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    LED驅動電路制造技術

    技術編號:11671783 閱讀:104 留言:0更新日期:2015-07-01 22:34
    本實用新型專利技術提供一種LED驅動電路,其包括:驅動晶體管,該驅動晶體管的源極連接第一電源端,漏極作為驅動端與LED的一端相連;鏡像晶體管,該鏡像晶體管的源極連接驅動晶體管的源極,該鏡像晶體管的柵極連接驅動晶體管的柵極;第一電流源,向所述鏡像晶體管的漏極注入或抽取第一電流;第二電流源,向所述驅動晶體管的漏極注入或抽取第二電流。這樣,這樣可以消除現有技術中與LED串聯的電阻R1,有利于印刷電路板小型化和低成本。

    【技術實現步驟摘要】
    【專利說明】
    本技術涉及電路設計領域,特別涉及一種LED (Light-Emitting D1de)驅動電路。【
    技術介紹
    】越來越多的系統都配置有LED指示燈,LED指示燈被用來指示各種狀態。圖1示意了一種現有技術的LED驅動電路。這種LED驅動芯片內只是簡單的設計了一個NMOS (N-channel Mental Oxide Semiconductor)晶體管MN5。通常,晶體管MN5 的導通電阻需要設計的很小,這樣LED的電流主要由外部電阻Rl設定,其LED電流近似等于(VDD-VF)/Rl,其中VDD為外部電源VDD的電壓值,VF為LED的正向偏置電壓,Rl為電阻Rl的電阻值。其缺點有三點:其一、LED的電流值隨著VDD電壓變化而變化,但一般用戶更希望LED亮度維持恒定,而LED的亮度直接依賴于其電流值;其二、外部應用時需要添加電阻R1,對于如藍牙耳機這樣希望系統體積越小、越輕薄的系統,如果無需該電阻,則有利于系統更加小型化且更輕薄,這樣的藍牙耳機掛在耳朵上更加舒適;其三、為了設計較小的導通電阻,通常晶體管MN5所占芯片面積較大,芯片成本較高。因此,有必要提出一種改進的LED驅動電路來克服上述問題。【
    技術實現思路
    】本技術的目的之一在于提供一種LED驅動電路,其有利于印刷電路板小型化和低成本。為了解決上述問題,本技術提供一種LED驅動電路,其包括:驅動晶體管,該驅動晶體管的源極連接第一電源端,漏極作為驅動端與LED的一端相連;鏡像晶體管,該鏡像晶體管的源極連接驅動晶體管的源極,該鏡像晶體管的柵極連接驅動晶體管的柵極;第一電流源,向所述鏡像晶體管的漏極注入或從所述鏡像晶體管的漏極抽取第一電流;第二電流源,向所述驅動晶體管的漏極注入或從所述驅動晶體管的漏極抽取第二電流。進一步的,所述LED驅動電路還包括有:第一鉗位晶體管,該第一鉗位晶體管的源極與鏡像晶體管的漏極相連,第一電流源向第一鉗位晶體管的漏極注入或從第一鉗位晶體管的漏極抽取第一電流;第二鉗位晶體管,該第二鉗位晶體管的源極與驅動晶體管的漏極相連,第二電流源向第二鉗位晶體管的漏極注入或從第二鉗位晶體管的漏極抽取第二電流,該第二鉗位晶體管的柵極與該第一鉗位晶體管的柵極相連。進一步的,第二鉗位晶體管的柵極與其漏極相連,鏡像晶體管的柵極與第一鉗位晶體管的漏極相連。進一步的,驅動晶體管、鏡像晶體管、第一鉗位晶體管和第二鉗位晶體管的襯體均與第一電源端相連,驅動晶體管、鏡像晶體管、第一鉗位晶體管和第二鉗位晶體管的類型相同。進一步的,第一鉗位晶體管和第二鉗位晶體管的都工作在飽和區。進一步的,驅動晶體管和鏡像晶體管的寬長比之比為K: 1,鏡像晶體管上的電流為第一電流11,驅動晶體管上的電流為K*I I,流過LED的電流為K*I 1-12,其中12表示第二電流。進一步的,驅動晶體管、鏡像晶體管、第一鉗位晶體管、第二鉗位晶體管為NMOS晶體管,第一電源端為接地端。所述LED的陽極與第二電源端相連,陰極與所述驅動端相連,第二電源端為電源電壓端。進一步的,驅動晶體管、鏡像晶體管、第一鉗位晶體管、第二鉗位晶體管為PMOS晶體管,第一電源端為電源電壓端。所述LED的陰極與第二電源端相連,陽極與所述驅動端相連,第二電源端為接地端。