光球制造方法，其特征在于：在等離子體中設(shè)置環(huán)形磁場(chǎng)，當(dāng)環(huán)形磁場(chǎng)強(qiáng)度減弱時(shí)，產(chǎn)生圍繞環(huán)形磁場(chǎng)的蝸旋電場(chǎng)，此蝸旋電場(chǎng)在等離子體中驅(qū)動(dòng)產(chǎn)生圍繞環(huán)形磁場(chǎng)的蝸旋電流，此蝸旋電流產(chǎn)生的磁場(chǎng)方向與原環(huán)形磁場(chǎng)方向相同，此蝸旋電流產(chǎn)生的磁場(chǎng)補(bǔ)充環(huán)形磁場(chǎng)減弱的磁場(chǎng)強(qiáng)度，形成一個(gè)自持的，環(huán)形磁場(chǎng)和蝸旋電流相互禁錮的平衡狀態(tài)，此時(shí)蝸旋電流離子化周圍大氣和其中的微粒形成等離子體，并通過環(huán)形磁場(chǎng)約束部分等離子體形成大氣等離子光球，通過磁場(chǎng)接觸，可破壞環(huán)形磁場(chǎng)，進(jìn)而誘發(fā)這種自持的環(huán)形磁場(chǎng)和蝸旋電流約束激發(fā)的等離子光球的能量的卸放，對(duì)外顯示強(qiáng)放電。

【技術(shù)特征摘要】

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：李軍，胡純棟，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：中國(guó)科學(xué)院等離子體物理研究所，
類型：發(fā)明
國(guó)別省市：安徽;34