具有MEMS IC的緊湊電子封裝體和相關方法技術

本發明專利技術涉及具有MEMS?IC的緊湊電子封裝體和相關方法。電子器件可以包括：橫向間隔開的第一和第二互連襯底，在它們之間限定縫隙開口；以及第一IC，在縫隙開口中并且電耦合到第一和第二互連襯底中的至少一個。電子器件可以包括：第一其它IC，在第一IC之上并且電耦合到第一和第二互連襯底中的一個或者多個；以及包封材料，在第一和第二互連襯底、第一IC和第一其它IC之上。

【技術實現步驟摘要】
具有MEMSIC的緊湊電子封裝體和相關方法
本公開涉及電子器件領域，更具體地涉及集成電路和相關方法。
技術介紹
在具有集成電路(IC)的電子器件中，IC通常安裝在電路板上。為了電耦合在電路板和IC之間的連接，通常將IC“封裝”。IC封裝一般提供小的包裝用于物理上保護IC并提供接觸焊盤以用于耦合到電路板。在一些應用中，封裝的IC可以經由鍵合導線或焊料凸塊而耦合到電路板。已經變得相當普遍的一種特定類型的IC是微機電系統(MEMS)IC。使用典型IC制造中使用的相同技術來制造這些MEMSIC。一些典型的MEMSIC包括陀螺儀和加速度計。實際上，陀螺儀和加速度計現在包括在大多數移動蜂窩設備中并且由其上的許多軟件應用所使用。參照圖1，現在描述典型的經封裝后的MEMS電子器件80。電子器件80包括襯底82、在該襯底上的第一粘附層84、在第一粘附層上的第一IC81、在第一IC上的第二粘附層88、在第二粘附層上的第一MEMSIC85、在第一MEMSIC上的第三粘附層95、在第三粘附層上的第二MEMSIC86、在第二MEMSIC上的第四粘附層89以及在第四粘附層上的第二IC91，襯底82包括多個接觸93a-93b。該電子器件還包括耦合在襯底82與第一和第二IC/MEMSIC81、85、86、91之間的多個鍵合導線92a-92e以及在襯底與第一和第二IC/MEMSIC之上的包封材料94。
技術實現思路
電子器件可以包括：橫向間隔開的第一和第二互連襯底，在它們之間限定縫隙開口；至少一個第一IC，在所述縫隙開口中并且電耦合到所述第一和第二互連襯底中的至少一個；以及至少一個第一其它IC，在所述至少一個第一IC之上并且電耦合到所述第一和第二互連襯底的至少一個。電子設備可以包括：包封材料，在所述第一和第二互連襯底、所述至少一個第一IC和所述至少一個第一其它IC之上。有利地，該電子器件可以提供較薄的低側面IC封裝體。在一些實施例中，該電子器件可以進一步包括：第三互連襯底，在第一互連襯底之上并且橫向上鄰接至少一個第一其它IC。第三互連襯底可以與至少一個第一其它IC對準。該電子器件可以進一步包括：多個焊料體，在第一和第三互連襯底之間。第三互連襯底可以包括電介質層和導電跡線，所述導電跡線延伸通過所述電介質層并且耦合到所述第一互連襯底和所述至少一個第一IC。附加地，該電子器件可以進一步包括：至少一個鍵合導線，在所述至少一個第一IC與所述第一和第二互連襯底的至少一個之間。在一些實施例中，至少一個第一其它IC可以包括至少一個第一MEMSIC；并且該電子器件可以進一步包括在所述至少一個第一MEMSIC之上的至少一個第二MEMSIC。該電子器件可以進一步包括：至少一個第二IC，在所述至少一個第一其它IC之上并且電耦合到所述第一和第二互連襯底的至少一個。此外，該電子器件可以進一步包括：粘附層，在所述至少一個第一IC與所述至少一個第一其它IC之間。至少一個第一IC在所述縫隙開口的相對側處限定相應的空隙；并且包封材料可以填充相應的空隙。至少一個第一其它IC可以包括陀螺儀和加速度計中的至少一個。另一方面涉及用于制作電子器件的方法。