一種新型低壓上電復位電路制造技術

本實用新型專利技術涉及集成電路技術領域，尤其是一種新型低壓上電復位電路。它包括第一電阻、第二電阻、第一PMOS管、第二PMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第六PMOS管、第七PMOS管、第八PMOS管、第九NMOS管、第十PMOS管、反相器、緩沖器和施密特觸發器。第一PMOS管、第二PMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第六PMOS管、第七PMOS管、第八PMOS管構成電源電壓檢測電路；其中第一PMOS管、第二PMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管和第一電阻、第二電阻用來產生偏置電流；反相器和第七PMOS管、第八PMOS管構成遲滯比較器；反相器用來產生時間延遲，施密特觸發器用來產生復位信號。本實用新型專利技術大大提高了對噪聲的免疫能力，同時增加了延遲時間且適用于更小尺寸CMOS工藝，電路簡單可靠。

【技術實現步驟摘要】

本技術涉及集成電路
，尤其是一種新型低壓上電復位電路。
技術介紹
在電子系統上電時，電源通常需要經過比較長的時間才能達到穩定狀態。在這個過程中，數字集成電路或數?；旌霞呻娐分械募拇嫫?、控制器等單元的狀態是不確定的，這可能會導致芯片不能正常工作。因此需要一種電路在電源上電時對那些不確定的狀態進行初始化，我們通常使用上電復位(POR)電路來實現這種功能。然而，隨著集成電路工藝的進步，芯片的工作電壓越來越低，對POR的性能要求也更高。目前大多使用的有片上集成POR電路，其檢測電壓由NMOS管和PMOS管的閥值電壓決定，當電源電壓高于檢測電壓時，電流鏡對電容充電，當充電電壓高于觸發器閥值時電路復位，這種電壓電路的缺點是在電源電壓低于閥值電壓時，電路也有充電電流存在，會減小電路的延遲時間；其次，管子的閥值電壓受工藝、溫度影響較大，再計入電源電壓的影響，這種電路延遲時間的離散度會非常大。雖然也有主流使用的由帶隙基準電壓做參考電壓的POR電路，其檢測電壓值很精確，同時其延遲時間受工藝、溫度、電壓的影響也較小，但是在集成電路的器件特征尺寸越來越小、電源電壓甚至低于帶隙基準的時候，這種結構顯然不利于片上集成。因此，傳統的POR電路越來越難以滿足如今的需求。
技術實現思路
針對上述現有技術中存在的不足，本技術的目的在于提供一種能大大提高對噪聲的免疫能力，同時增加了延遲時間并能適用于更小尺寸CMOS工<br>藝的新型低壓上電復位電路。為了實現上述目的，本技術采用如下技術方案：一種新型低壓上電復位電路，它包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第六PMOS管、第七PMOS管、第八PMOS管、第九NMOS管、第十PMOS管、反相器、緩沖器以及施密特觸發器；所述第一PMOS管的漏極連接所述第二PMOS管的柵極和第三NMOS管的漏極、源極連接所述第六PMOS管的源極并通過第一電阻連接所述第二PMOS管的源極、柵極連接所述第二PMOS管的源極和第六PMOS管的柵極；所述第二PMOS管的漏極連接所述第四NMOS管的漏極和柵極；所述第三NMOS管的漏極與源極之間連接有第二電阻、源極還連接所述第四NMOS管的源極和電源電壓、柵極連接所述第四NMOS管的柵極；所述第四NMOS管的源極連接所述第五NMOS管的源極和電源電壓、柵極連接所述第五NMOS管的柵極；所述第五NMOS管的源極連接所述第九NMOS管的源極、柵極連接所述第九NMOS管的柵極、漏極連接所述第六PMOS管的漏極和反相器的輸入端；所述第六PMOS管的柵極連接所述第七PMOS管的柵極、源極連接所述第七PMOS管的源極；所述第七PMOS管的漏極連接所述第八PMOS管的源極；所述第八PMOS管的漏極連接所述反相器的輸入端、柵極連接所述反相器的輸出端和緩沖器的a端；所述第九NMOS管的源極連接所述施密特觸發器的c端、漏極連接所述施密特觸發器的b端；所述第十PMOS管的柵極連接所述緩沖器的b端和施密特觸發器的a端、漏極連接所述緩沖器的d端和第十PMOS管的源極、源極還連接所述施密特觸發器的d端；所述緩沖器的a端連接反相器的輸出端、b端連接施密特觸發器的a端；由于采用了上述方案，本技術具有電源上電和掉電檢測能力，對電源的上電速度和噪聲不敏感，故可通過使用遲滯比較器實現對電源噪聲的免疫，同時增加了延遲時間并能適用于更小尺寸CMOS工藝；與傳統POR電路相比，該電路工作電壓低、性能可靠、結構簡單。附圖說明圖1是本技術實施例的電路結構圖。具體實施方式以下結合附圖對本技術的實施例進行詳細說明，但是本技術可以由權利要求限定和覆蓋的多種不同方式實施。如圖1所示，本實施例的一種新型低壓上電復位電路，它包括第一PMOS管M1、第二PMOS管M2、第三NMOS管M3、第四NMOS管M4、第五NMOS管M5、第六PMOS管M6、第七PMOS管M7、第八PMOS管M8、第九NMOS管M9、第十PMOS管M10、反相器INV、緩沖器BUF以及施密特觸發器T。