7700nm長波通紅外濾光敏感元件制造技術

本實用新型專利技術公開了一種7700nm長波通紅外濾光敏感元件，包括以Ge為原材料的基板，以Ge、ZnS為第一鍍膜層和以Ge、ZnS為第二鍍膜層，且所述基板設于第一鍍膜層與第二鍍膜層之間。本實用新型專利技術所得到的一種7700nm長波通紅外濾光敏感元件，其在溫度測量過程中，可大大的提高信噪比，提高測試精準度，適合于大范圍的推廣和使用。該濾光敏感元件50％Cut?on=7700nm，7800～11000nm，Tavg≥90%，8000～11000nm，T≥88%，1500～7400nm，T≤3%。（*該技術在2024年保護過期，可自由使用*）

【技術實現步驟摘要】

本技術涉及紅外濾光敏感元件領域，尤其是一種7700nm長波通紅外濾光敏感元件。
技術介紹
紅外熱成像儀（熱成像儀或紅外熱成像儀）是通過非接觸探測紅外能量（熱量），并將其轉換為電信號，進而在顯示器上生成熱圖像和溫度值，并可以對溫度值進行計算的一種檢測設備。紅外熱成像儀（熱成像儀或紅外熱成像儀）能夠將探測到的熱量精確量化或測量，使您不僅能夠觀察熱圖像，還能夠對發熱的故障區域進行準確識別和嚴格分析。紅外熱成像儀的探測器是實現紅外能量（熱能）轉換電信號的關鍵，由于各種生物所發出來的紅外能量（熱能）是不同的，所以在日常使用中為了觀察某種特定生物的熱圖像，人們往往會在探測器中添加紅外濾光敏感元件，通過紅外濾光敏感元件可以使探測器只接受特定波段的紅外能量（熱能），保證紅外熱成像儀的成像結果。但是，目前的紅外濾光敏感元件，其信噪比低，精度差，不能滿足市場發展的需要。
技術實現思路
本技術的目的是為了解決上述技術的不足而提供一種測試精度高、能極大提高信噪比的7700nm長波通紅外濾光敏感元件。為了達到上述目的，本技術所設計的一種7700nm長波通紅外濾光敏感元件，包括以Ge為原材料的基板，以Ge、ZnS為第一鍍膜層和以Ge、ZnS為第二鍍膜層，且所述基板設于第一鍍膜層與第二鍍膜層之間，其特征是所述第一鍍膜層由內向外依次排列包含有167nm厚度的Ge層、239nm厚度的ZnS層、225nm厚度的Ge層、415nm厚度的ZnS層、138nm厚度的Ge層、342nm厚度的ZnS層、138nm厚度的Ge層、256nm厚度的ZnS層、173nm厚度的Ge層、266nm厚度的ZnS層、159nm厚度的Ge層、505nm厚度的ZnS層、142nm厚度的Ge層、249nm厚度的ZnS層、126nm厚度的Ge層、276nm厚度的ZnS層、395nm厚度的Ge層、180nm厚度的ZnS層、168nm厚度的Ge層、492nm厚度的ZnS層、133nm厚度的Ge層、629nm厚度的ZnS層、185nm厚度的Ge層、266nm厚度的ZnS層、313nm厚度的Ge層、503nm厚度的ZnS層、141nm厚度的Ge層、589nm厚度的ZnS層、193nm厚度的Ge層、367nm厚度的ZnS層、348nm厚度的Ge層、897nm厚度的ZnS層、70nm厚度的Ge層、294nm厚度的ZnS層、49nm厚度的Ge層、406nm厚度的ZnS層、621nm厚度的Ge層、959nm厚度的ZnS層；所述的第二鍍膜層由內向外依次排列包含有180nm厚度的Ge層、375nm厚度的ZnS層、312nm厚度的Ge層、620nm厚度的ZnS層、385nm厚度的Ge層、535nm厚度的ZnS層、266nm厚度的Ge層、577nm厚度的ZnS層、95nm厚度的Ge層、555nm厚度的ZnS層、295nm厚度的Ge層、581nm厚度的ZnS層、370nm厚度的Ge層、660nm厚度的ZnS層、350nm厚度的Ge層、810nm厚度的ZnS層、277nm厚度的Ge層、670nm厚度的ZnS層、416nm厚度的Ge層、744nm厚度的ZnS層、279nm厚度的Ge層、582nm厚度的ZnS層、530nm厚度的Ge層、660nm厚度的ZnS層、243nm厚度的Ge層、581nm厚度的ZnS層、563nm厚度的Ge層、1081nm厚度的ZnS層。上述各材料對應的厚度，其允許在公差范圍內變化，其變化的范圍屬于本專利保護的范圍，為等同關系。通常厚度的公差在10nm左右。本技術所得到的一種7700nm長波通紅外濾光敏感元件，其在溫度測量過程中，可大大的提高信噪比，提高測試精準度，適合于大范圍的推廣和使用。該濾光敏感元件50％Cut?on=7700nm，7800～11000nm，Tavg≥90%，8000～11000nm，T≥88%，1500～7400nm，T≤3%。附圖說明圖1是實施例整體結構示意圖。圖2是實施例提供的紅外光譜透過率實測曲線圖。圖中：第一鍍膜層1、基板2、第二鍍膜層3。具體實施方式下面通過實施例結合附圖對本技術作進一步的描述。