該方法可以包括：將第一和第二互連襯底定位成在橫向上間隔開并且在它們之間限定縫隙開口，以及將至少一個第一IC定位在所述縫隙開口中并且電耦合到所述第一和第二互連襯底的至少一個。該方法還可以包括將至少一個第一其它IC定位在所述至少一個第一IC之上并且電耦合到所述第一和第二互連襯底的至少一個，以及在所述第一和第二互連襯底、所述至少一個第一IC和所述至少一個第一其它IC之上形成包封材料。附圖說明圖1是根據現有技術的電子器件的截面圖的示意圖。圖2是根據本公開的電子器件的截面圖的示意圖。圖3是圖2的電子器件的底部平面圖。圖4是根據本公開的電子器件的另一實施例的截面圖的示意圖。圖5A至圖5D是在用于制作圖2的電子器件的方法中的步驟的截面圖的示意圖。具體實施方式現在將在下面參照其中示出優選實施例的附圖，更充分地描述本實施例。然而本公開可以按照許多不同方式實施并且不應被認為限于這里闡述的實施例。而且，提供這些實施例使得本公開對于本領域技術人員而言將是透徹和完整的，并且將向本領域技術人員充分傳達本公開的范圍。在整個附圖中，類似的標號指代類似的元素，并且在備選實施例中使用最初的標注來指示類似的元素。現在參照圖2至圖3，描述根據本公開的電子器件10。該電子器件10示意地包括橫向上間隔開的第一和第二互連襯底12-13，在它們之間限定縫隙開口28。在圖示實施例中，縫隙開口28的形狀為矩形，但可以采用其它形狀，諸如在其它實施例中為例如梯形或方形。第一互連襯底12示意地包括襯底25和延伸通過該襯底25的導電跡線27。類似地，第二互連襯底13示意地包括襯底33和延伸通過該襯底27的導電跡線34。此外，可能最好如圖3可見，第一和第二互連襯底12-13的導電跡線27、34在電子器件10的底表面上限定多個導電接觸23a-23f。在圖示實施例中，多個導電接觸23a-23f包括焊區柵格陣列接觸，但可以使用其它接觸類型(例如球狀或針狀柵格陣列接觸)。該電子器件10示意地包括第一IC11，該第一IC11在縫隙開口28中并且電耦合到第一和第二互連襯底12-13。換言之，第一IC11凹陷在第一和第二互連襯底12-13的上表面下方。第一IC11示意地在縫隙開口28的相對側處限定相應的空隙。電子器件10示意地包括第一其它IC(示意地為MEMSIC，即第一MEMSIC)15，該第一其它IC15在第一IC11之上并且電耦合到第一互連襯底12。電子器件示意地包括在第一MEMSIC15之上的第二其它IC(示意地為MEMSIC，即第二MEMSIC)16。例如，第一和第二MEMSIC15-16可以均包括陀螺儀和加速度計的至少一個。電子器件示意地包括第二IC21，該第二IC21在第一和第二MEMSIC15-16之上并且電耦合到第二互連襯底13和第二MEMSIC16。第一和第二MEMSIC15、16可以包括例如：(1)使用微機械技術制作的待與IC裸片集成的傳感器裸片；以及(2)將微機械傳感器和電子IC集成在一起的單一裸片。盡管電子器件10示意地包括第一和第二MEMSIC15、16，但可以使用其它IC類型。此外，本公開可以適用于需要具有高集成度的低側面(lowprofile)封裝體并且需要裸片的進一步減薄的諸如MEMSIC之類的其它應用/產品。電子器件10示意地包括在第一IC11和第一MEMSIC15之間的第一粘附層14、在第一MEMSIC15和第二MEMSIC16之間的第二粘附層18以及在第二MEMSIC與第二IC21之間的第三粘附層19。例如，第一、第二和第三粘附層14、18、19可以均包括裸片附接膜(DAF)。電子器件10示意地包括包封材料24，該包封材料24在第一和第二互連襯底12-13、第一和第二IC11、21以及第一和第二MEMSIC15-16之上并且填充縫隙開口28中的相應空隙。