第一PMOS管M1的漏極連接第二PMOS管M2的柵極和第三NMOS管M3的漏極、源極連接第六PMOS管M6的源極并通過第一電阻R1連接第二PMOS管M2的源極、柵極連接第二PMOS管M2的源極和第六PMOS管M6的柵極。第二PMOS管M2的漏極連接第四NMOS管M4的漏極和柵極。第三NMOS管M3的漏極與源極之間連接有第二電阻R2、源極還連接第四NMOS管M4的源極和電源電壓VDD、柵極連接第四NMOS管M4的柵極。第四NMOS管M4的源極連接第五NMOS管M5的源極和電源電壓VDD、柵極連接第五NMOS管M5的柵極。第五NMOS管M5的源極連接第九NMOS管M9的源極、柵極連接第九NMOS管M9的柵極、漏極連接第六PMOS管M6的漏極和反相器I?NV的輸入端。第六PMOS管M6的柵極連接第七PMOS管M7的柵極、源極連接第七PMOS管M7的源極。第七PMOS管M7的漏極連接第八PMOS管M8的源極。第八PMOS管M8的漏極連接反相器INV的輸入端、柵極連接反相器INV的輸出端和緩沖器BUF的a端。第九NMOS管M9的源極連接施密特觸發器T的c端、漏極連接施密特觸發器T的b端。第十PMOS管M10的柵極連接緩沖器BUF的b端和施密特觸發器T的a端、漏極連接緩沖器BUF的d端和第十PMOS管M10的源極、源極還連接施密特觸發器T的d端。緩沖器BUF的a端連接反相器I?NV的輸出端、b端連接施密特觸發器T的a端。本實施例的第一PMOS管M1、第二PMOS管M2、第三NMOS管M3、第四NMOS管M4、第五NMOS管M5、第六PMOS管M6、第七PMOS管M7和第八PMOS管M8構成了電源電壓檢測電路；其中第一PMOS管M1、第二PMOS管M2、第三NMOS管M3、第四NMOS管M4和第一電阻R1、第二電阻R2用來產生偏置電流；反相器INV和第七PMOS管M7、第八PMOS管M8構成遲滯比較器；反相器INV用來產生時間延遲，施密特觸發器T用來產生復位信號。與傳統的POR電路相比，該電路大大提高了對噪聲的免疫能力，同時增加了延遲時間并能適用于更小尺寸CMOS工藝，提高了電路可靠性。進一步地，當電路啟動時，所有節點電壓的初始狀態為0,在電源電壓VDD大于M本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種新型低壓上電復位電路，其特征在于：它包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第六PMOS管、第七PMOS管、第八PMOS管、第九NMOS管、第十PMOS管、反相器、緩沖器以及施密特觸發器；所述第一PMOS管的漏極連接所述第二PMOS管的柵極和第三NMOS管的漏極、源極連接所述第六PMOS管的源極并通過第一電阻連接所述第二PMOS管的源極、柵極連接所述第二PMOS管的源極和第六PMOS管的柵極；所述第二PMOS管的漏極連接所述第四NMOS管的漏極和柵極；所述第三NMOS管的漏極與源極之間連接有第二電阻、源極還連接所述第四NMOS管的源極和電源電壓、柵極連接所述第四NMOS管的柵極；所述第四NMOS管的源極連接所述第五NMOS管的源極和電源電壓、柵極連接所述第五NMOS管的柵極；所述第五NMOS管的源極連接所述第九NMOS管的源極、柵極連接所述第九NMOS管的柵極、漏極連接所述第六PMOS管的漏極和反相器的輸入端；所述第六PMOS管的柵極連接所述第七PMOS管的柵極、源極連接所述第七PMOS管的源極；所述第七PMOS管的漏極連接所述第八PMOS管的源極；所述第八PMOS管的漏極連接所述反相器的輸入端、柵極連接所述反相器的輸出端和緩沖器的a端；所述第九NMOS管的源極連接所述施密特觸發器的c端、漏極連接所述施密特觸發器的b端；所述第十PMOS管的柵極連接所述緩沖器的b端和施密特觸發器的a端、漏極連接所述緩沖器的d端和第十PMOS管的源極、源極還連接所述施密特觸發器的d端；所述緩沖器的a端連接反相器的輸出端、b端連接施密特觸發器的a端。...

【技術特征摘要】
1.一種新型低壓上電復位電路，其特征在于：它包括第一PMOS管、第二
PMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第六PMOS管、第七PMOS
管、第八PMOS管、第九NMOS管、第十PMOS管、反相器、緩沖器以及施密特
觸發器；
所述第一PMOS管的漏極連接所述第二PMOS管的柵極和第三NMOS管的漏
極、源極連接所述第六PMOS管的源極并通過第一電阻連接所述第二PMOS管
的源極、柵極連接所述第二PMOS管的源極和第六PMOS管的柵極；
所述第二PMOS管的漏極連接所述第四NMOS管的漏極和柵極；
所述第三NMOS管的漏極與源極之間連接有第二電阻、源極還連接所述第
四NMOS管的源極和電源電壓、柵極連接所述第四NMOS管的柵極；
所述第四NMOS管的源極連接所述第五NMOS管的源極和電源電壓、柵極
連接所...

【專利技術屬性】
技術研發人員：劉海清，王倩，劉瑞池，
申請(專利權)人：劉海清，
類型：新型
國別省市：山東;37