一種無(wú)觸點(diǎn)交流開關(guān)制造技術(shù)

一種無(wú)觸點(diǎn)交流開關(guān)，包括兩組或三組晶閘管組，所述晶閘管組包括兩個(gè)反向并聯(lián)的單向晶閘管和壓敏電阻，所述壓敏電阻與兩晶閘管并聯(lián)，所述兩晶閘管門級(jí)與繼電器開關(guān)連接。本實(shí)用新型專利技術(shù)將兩個(gè)單向晶閘管反向并聯(lián)在一起，兩晶閘管的門級(jí)與繼電器開關(guān)連接，通過(guò)控制繼電器開關(guān)的吸合與釋放，來(lái)觸發(fā)晶閘管的導(dǎo)通與關(guān)斷，實(shí)現(xiàn)了以小控大、以弱控強(qiáng)的控制原則，達(dá)到了控制主回路的接通與斷開的應(yīng)用目的，從而實(shí)現(xiàn)無(wú)觸點(diǎn)控制，有效避免了機(jī)械性損壞和電火花等危險(xiǎn)情況的發(fā)生。將壓敏電阻與晶閘管并聯(lián)，避免晶閘管在導(dǎo)通與關(guān)斷時(shí)由于負(fù)載切換而產(chǎn)生的浪涌電壓沖擊，壓敏電阻不同于一般的保護(hù)電阻，在被擊穿時(shí)只會(huì)短路而不會(huì)損壞，因此可在通斷較為頻繁時(shí)可持續(xù)對(duì)晶閘管進(jìn)行保護(hù)。自保持電路的設(shè)計(jì)更加適合電路的頻繁通斷。（*該技術(shù)在2024年保護(hù)過(guò)期，可自由使用*）