實施例1。如圖1、圖2所示，本實施例描述的一種7700nm長波通紅外濾光敏感元件，包括以Ge為原材料的基板2，以Ge、ZnS為第一鍍膜層1和以Ge、ZnS為第二鍍膜層3，且所述基板2設于第一鍍膜層1與第二鍍膜層3之間，所述第一鍍膜層1由內向外依次排列包含有167nm厚度的Ge層、239nm厚度的ZnS層、225nm厚度的Ge層、415nm厚度的ZnS層、138nm厚度的Ge層、342nm厚度的ZnS層、138nm厚度的Ge層、256nm厚度的ZnS層、173nm厚度的Ge層、266nm厚度的ZnS層、159nm厚度的Ge層、505nm厚度的ZnS層、142nm厚度的Ge層、249nm厚度的ZnS層、126nm厚度的Ge層、276nm厚度的ZnS層、395nm厚度的Ge層、180nm厚度的ZnS層、168nm厚度的Ge層、492nm厚度的ZnS層、133nm厚度的Ge層、629nm厚度的ZnS層、185nm厚度的Ge層、266nm厚度的ZnS層、313nm厚度的Ge層、503nm厚度的ZnS層、141nm厚度的Ge層、589nm厚度的ZnS層、193nm厚度的Ge層、367nm厚度的ZnS層、348nm厚度的Ge層、897nm厚度的ZnS層、70nm厚度的Ge層、294nm厚度的ZnS層、49nm厚度的Ge層、406nm厚度的ZnS層、621nm厚度的Ge層、959nm厚度的ZnS層；所述的第二鍍膜層3由內向外依次排列包含有180nm厚度的Ge層、375nm厚度的ZnS層、312nm厚度的Ge層、620nm厚度的ZnS層、385nm厚度的Ge層、535nm厚度的ZnS層、266nm厚度的Ge層、577nm厚度的ZnS層、95nm厚度的Ge層、555nm厚度的ZnS層、295nm厚度的Ge層、581nm厚度的ZnS層、370nm厚度的Ge層、660nm厚度的ZnS層、350nm厚度的Ge層、810nm厚度的ZnS層、277nm厚度的Ge層、670nm厚度的ZnS層、416nm厚度的Ge層、744nm厚度的ZnS層、279nm厚度的Ge層、582nm厚度的ZnS層、530nm厚度的Ge層、660nm厚度的ZnS層、243nm厚度的Ge層、581nm厚度的ZnS層、563nm厚度的Ge層、1081nm厚度的ZnS層。本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種7700nm長波通紅外濾光敏感元件，包括以Ge為原材料的基板（2），以Ge、ZnS為第一鍍膜層（1）和以Ge、ZnS為第二鍍膜層（3），且所述基板（2）設于第一鍍膜層（1）與第二鍍膜層（3）之間，其特征是所述第一鍍膜層（1）由內向外依次排列包含有167nm厚度的Ge層、239nm厚度的ZnS層、225nm厚度的Ge層、415nm厚度的ZnS層、138nm厚度的Ge層、342nm厚度的ZnS層、138nm厚度的Ge層、256nm厚度的ZnS層、173nm厚度的Ge層、266nm厚度的ZnS層、159nm厚度的Ge層、505nm厚度的ZnS層、142nm厚度的Ge層、249nm厚度的ZnS層、126nm厚度的Ge層、276nm厚度的ZnS層、395nm厚度的Ge層、180nm厚度的ZnS層、168nm厚度的Ge層、492nm厚度的ZnS層、133nm厚度的Ge層、629nm厚度的ZnS層、185nm厚度的Ge層、266nm厚度的ZnS層、313nm厚度的Ge層、503nm厚度的ZnS層、141nm厚度的Ge層、589nm厚度的ZnS層、193nm厚度的Ge層、367nm厚度的ZnS層、348nm厚度的Ge層、897nm厚度的ZnS層、70nm厚度的Ge層、294nm厚度的ZnS層、49nm厚度的Ge層、406nm厚度的ZnS層、621nm厚度的Ge層、959nm厚度的ZnS層；所述的第二鍍膜層（3）由內向外依次排列包含有180nm厚度的Ge層、375nm厚度的ZnS層、312nm厚度的Ge層、620nm厚度的ZnS層、385nm厚度的Ge層、535nm厚度的ZnS層、266nm厚度的Ge層、577nm厚度的ZnS層、95nm厚度的Ge層、555nm厚度的ZnS層、295nm厚度的Ge層、581nm厚度的ZnS層、370nm厚度的Ge層、660nm厚度的ZnS層、350nm厚度的Ge層、810nm厚度的ZnS層、277nm厚度的Ge層、670nm厚度的ZnS層、416nm厚度的Ge層、744nm厚度的ZnS層、279nm厚度的Ge層、582nm厚度的ZnS層、530nm厚度的Ge層、660nm厚度的ZnS層、243nm厚度的Ge層、581nm厚度的ZnS層、563nm厚度的Ge層、1081nm厚度的ZnS層。...

