一種晶體探測器制造技術

本實用新型專利技術公開了一種晶體探測器，包括晶體塊、反射層以及SiPM傳感器，所述的晶體塊為矩形結構，所述的SiPM傳感器安裝連接在晶體塊的任一外表面，所述的反射層分別設置在除晶體塊與SiPM傳感器連接面外的其他五個外表面。通過上述方式，本實用新型專利技術提供的晶體探測器，反射層分別設置在除晶體塊與SiPM傳感器連接面外的其他五個外表面上，得到較佳的反射率及光收集率，同時SiPM傳感器安裝連接在晶體塊的任一外表面，可提高晶體探測器的能量分辨率和探測效率。（*該技術在2024年保護過期，可自由使用*）

【技術實現步驟摘要】

本技術涉及晶體的
，具體涉及一種晶體探測器。
技術介紹
正電子發射斷層掃描儀(PET)是一種非侵入的成像技術，可反映分子代謝的顯像，當疾病早期處于分子水平變化階段時，疾病區的型態結構尚未呈現異常，正電子發射斷層掃描儀即可發現病灶所在，并可獲得三維影像進行定量分析，達到早期診斷早期治療的效果。而造影成像探測器的設計則是PET系統開發中一個極重要的環節，造影成像探測器其模塊主要包含兩個部分，即光電轉換器件和閃爍晶體陣列。但是，現有技術中的閃爍晶體陣列的反射率及光收集率性能不佳，容易導致成像位置難以分辨。
技術實現思路
本技術主要解決的技術問題是提供一種晶體探測器，反射層分別設置在除晶體塊與SiPM傳感器連接面外的其他五個外表面上，得到較佳的反射率及光收集率，同時SiPM傳感器安裝連接在晶體塊的任一外表面，可提高晶體探測器的能量分辨率和探測效率。為解決上述技術問題，本技術采用的一個技術方案是:提供了一種晶體探測器，包括晶體塊、反射層以及SiPM傳感器，所述的晶體塊為矩形結構，所述的SiPM傳感器安裝連接在晶體塊的任一外表面，所述的反射層分別設置在除晶體塊與SiPM傳感器連接面外的其他五個外表面。在本技術一個較佳實施例中，所述的晶體塊由單個或多個閃爍晶體晶條組成。在本技術一個較佳實施例中，所述的閃爍晶體晶條的外表面均鍍上或包覆全反射膜。在本技術一個較佳實施例中，所述的晶體塊與SiPM傳感器之間通過高透光粘結劑相連接。在本技術一個較佳實施例中，所述的高透光粘結劑采用光學膠。本技術的有益效果是:本技術的晶體探測器，反射層分別設置在除晶體塊與SiPM傳感器連接面外的其他五個外表面上，得到較佳的反射率及光收集率，同時SiPM傳感器安裝連接在晶體塊的任一外表面，可提高晶體探測器的能量分辨率和探測效率。【附圖說明】為了更清楚地說明本技術實施例中的技術方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本技術的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其它的附圖，其中:圖1是本技術晶體探測器的一較佳實施例的結構示意圖；附圖標記如下:1、晶體塊，2、反射層，3、SiPM傳感器。【具體實施方式】下面將對本技術實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅是本技術的一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本技術中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其它實施例，都屬于本技術保護的范圍。如圖1所示，本技術實施例包括:一種晶體探測器，包括晶體塊1、反射層2以及SiPM傳感器3，所述的晶體塊I為矩形結構，所述的SiPM傳感器3安裝連接在晶體塊I的任一外表面，所述的反射層2分別設置在除晶體塊I與SiPM傳感器3連接面外的其他五個外表面。上述中，所述的晶體塊I可由單個或多個閃爍晶體晶條組成。其中，所述的閃爍晶體晶條的外表面均鍍上或包覆全反射膜(圖未示)。進一步的，所述的晶體塊I與SiPM傳感器3之間通過高透光粘結劑相連接。其中，所述的高透光粘結劑采用光學膠等。本實施例中，使用高透光粘結劑為晶體塊I和SiPM傳感器3之間的涂層，可得到較佳的反射率及光收集率，其晶體塊I可獲得較高的光輸出及較低的光串擾，并得到較佳的位置分辨。綜上所述，本技術的晶體探測器，反射層2分別設置在除晶體塊I與SiPM傳感器3連接面外的其他五個外表面上，得到較佳的反射率及光收集率，同時SiPM傳感器3安裝連接在晶體塊I的任一外表面，可提高晶體探測器的能量分辨率和探測效率。以上所述僅為本技術的實施例，并非因此限制本技術的專利范圍，凡是利用本技術說明書內容所作的等效結構或等效流程變換，或直接或間接運用在其它相關的
，均同理包括在本技術的專利保護范圍內。【主權項】1.一種晶體探測器，其特征在于，包括晶體塊、反射層以及SiPM傳感器，所述的晶體塊為矩形結構，所述的SiPM傳感器安裝連接在晶體塊的任一外表面，所述的反射層分別設置在除晶體塊與SiPM傳感器連接面外的其他五個外表面。2.根據權利要求1所述的晶體探測器，其特征在于，所述的晶體塊由單個或多個閃爍晶體晶條組成。3.根據權利要求2所述的晶體探測器，其特征在于，所述的閃爍晶體晶條的外表面均鍍上或包覆全反射膜。4.根據權利要求1所述的晶體探測器，其特征在于，所述的晶體塊與SiPM傳感器之間通過高透光粘結劑相連接。5.根據權利要求4所述的晶體探測器，其特征在于，所述的高透光粘結劑采用光學膠。【專利摘要】本技術公開了一種晶體探測器，包括晶體塊、反射層以及SiPM傳感器，所述的晶體塊為矩形結構，所述的SiPM傳感器安裝連接在晶體塊的任一外表面，所述的反射層分別設置在除晶體塊與SiPM傳感器連接面外的其他五個外表面。通過上述方式，本技術提供的晶體探測器，反射層分別設置在除晶體塊與SiPM傳感器連接面外的其他五個外表面上，得到較佳的反射率及光收集率，同時SiPM傳感器安裝連接在晶體塊的任一外表面，可提高晶體探測器的能量分辨率和探測效率。【IPC分類】G01T1-202【公開號】CN204389696【申請號】CN201420854950【專利技術人】陳遠帆, 陳冠廷, 彭志豪 【申請人】蘇州晶特晶體科技有限公司【公開日】2015年6月10日【申請日】2014年12月30日本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種晶體探測器，其特征在于，包括晶體塊、反射層以及SiPM傳感器，所述的晶體塊為矩形結構，所述的SiPM傳感器安裝連接在晶體塊的任一外表面，所述的反射層分別設置在除晶體塊與SiPM傳感器連接面外的其他五個外表面。

【技術特征摘要】

【專利技術屬性】
技術研發人員：陳遠帆，陳冠廷，彭志豪，
申請(專利權)人：蘇州晶特晶體科技有限公司，
類型：新型
國別省市：江蘇;32