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】

本技術(shù)涉及一種交流電開關(guān)，特別涉及一種無(wú)觸點(diǎn)交流開關(guān)。
技術(shù)介紹
交流接觸器是電氣控制領(lǐng)域中最常見的部件，同時(shí)也是損壞率最高的部件。普通的交流接觸器都是通過(guò)控制其電磁線圈從而帶動(dòng)其上下觸點(diǎn)的閉合或斷開來(lái)進(jìn)行工作的，但是，觸點(diǎn)的通斷是有壽命的，不但容易產(chǎn)生機(jī)械性損壞，且由于所控制負(fù)載的突然接通和斷開，會(huì)產(chǎn)生較大電磁能量的瞬間產(chǎn)生和釋放，往往造成了接觸器觸點(diǎn)的打火、燒毀、變形、失效，同時(shí)也會(huì)使其他元件遭到損壞，特別是通斷比較頻繁的時(shí)候，更有甚者，觸點(diǎn)引發(fā)的火花會(huì)引起可燃物的起火和爆炸。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足，本技術(shù)提供一種無(wú)需通過(guò)接觸進(jìn)行通斷，且能在通斷時(shí)對(duì)電路元件進(jìn)行保護(hù)的無(wú)觸點(diǎn)交流開關(guān)。本技術(shù)采用的技術(shù)方案是:一種無(wú)觸點(diǎn)交流開關(guān)，包括晶閘管、繼電器開關(guān)，其特征是:所述無(wú)觸點(diǎn)交流開關(guān)包括兩組或三組晶閘管組，所述晶閘管組包括兩個(gè)反向并聯(lián)的單向晶閘管和壓敏電阻，所述壓敏電阻與兩晶閘管并聯(lián)，所述兩晶閘管門級(jí)與繼電器開關(guān)連接。所述的一種無(wú)觸點(diǎn)交流開關(guān)，其特征是:所述繼電器開關(guān)包括繼電器和與之串聯(lián)的自保持電路，所述自保持電路包括常開觸點(diǎn)、常閉觸點(diǎn)和自復(fù)位開關(guān)，所述常開觸點(diǎn)與所述常閉觸點(diǎn)串聯(lián)，所述自復(fù)位開關(guān)與所述常閉觸點(diǎn)并聯(lián)。本技術(shù)將兩個(gè)單向晶閘管反向并聯(lián)在一起，兩晶閘管的門級(jí)與繼電器開關(guān)連接，根據(jù)所在電路的相數(shù)選擇兩組或三組晶體管組，通過(guò)控制繼電器開關(guān)的吸合與釋放，來(lái)觸發(fā)晶閘管的導(dǎo)通與關(guān)斷，實(shí)現(xiàn)了以小控大、以弱控強(qiáng)的控制原則，達(dá)到了控制主回路的接通與斷開的應(yīng)用目的，從而實(shí)現(xiàn)無(wú)觸點(diǎn)控制，有效避免了機(jī)械性損壞和電火花等危險(xiǎn)情況的發(fā)生。將壓敏電阻與晶閘管并聯(lián)，避免晶閘管在導(dǎo)通與關(guān)斷時(shí)由于負(fù)載切換而產(chǎn)生的浪涌電壓沖擊，壓敏電阻不同于一般的保護(hù)電阻，在被擊穿時(shí)只會(huì)短路而不會(huì)損壞，因此可在通斷較為頻繁時(shí)可持續(xù)對(duì)晶閘管進(jìn)行保護(hù)。自保持電路的設(shè)計(jì)更加適合電路的頻繁通斷。【附圖說(shuō)明】圖1為本技術(shù)實(shí)施例一原理圖；圖2為本技術(shù)實(shí)施例二原理圖；圖中:1-晶閘管，2-繼電器開關(guān)，3-壓敏電阻，4-繼電器，5-繼電開關(guān)，6-自復(fù)位開關(guān)，7-常開觸點(diǎn)，8-常閉觸點(diǎn)。【具體實(shí)施方式】實(shí)施例一:如圖1所示，當(dāng)開關(guān)位于兩相電路中時(shí)，設(shè)置兩組晶閘管組，在晶閘管組中，兩個(gè)晶閘管I反向并聯(lián)，壓敏電阻3與兩晶閘管并聯(lián)，繼電器開關(guān)2包括繼電器4和兩個(gè)繼電開關(guān)5，晶閘管組中，兩晶閘管的門級(jí)與繼電開關(guān)5連接。繼電器4串聯(lián)常開觸點(diǎn)7和常閉觸點(diǎn)8，自復(fù)位開關(guān)6與常開觸點(diǎn)7并聯(lián)，所述繼電開關(guān)5和自復(fù)位開關(guān)6為常開觸點(diǎn)。實(shí)施例二:如圖2所示，當(dāng)開關(guān)位于三相電路中時(shí)，設(shè)置三組晶閘管組，在晶閘管組中，兩個(gè)晶閘管I反向并聯(lián)，壓敏電阻3與兩晶閘管并聯(lián)，繼電器開關(guān)2包括繼電器4和三個(gè)繼電開關(guān)5，晶閘管組中，兩晶閘管的門級(jí)與繼電開關(guān)5連接。