【技術實現步驟摘要】
本專利技術屬于銅銦鎵硒薄膜太陽電池制作
，特別是涉及一種。
技術介紹
21世紀人類面臨的最大課題是不僅有能源問題，還有環境問題，利用太陽能來解決全球性的能源和環境問題越來越受到人們的重視，各種太陽電池應運而生。在能源日益短缺與過度使用礦石燃料而造成全球暖化的危機中，太陽能光伏發電已成為各國優先考慮發展的潔凈能源。銅銦鎵硒(銅銦鎵硒)化合物太陽電池因轉換效率高、弱光發電性能好、穩定性好、無衰減等優點而成為最有希望的光伏器件之一。然而，由于電子產品需求量的不斷加大，對于各種稀有金屬的需求量也與日俱增，稀有金屬的價格日益上漲。在此大背景下，提高稀有金屬的利用率對于保護稀有金屬資源和降低電池生產成本來說都有巨大的意義。銅銦鎵硒(CIGS)薄膜太陽電池中，吸收層是整個電池的核心部分，大部分光生載流子的輸運和收集工作是由吸收層(P型銅銦鎵硒層)所完成的。為了保證電池對光的充分吸收，大多將銅銦鎵硒吸收層的厚度制成1.5至2.5 μ m ;由于銅銦鎵硒均屬于貴重的稀有金屬資源，造成銅銦鎵硒薄膜太陽電池的制作成本難以下降。
技術實現思路
本專利技術為解決公知技術中存在的技術問題而提供一種在不損失太陽光的利用率的基礎上，較少銅銦鎵硒材料的使用，大幅降低電池制作成本的。本專利技術包括如下技術方案:，其特點是:包括以下制備步驟:步驟1.制作一面為粗糙面的襯底米用等離子體刻蝕機，設置功率為0.5kw_lkw,壓強為3 X 10_2pa_5 X 10_2pa,通過Ar2對鈣鈉玻璃、P1、鈦箔或不銹鋼一面進行均方根粗糙度為50-100nm的等離子體刻蝕，作為一面為粗糙面...
【技術保護點】
陷光結構銅銦鎵硒薄膜太陽電池的制備方法，其特征在于：包括以下制備步驟：步驟1.制作一面為粗糙面的襯底采用等離子體刻蝕機，設置功率為0.5kw?1kw，壓強為3×10?2pa?5×10?2pa，通過Ar2對鈣鈉玻璃、PI、鈦箔或不銹鋼一面進行均方根粗糙度為50?100nm的等離子體刻蝕，作為一面為粗糙面的襯底1；步驟2.在襯底的粗糙面上制作背電極通過直流磁控濺射沉積系統在粗糙面襯底上沉積與襯底粗糙面的粗糙度相同、厚度為500?700nm的Mo作為背電極2；步驟3.在背電極的表面制作陷光結構銅銦鎵硒吸收層采用傳統的共蒸發三步法在背電極上制作銅銦鎵硒吸收層；背電極上形成粗糙面銅銦鎵硒薄膜，采用腐蝕堿液對銅銦鎵硒吸收層表明進行腐蝕處理，直至銅銦鎵硒薄膜表面的均方根粗糙度為20nm以下的，形成陷光結構銅銦鎵硒吸收層；步驟4.制作陷光結構銅銦鎵硒薄膜太陽電池在陷光結構銅銦鎵硒薄膜上面自下至上依次制作緩沖層4；i?ZnO層5；透明窗口層6；減反射層7和柵線電極8，完成本專利技術陷光結構銅銦鎵硒薄膜太陽電池的制作過程。
【技術特征摘要】
【專利技術屬性】
技術研發人員：申緒男，趙岳，王赫，楊亦桐，鄧朝文，趙彥民，喬在祥，
申請(專利權)人：中國電子科技集團公司第十八研究所，
類型：發明
國別省市：天津;12
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