例如，包封材料24可以包括模制化合物。附加地，電子器件10示意地包括多個鍵合導線22a-22d，該多個鍵合導線在第一和第二IC/MEMSIC11、21、15-16與第一和第二互連襯底12-13的一個或多個之本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種電子器件，包括：橫向間隔開的第一互連襯底和第二互連襯底，在它們之間限定縫隙開口；至少一個第一集成電路(IC)，在所述縫隙開口中，并且電耦合到所述第一互連襯底和所述第二互連襯底中的至少一個；至少一個第一其它IC，在所述至少一個第一IC之上，并且電耦合到所述第一互連襯底和所述第二互連襯底中的至少一個；以及包封材料，在所述第一互連襯底和所述第二互連襯底、所述至少一個第一IC和所述至少一個第一其它IC之上。

【技術特征摘要】
1.一種電子器件，包括：橫向間隔開的第一互連襯底和第二互連襯底，在它們之間限定縫隙開口；至少一個第一集成電路(IC)，在所述縫隙開口中，并且電耦合到所述第一互連襯底和所述第二互連襯底中的至少一個；至少一個第一其它IC，在所述至少一個第一IC之上，并且電耦合到所述第一互連襯底和所述第二互連襯底中的至少一個；包封材料，在所述第一互連襯底和所述第二互連襯底、所述至少一個第一IC和所述至少一個第一其它IC之上；以及至少一個鍵合導線，直接耦合在所述至少一個第一IC與所述第一互連襯底和所述第二互連襯底中的所述至少一個之間。2.根據權利要求1所述的電子器件，進一步包括：第三互連襯底，在所述第一互連襯底之上，并且橫向鄰接所述至少一個第一其它IC。3.根據權利要求2所述的電子器件，其中所述第三互連襯底與所述至少一個第一其它IC對準。4.根據權利要求2所述的電子器件，進一步包括：多個焊料體，在所述第一互連襯底和所述第三互連襯底之間。5.根據權利要求2所述的電子器件，其中所述第三互連襯底包括電介質層和導電跡線，所述導電跡線延伸通過所述電介質層并且耦合到所述第一互連襯底和所述至少一個第一IC。6.根據權利要求1所述的電子器件，其中所述至少一個第一其它IC包括至少一個第一微機電系統(MEMS)IC；并且進一步包括在所述至少一個第一MEMSIC之上的至少一個第二MEMSIC。7.根據權利要求6所述的電子器件，進一步包括：至少一個第二IC，在所述至少一個第一MEMSIC之上，并且電耦合到所述第一互連襯底和所述第二互連襯底中的至少一個。8.根據權利要求1所述的電子器件，進一步包括：粘附層，在所述至少一個第一IC與所述至少一個第一其它IC之間。9.根據權利要求1所述的電子器件，其中所述至少一個第一IC在所述縫隙開口的相對側處限定相應的空隙；并且其中所述包封材料填充相應的空隙。10.根據權利要求1所述的電子器件，其中所述至少一個第一其它IC包括陀螺儀和加速度計中的至少一個。11.一種電子器件，包括：橫向間隔開的第一互連襯底和第二互連襯底，在它們之間限定縫隙開口；至少一個第一集成電路(IC)，在所述縫隙開口中并且電耦合到所述第一互連襯底和所述第二互連襯底中的至少一個，所述至少一個第一集成電路在所述縫隙開口的相對側處限定相應的空隙；至少一個第一微機電系統(MEMS)IC，在所述至少一個第一IC之上并且電耦合到所述第一互連襯底和所述第二互連襯底中的至少一個；包封材料，在所述第一互連襯底和所述第二互連襯底、所述至少一個第一IC和所述至少一個第一ME...

【專利技術屬性】
技術研發人員：欒竟恩，
申請(專利權)人：意法半導體研發深圳有限公司，
類型：發明
國別省市：廣東;44