繼電器4串聯(lián)常開觸點(diǎn)7和常閉觸點(diǎn)8，自復(fù)位開關(guān)6與常開觸點(diǎn)7并聯(lián)，所述繼電開關(guān)5和自復(fù)位開關(guān)6為常開觸點(diǎn)。當(dāng)電路需要閉合時(shí)，按下常開觸點(diǎn)7，開啟繼電器4，繼電開關(guān)5、自復(fù)位開關(guān)6閉合，晶閘管組中兩晶閘管門級(jí)承壓，兩晶閘管I正向?qū)ǎ瑥亩咕чl管組雙向?qū)ǎ詮?fù)位開關(guān)6在繼電器作用下閉合，在常開觸點(diǎn)7打開時(shí)，依然保持繼電器電路通暢。當(dāng)電路需要斷開時(shí)，按下常閉觸點(diǎn)8，關(guān)閉繼電器4，繼電開關(guān)5斷開，晶閘管I門級(jí)電路失壓，從而使整個(gè)電路斷開，自復(fù)位開關(guān)6由于繼電器4關(guān)閉而斷開，使得繼電器電路在常閉觸點(diǎn)8閉合后依然為斷開狀態(tài)。與晶閘管并聯(lián)的壓敏電阻3可避免晶閘管在導(dǎo)通與關(guān)斷時(shí)由于負(fù)載切換而產(chǎn)生的浪涌電壓沖擊。【主權(quán)項(xiàng)】1.一種無(wú)觸點(diǎn)交流開關(guān)，包括晶閘管、繼電器開關(guān)，其特征是:所述無(wú)觸點(diǎn)交流開關(guān)包括兩組或三組晶閘管組，所述晶閘管組包括兩個(gè)反向并聯(lián)的單向晶閘管和壓敏電阻，所述壓敏電阻與兩晶閘管并聯(lián)，所述兩晶閘管門級(jí)與繼電器開關(guān)連接。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的無(wú)觸點(diǎn)交流開關(guān)，其特征是:所述繼電器開關(guān)包括繼電器和與之串聯(lián)的自保持電路，所述自保持電路包括常開觸點(diǎn)、常閉觸點(diǎn)和自復(fù)位開關(guān)，所述常開觸點(diǎn)與所述常閉觸點(diǎn)串聯(lián)，所述自復(fù)位開關(guān)與所述常閉觸點(diǎn)并聯(lián)。【專利摘要】一種無(wú)觸點(diǎn)交流開關(guān)，包括兩組或三組晶閘管組，所述晶閘管組包括兩個(gè)反向并聯(lián)的單向晶閘管和壓敏電阻，所述壓敏電阻與兩晶閘管并聯(lián)，所述兩晶閘管門級(jí)與繼電器開關(guān)連接。本技術(shù)將兩個(gè)單向晶閘管反向并聯(lián)在一起，兩晶閘管的門級(jí)與繼電器開關(guān)連接，通過(guò)控制繼電器開關(guān)的吸合與釋放，來(lái)觸發(fā)晶閘管的導(dǎo)通與關(guān)斷，實(shí)現(xiàn)了以小控大、以弱控強(qiáng)的控制原則，達(dá)到了控制主回路的接通與斷開的應(yīng)用目的，從而實(shí)現(xiàn)無(wú)觸點(diǎn)控制，有效避免了機(jī)械性損壞和電火花等危險(xiǎn)情況的發(fā)生。將壓敏電阻與晶閘管并聯(lián)，避免晶閘管在導(dǎo)通與關(guān)斷時(shí)由于負(fù)載切換而產(chǎn)生的浪涌電壓沖擊，壓敏電阻不同于一般的保護(hù)電阻，在被擊穿時(shí)只會(huì)短路而不會(huì)損壞，因此可在通斷較為頻繁時(shí)可持續(xù)對(duì)晶閘管進(jìn)行保護(hù)。自保持電路的設(shè)計(jì)更加適合電路的頻繁通斷。【IPC分類】H03K17-08【公開號(hào)】CN204442312【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201420756961【專利技術(shù)人】吳建民 【申請(qǐng)人】山西榆次長(zhǎng)城電纜廠【公開日】2015年7月1日【申請(qǐng)日】2014年12月6日本文檔來(lái)自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種無(wú)觸點(diǎn)交流開關(guān)，包括晶閘管、繼電器開關(guān)，其特征是：所述無(wú)觸點(diǎn)交流開關(guān)包括兩組或三組晶閘管組，所述晶閘管組包括兩個(gè)反向并聯(lián)的單向晶閘管和壓敏電阻，所述壓敏電阻與兩晶閘管并聯(lián)，所述兩晶閘管門級(jí)與繼電器開關(guān)連接。

【技術(shù)特征摘要】

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：吳建民，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：山西榆次長(zhǎng)城電纜廠，
類型：新型
國(guó)別省市：山西;14