【技術實現步驟摘要】
【專利說明】
:本技術涉及一種導引傳感器磁通量增強裝置。
技術介紹
:目前現有的導引傳感器多為磁傳感器，由于制作工藝、體積和磁感應元件的靈敏度限制，磁傳感器本身在相同的條件下的檢測距離為8mm，如果想加大檢測距離則器件工作非常不穩定，而且隨著工作時間的增加，霍爾的溫度增加，導致霍爾出現溫漂，也是器件出現不穩定的情況。
技術實現思路
:本技術的目的是提供一種導引傳感器磁通量增強裝置。上述的目的通過以下的技術方案實現:一種導引傳感器磁通量增強裝置，其組成包括:主控芯片，所述的主控芯片分別與一組霍爾芯片、電源模塊、驅動芯片、程序接口連接，所述的驅動芯片與工作接口連接，所述的霍爾芯片上具有磁場加強塊。所述的導引傳感器磁通量增強裝置，所述的電源模塊型號為L7805AC-V、所述的主控芯片型號為ATmega8L-8P1、所述的驅動芯片型號為ULN2003、所述的霍爾芯片采用496b，所述的磁場加強塊為導磁性能好的超微晶材料壓鑄塊，所述的磁場加強塊尺寸為2mmx3mmxl2mm0本技術的有益效果:1.本技術不改變原傳感器的工作模式，而讓探測磁條的檢測距離大幅度增加，并且工作更加穩定，通過在磁感應元件(霍爾器件)上方增加加強塊，增強磁感應元件(霍爾器件)的檢測距離，此結構簡單可靠，能夠大幅度增加檢測距離。本技術采用超微晶強力導磁材料做成的一體磁場加強塊安裝在霍爾芯片上方，以增加霍爾的靈敏度和測量距離，并且磁場加強塊可以將原件工作產生的溫度導出，使原件減少溫度增加的影響，超微晶材料，利用粉末壓鑄工藝將超微晶粉末按照要求的尺寸(2mmx3mmxl2mm)壓鑄成型，可有效增...
【技術保護點】
一種導引傳感器磁通量增強裝置，其組成包括：主控芯片，其特征是：所述的主控芯片分別與一組霍爾芯片、電源模塊、驅動芯片、程序接口連接，所述的驅動芯片與工作接口連接，所述的霍爾芯片上具有磁場加強塊。
【技術特征摘要】
【專利技術屬性】
技術研發人員：李繼征，曹倩，
申請(專利權)人：哈爾濱萬和機電科技有限公司，
類型：新型
國別省市：黑龍江;23
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