本實用新型專利技術公開了一種用于硅片的等離子體制絨裝置，包括波導諧振腔和反應腔室，所述波導諧振腔的出口處設置有等離子體激發區，其中，所述等離子體激發區設于掃描矩管中，所述掃描矩管貫穿伸入到反應腔室中，所述反應腔室中設有用于放置硅片的托盤單元，所述托盤單元設于運動載臺上。本實用新型專利技術提供的用于硅片的等離子體制絨裝置，通過在波導諧振腔下游設置貫穿伸入反應腔室中掃描矩管，并將托盤單元設于運動載臺上，使得處于托盤上的每排硅片依次經過頂部的等離子體下游吹掃矩管，完成硅片的制絨過程，從而有效減少刻蝕造成的副產物在硅片表面的附著，并可實現連續的在線生產。
【技術實現步驟摘要】
本技術涉及一種等離子體制絨裝置，尤其涉及一種用于硅片的等離子體制絨 目.0
技術介紹
硅太陽能電池已經成為應用最廣泛的光電效應產品之一，主流的單晶硅太陽能電池的光電轉換效率在20?22%。干法制絨相比傳統的濕法制絨，具有絨面均勻，反射率低，工藝自由度高的特點，是提高硅太陽能電池轉換效率最直接的途徑之一。采用干法制絨的硅片，制作成電池片后平均效率比濕法制絨的硅片高1%左右，具有極大的經濟效益。目前干法制絨主要采用:等離子體制絨、反應離子制絨、激光制絨等技術，其中，等離子體融合反應離子制絨技術的硅片應用最為廣泛。但是，由于常規干法制絨的硅片需要在密閉腔室進行，前后均需采用酸或堿液進行處理以消除附著的副產物及去除晶格損傷，不能實現在線的連續處理，因而阻礙了其產業化的進程。
技術實現思路
本技術所要解決的技術問題是提供一種用于硅片的等離子體制絨裝置，能夠有效減少刻蝕造成的副產物在硅片表面的附著，有利于等離子體刻蝕制絨的連續產業化生產。本技術為解決上述技術問題而采用的技術方案是提供一種用于硅片的等離子體制絨裝置，包括波導諧振腔和反應腔室，所述波導諧振腔的出口處設置有等離子體激發區，其中，所述等離子體激發區設于掃描矩管中，所述掃描矩管貫穿伸入到反應腔室中，所述反應腔室中設有用于放置硅片的托盤單元，所述托盤單元設于運動載臺上。上述的用于硅片的等離子體制絨裝置，其中，所述掃描矩管包括矩形管外芯和矩形管內芯，所述等離子體激發區設于矩形管內芯中，所述矩形管內芯的一端連接進氣管，另一端為等離子體噴出口，所述矩形管外芯上開設有真空抽氣口。上述的用于硅片的等離子體制絨裝置，其中，所述等離子體噴出口大致為矩形狀，寬度范圍為5?50mm，所述矩形管外芯和矩形管內芯之間的間隙為3?10mm。上述的用于硅片的等離子體制絨裝置，其中，所述運動載臺為傳輸皮帶或傳輸軌道，所述傳輸皮帶或傳輸軌道下方設有滾動輪。上述的用于硅片的等離子體制絨裝置，其中，所述運動載臺的運動速率為0.1m/mino上述的用于硅片的等離子體制絨裝置，其中，所述托盤單元的數目為多個，所述多個托盤單元按矩陣行列排列，相鄰兩排托盤單元之間采用活動連接軸鏈接，每排托盤單元內放置2?5片硅片，每排托盤單元之間具有10?50mm的間隙，所述托盤單元底部設有定位導軌。本技術對比現有技術有如下的有益效果:本技術提供的用于硅片的等離子體制絨裝置，通過在波導諧振腔下游設置貫穿伸入反應腔室中掃描矩管，并將托盤單元設于運動載臺上，使得處于托盤上的每排硅片依次經過頂部的等離子體下游吹掃矩管，完成硅片的制絨過程，從而有效減少刻蝕造成的副產物在硅片表面的附著，并可實現連續的在線生產。【附圖說明】圖1為本技術用于硅片的等離子體制絨裝置結構示意圖；圖2為本技術的等離子體制絨裝置的掃描矩管結構示意圖；圖3為本技術的等離子體制絨裝置的掃描矩管截面結構示意圖；圖4為本技術的等離子體制絨裝置的托盤單元結構示意圖。圖中:I波導諧振腔 2進氣管 3掃描矩管4等離子體激發區5托盤單元 6定位導軌7滾動輪8真空抽氣口 9矩形管外芯10矩形管內芯 11反應腔室 12運動載臺51活動連接軸 52托盤外框 53區域隔斷54硅片放置區【具體實施方式】下面結合附圖和實施例對本技術作進一步的描述。圖1為本技術用于硅片的等離子體制絨裝置結構示意圖。請參見圖1，本技術提供的用于硅片的等離子體制絨裝置，包括波導諧振腔I和反應腔室11，所述波導諧振腔I的出口處設置有等離子體激發區4，其中，所述等離子體激發區4設于掃描矩管3中，所述掃描矩管3貫穿伸入到反應腔室11中，所述反應腔室11中設有用于放置硅片的托盤單元5，所述托盤單元5設于運動載臺12上。