【技術特征摘要】
1.一種7700nm長波通紅外濾光敏感元件，包括以Ge為原材料的基板（2），以Ge、ZnS為第一鍍膜層（1）和以Ge、ZnS為第二鍍膜層（3），且所述基板（2）設于第一鍍膜層（1）與第二鍍膜層（3）之間，其特征是所述第一鍍膜層（1）由內向外依次排列包含有167nm厚度的Ge層、239nm厚度的ZnS層、225nm厚度的Ge層、415nm厚度的ZnS層、138nm厚度的Ge層、342nm厚度的ZnS層、138nm厚度的Ge層、256nm厚度的ZnS層、173nm厚度的Ge層、266nm厚度的ZnS層、159nm厚度的Ge層、505nm厚度的ZnS層、142nm厚度的Ge層、249nm厚度的ZnS層、126nm厚度的Ge層、276nm厚度的ZnS層、395nm厚度的Ge層、180nm厚度的ZnS層、168nm厚度的Ge層、492nm厚度的ZnS層、133nm厚度的Ge層、629nm厚度的ZnS層、185nm厚度的Ge層、266nm厚度的ZnS層、313nm厚度的Ge層、503nm厚度的ZnS層、141nm厚度的Ge層、589nm厚度的ZnS層、193nm厚度的Ge層...

【專利技術屬性】
技術研發人員：王繼平，呂晶，劉晶，
申請(專利權)人：杭州麥樂克電子科技有限公司，
類型：新型
國別省市：浙江;33