與現有技術相比,可以消除現有技術中與LED串聯的電阻R1,有利于印刷電路板小型化和低成本?!尽靖綀D說明】】為了更清楚地說明本技術實施例的技術方案,下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本技術的一些實施例,對于本領域普通技術人員來講,在不付出創造性勞動性的前提下,還可以根據這些附圖獲得其它的附圖。其中:圖1是現有LED驅動電路的電路不意圖;圖2是本技術中的LED驅動電路在一個實施例中的電路示意圖;圖3是本技術中的LED驅動電路在另一個實施例中的電路示意圖。【【具體實施方式】】為使本技術的上述目的、特征和優點能夠更加明顯易懂,下面結合附圖和【具體實施方式】對本技術作進一步詳細的說明。此處所稱的“一個實施例”或“實施例”是指可包含于本技術至少一個實現方式中的特定特征、結構或特性。在本說明書中不同地方出現的“在一個實施例中”并非均指同一個實施例,也不是單獨的或選擇性的與其他實施例互相排斥的實施例。除非特別說明,本文中的連接、相連、相接的表示電性連接的詞均表示直接或間接電性相連。圖2是本技術中的LED驅動電路在一個實施例中的電路示意圖。如圖2所示的,所述LED驅動電路100包括驅動晶體管匪1、鏡像晶體管麗2、第一電流源I1、第二電流源12、第一鉗位晶體管麗3和第二鉗位晶體管MN4。驅動晶體管麗I的源極連接接地端,漏極作為驅動端PAD與LED的陰極相連。鏡像晶體管MN2的源極連接驅動晶體管MNl的源極,該鏡像晶體管MN2的柵極連接驅動晶體管麗I的柵極。第一鉗位晶體管麗3的源極與鏡像晶體管麗2的漏極相連,第一電流源Il向第一鉗位晶體管麗3的漏極注入第一電流,第一電流流經第一鉗位晶體管麗3和鏡像晶體管麗2。第二鉗位晶體管MN4的源極與驅動晶體管麗I的漏極相連,第二電流源12向第二鉗位晶體管MN4的漏極注入第二電流。該第二鉗位晶體管MN4的柵極與該第一鉗位晶體管麗3的柵極相連,第二鉗位晶體管NM4的柵極與其漏極相連,鏡像晶體管麗2的柵極與第一鉗位晶體管麗3的漏極相連。驅動晶體管、鏡像晶體管、第一鉗位晶體管、第二鉗位晶體管為NMOS (N-channeIMetal Oxide Semiconductor)晶體管。所述LED的陽極與電源電壓端VDD相連。驅動晶體管、鏡像晶體管、第一鉗位晶體管和第二鉗位晶體管的襯體均與接地端相連。鏡像晶體管匪2和驅動晶體管匪1構成電流鏡,設計晶體管匪1與匪2的寬長比較大來驅動LED。實際驅動LED的電流等于晶體管Wl的電流Inmi與晶體管NM4的電流I ?4之差,即ΙΝΜ1-ΙΝ?。因為晶體管NM2的電流等于電流源Il的電流,設計晶體管NMl與NM2的寬長比之比為K:1,則晶體管匪I的電流為K.11,其中11為電流源11的電流值。晶體管NM4的電流等于電流源12的電流值12。由此可知流過LED的電流值等于K.11-12。在一種優選實施方案中,Il等于12。為了節省功耗,Il和12—般取值較小,例如I微安。當然也可以設計Il不等于12,此時需要將晶體管NM4與匪3的寬長比設計的等于12與Il的比例。由于晶體管匪3和NM4類型一樣,其閾值電壓一樣,另外它們柵極相連,所以柵極電壓相等,這樣晶體管匪3和NM4的連接方式將調整使得兩者的源極電壓也相等。當前第1頁1 2 本文檔來自技高網...

    【技術保護點】
    一種LED驅動電路,其特征在于,其包括:驅動晶體管,該驅動晶體管的源極連接第一電源端,漏極作為驅動端與LED的一端相連;鏡像晶體管,該鏡像晶體管的源極連接驅動晶體管的源極,該鏡像晶體管的柵極連接驅動晶體管的柵極;第一電流源,向所述鏡像晶體管的漏極注入或從所述鏡像晶體管的漏極抽取第一電流;第二電流源,向所述驅動晶體管的漏極注入或從所述驅動晶體管的漏極抽取第二電流。

    【技術特征摘要】

    【專利技術屬性】
    技術研發人員:王釗
    申請(專利權)人:無錫中星微電子有限公司
    類型:新型
    國別省市:江蘇;32

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