本實用新型專利技術提供了一種離子傳輸裝置，所述離子傳輸裝置包括：偏轉電極組，在垂直于離子傳輸面的平面上，至少三個電極組成所述偏轉電極組；電源，所述電源為所述至少三個電極供電，且至少三個電極中的兩側電極的電壓高于中間電極的電壓。本實用新型專利技術具有離子傳輸效率高等優點。（*該技術在2024年保護過期，可自由使用*）
【技術實現步驟摘要】
本技術涉及離子傳輸，特別涉及離子傳輸裝置。
技術介紹
在ICP-MS中，ICP源產生的離子相對其他離子源具有較大的平均能量，能量分布也較寬，而且含有大量的非分子元素離子的離子，比如載氣Ar的激發離子，這些因素導致離子在從大氣壓傳輸至真空的傳輸效率極低，影響了儀器靈敏度。其次，ICP源同時也是光源，在離子化的同時會產生大量的光子，光子到達檢測器會形成很高的背景信號，直接影響儀器的信噪比以及檢測器的使用壽命，此外處于激發態的中性粒子也會導致同樣的問題。最后，由于ICP離子源不是在封閉的真空系統中進行檢測，所以在測定過程中，氣體及水、酸產生的氬、氧、氮、氯、氫、碳等離子都可能進入檢測系統，因而在12、14、16、35、40等質量數處都有很高的背景。此外，雖然在高溫等離子體中，絕大部分分子都已原子化并電離，但在經接口進入膨脹室時，因壓力的突然下降，又可能形成新的分子組合，也造成了復雜的背景，對某些元素的測定形成干擾。因此，ICP-MS中除了要測定的單電荷離子外，在等離子體中和在離子提取及傳輸過程中還可能形成其他多種分子離子。因此，質譜干擾除了理論上已知的那些天然穩定同位素之間的“同量異位素”質譜干擾外，還存在著許多來自水、酸、氣以及基體和共存物之間的“同量異位素”重疊干擾。質譜干擾可進一步分為四類:①同量異位素重疊干擾；②多原子離子干擾；③難熔氧化物干擾；④雙電荷離子干擾。第二種類型的干擾大體上可分為:①抑制和增強效應，②由高鹽含量引起的物理效應。因此，在ICP-MS中為了消除光子以及中性離子的造成的干擾，需要對離子光路進行離軸設計，離軸除了能消除光子和中性粒子直接打到檢測器上形成噪聲，還有其他方面的功能。在碰撞反應池前進行離軸能消除處于激發態的中性離子進入碰撞反應池，從而簡化碰撞反應池的反應環境。現有的兩種解決方案，如圖1和圖2所示，圖1是利用兩組平行板透鏡，對離子束進行偏轉離軸設計，圖2是利用一個圓柱桿對離子束進行90度偏轉。這兩種方案都存在一個共同的缺點，只能在xy面進行離子束的調節，無法在z方向對離子束進行聚焦，導致離子束的傳輸效率變低，進而影響靈敏度和檢出限。
技術實現思路
為了解決上述現有技術方案中的不足，本技術提供了一種離子傳輸效率高的離子傳輸裝置，有助于提高質譜分析的靈敏度。本技術的目的是通過以下技術方案實現的:一種離子傳輸裝置，所述離子傳輸裝置包括:偏轉電極組，在垂直于離子傳輸面的平面上，至少三個電極組成所述偏轉電極組；電源，所述電源為所述至少三個電極供電，且至少三個電極中的兩側電極的電壓高于中間電極的電壓。根據上述的離子傳輸裝置，可選地，所述偏轉電極組包括相對設置的正電極組、負電極組。與現有技術相比，本技術具有的有益效果為:離子在偏轉的同時，離子在垂直于離子傳輸面的平面上聚焦，有效地提高離子束離軸傳輸，優化提高離子傳輸效率，降低透鏡的裝配要求，同時提高后續質譜分析的靈敏度，優化儀器性能。【附圖說明】參照附圖，本技術的公開內容將變得更易理解。本領域技術人員容易理解的是:這些附圖僅僅用于舉例說明本技術的技術方案，而并非意在對本技術的保護范圍構成限制。圖中:圖1是根據現有技術的尚子偏轉的簡圖；圖2是根據現有技術的離子偏轉的另一簡圖圖3是根據本技術實施例1的離子傳輸裝置的結構簡圖；圖4是根據本技術實施例2的離子傳輸裝置的結構簡圖；圖5是根據本技術實施例3的離子傳輸裝置的結構簡圖；圖6是根據本技術實施例4的離子傳輸裝置的結構簡圖。【具體實施方式】圖3-6和以下說明描述了本技術的可選實施方式以教導本領域技術人員如何實施和再現本技術。為了教導本技術技術方案，已簡化或省略了一些常規方面。