圖2為本技術的等離子體制絨裝置的掃描矩管結構示意圖；圖3為本技術的等離子體制絨裝置的掃描矩管截面結構示意圖。請繼續參見圖2和圖3，本技術提供的用于硅片的等離子體制絨裝置，采用微波等離子體，微波等離子體具有離子能量低，對硅片轟擊損傷小的特點；采用貫穿反應腔室的等離子體下游矩管，將等離子體引到硅片表面，矩形管采用雙層設計。具體來說，所述掃描矩管3包括矩形管外芯9和矩形管內芯10，所述等離子體激發區4設于矩形管內芯10中，所述矩形管內芯10的一端連接進氣管2，另一端為等離子體噴出口，所述矩形管外芯9上開設有真空抽氣口 8，用于將等離子體與硅片的反應剩余氣體及副產物抽出腔體。矩形管內芯10用于噴出等離子體氣，比用于真空抽氣的矩形管外芯9距離硅片略遠，矩形管內芯噴口與外芯噴口的寬度直接影響了等離子體氣對硅片的刻蝕時間；所述矩形管內芯噴口寬度范圍為5?50mm，優選寬度為15mm，所述矩形管外芯9和矩形管內芯10之間的間隙為3?10mm，優選外芯寬度為30mm，以便保證足夠的等離子體刻蝕時間。本技術提供的用于硅片的等離子體制絨裝置，所述運動載臺12為傳輸皮帶或傳輸軌道，所述傳輸皮帶或傳輸軌道下方設有滾動輪7。刻蝕時間及速率由運動的載臺運動速率決定，所述運動載臺12的運動速率優選為0.lm/min，硅片同一區域的腐蝕時間約為15s0本技術提供的用于硅片的等離子體制絨裝置，所述托盤單元5的數目為多個，所述多個托盤單元5按矩陣行列排列，相鄰兩排托盤單元5之間采用活動連接軸51鏈接，每排托盤單元5內放置2?5片硅片，即設有2?5個硅片放置區54，相鄰硅片放置區54之間設有區域隔斷53，如圖4所示。每排托盤單元5之間具有10?50mm的間隙，可在每排硅片之間預留一定的工作時間間隙，有利于硅片的穩定轉運；多個托盤單元5外設有托盤外框52，所述托盤單元5底部設有定位導軌6，保證托盤的運動平穩，底部的滾動軸帶動載臺運動。本技術提供的用于硅片的等離子體制絨裝置，用微波激發等離子體，微波頻率為2450MHz，功率為100W ;工作氣體可為SF6，N2，02的混合氣體，等離子體在下游矩管內激發后由矩形管內芯噴口噴出；反應腔室11內為低真空，穩定氣壓值為lOOOPa，由矩形管內芯10噴出的等離子體氣體中包含電子、正離子、中性離子及自由基等，接觸硅片后對硅片表面進行化學腐蝕及物理轟擊；反應后剩余的等離子體氣及反應副產物，帶有揮發性，由矩形管外芯的真空抽氣口 8帶出腔體外，既減少了硅片表面副產物的附著，同時避免了等離子氣充滿腔室，對腔室造成腐蝕。處于托盤上的每排硅片依次經過頂部的等離子體下游吹掃矩管，從而完成硅片的制絨過程，并可實現連續的在線生產。雖然本技術已以較佳實施例揭示如上，然其并非用以限定本技術，任何本領域技術人員，在不脫離本技術的精神和范圍內，當可作些許的修改和完善，因此本技術的保護范圍當以權利要求書所界定的為準。【主權項】1.一種用于硅片的等離子體制絨裝置，包括波導諧振腔(I)和反應腔室(11)，所述波導諧振腔(I)的出口處設置有等離子體激發區(4)，其特征在于，所述等離子體激發區(4)設于掃描矩管⑶中，所述掃描矩管⑶貫穿伸入到反應腔室(11)中，所述反應腔室(11)中設有用于放置硅片的托盤單元(5)，所述托盤單元(5)設于運動載臺(12)上。2.如權利要求1所述的用于硅片的等離子體制絨裝置，其特征在于，本文檔來自技高網...
【技術保護點】
一種用于硅片的等離子體制絨裝置，包括波導諧振腔(1)和反應腔室(11)，所述波導諧振腔(1)的出口處設置有等離子體激發區(4)，其特征在于，所述等離子體激發區(4)設于掃描矩管(3)中，所述掃描矩管(3)貫穿伸入到反應腔室(11)中，所述反應腔室(11)中設有用于放置硅片的托盤單元(5)，所述托盤單元(5)設于運動載臺(12)上。
【技術特征摘要】
【專利技術屬性】
技術研發人員：高文秀，李帥，趙百通，
申請(專利權)人：江蘇盎華光伏工程技術研究中心有限公司，
類型：新型
國別省市：江蘇;32
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