本領域技術人員應該理解源自這些實施方式的變型或替換將在本技術的范圍內。本領域技術人員應該理解下述特征能夠以各種方式組合以形成本技術的多個變型。由此，本技術并不局限于下述可選實施方式，而僅由權利要求和它們的等同物限定。實施例1:圖3示意性地給出了本技術實施例的離子傳輸裝置的結構簡圖，如圖2所示，所述離子傳輸裝置包括:偏轉電極組，所述偏轉電極組包括相對設置的正電極組、負電極組，在垂直于離子傳輸面的平面上，所述正電極組、負電極組均包括三個平板電極；電源，所述電源為各平板電極施加電壓，具體為:對Ull和U13施加相同的電壓，并且電壓比U12所施加的電壓高，各電極的電壓值大小關系為:U11 = U13>U12，對U21、U22和U23也采用同樣的電壓施加方式。實施例2:圖2示意性地給出了本技術實施例的離子傳輸裝置的結構簡圖，如圖2所示，所述離子傳輸裝置包括:偏轉電極組，所述偏轉電極組包括相對設置的正電極組、負電極組，在垂直于離子傳輸面的平面上，所述正電極組、負電極組均包括五個平板電極；電源，所述電源為各平板電極施加電壓，具體為:對Ull和U15施加相同的電壓、U12和U14施加相同的電壓，并且電壓比U13所施加的電壓高，各電極的電壓值大小關系為:Ull = U15>U12 = U14>U13，對U21-U25也采用同樣的電壓施加方式。實施例3:圖5示意性地給出了本技術實施例的離子傳輸裝置的結構簡圖，如圖5所示，所述離子傳輸裝置包括:偏轉電極組，在垂直于離子傳輸面的平面上，所述正電極組、負電極組均包括三個柱狀電極；電源，所述電源為各平板電極施加電壓，具體為:對Ull和U13施加相同的電壓，并且電壓比U12所施加的電壓高，各電極的電壓值大小關系為:U11 = U13>U12，對U21、U22和U23也采用同樣的電壓施加方式。實施例4:圖6示意性地給出了本技術實施例的離子傳輸裝置的結構簡圖，如圖6所示，所述離子傳輸裝置包括:偏轉電極組，在垂直于離子傳輸面的平面上，所述正電極組、負電極組均包括五個柱狀電極；電源，所述電源為各平板電極施加電壓，具體為:對Ull和U15施加相同的電壓、U12和U14施加相同的電壓，并且電壓比U13所施加的電壓高，各電極的電壓值大小關系為:Ull = U15>U12 = U14>U13，對U21-U25也采用同樣的電壓施加方式。【主權項】1.一種離子傳輸裝置，其特征在于:所述離子傳輸裝置包括: 偏轉電極組，在垂直于離子傳輸面的平面上，至少三個電極組成所述偏轉電極組； 電源，所述電源為所述至少三個電極供電，且至少三個電極中的兩側電極的電壓高于中間電極的電壓。2.根據權利要求1所述的離子傳輸裝置，其特征在于:所述偏轉電極組包括相對設置的正電極組、負電極組。【專利摘要】本技術提供了一種離子傳輸裝置，所述離子傳輸裝置包括：偏轉電極組，在垂直于離子傳輸面的平面上，至少三個電極組成所述偏轉電極組；電源，所述電源為所述至少三個電極供電，且至少三個電極中的兩側電極的電壓高于中間電極的電壓。本技術具有離子傳輸效率高等優點。【IPC分類】H01J49-06【公開號】CN204464233【申請號】CN201420870988【專利技術人】梁炎, 張衛, 劉立鵬, 鄭毅, 李剛強, 陳斌, 楊凱, 滕恩江 【申請人】聚光科技(杭州)股份有限公司, 杭州譜育科技發展有限公司【公開日本文檔來自技高網...
【技術保護點】
一種離子傳輸裝置，其特征在于：所述離子傳輸裝置包括：偏轉電極組，在垂直于離子傳輸面的平面上，至少三個電極組成所述偏轉電極組；電源，所述電源為所述至少三個電極供電，且至少三個電極中的兩側電極的電壓高于中間電極的電壓。
【技術特征摘要】
【專利技術屬性】
技術研發人員：梁炎，張衛，劉立鵬，鄭毅，李剛強，陳斌，楊凱，滕恩江，
申請(專利權)人：聚光科技杭州股份有限公司，杭州譜育科技發展有限公司，
類型：新型
國別省市：浙江;33
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