外部SRAM動態監測器制造技術

本實用新型專利技術提供了一種外部SRAM動態監測器，用于在低資源消耗的前提下，對至少一個外部SRAM進行監測，其特征在于，包括：分區部，將每個外部SRAM分為具有相應地址的至少兩個SRAM子單元；設定輸出部，被用于選擇SRAM子單元并輸出與該SRAM子單元的地址相對應的地址信號；控制部，包含：用于讀取每個SRAM子單元中的數據信號的讀取單元、選擇地址信號相對應的數據信號的獲取單元、用于緩存數據信號的RAM；以及處理部，用于對被RAM緩存的數據信號進行處理得到數據內容。

【技術實現步驟摘要】

本技術屬于數據監測領域，具體涉及一種利用低資源消耗對至少一個外部SRAM進行監測的外部SRAM動態監測器。
技術介紹
SRAM是靜態隨機存儲器，由于SRAM不需要刷新電路即能保存它內部存儲的數據，因此SRAM具有較高的性能。現有技術中，需要將SRAM中的數據讀出然后寫入到片內RAM中，一般通過JTAG將數據導出，但是一次只能觀測一個SRAM的某一個特定區域的數據，這樣非常不方便，而且如果要檢測所有的SRAM的數據內容，則需要耗費大量的資源，這樣對算法的研究，尤其是圖像處理算法的研究非常不方便。
技術實現思路
本技術是為了解決上述課題而進行的，目的在于提供能夠利用盡量少的資源實現對至少一個外部SRAM靈活方便地進行監測的外部SRAM動態監測器。本技術提供了一種外部SRAM動態監測器，用于對至少一個外部SRAM進行監測，其特征在于，包括：分區部，將每個外部SRAM分為具有相應地址的至少兩個SRAM子單元；設定輸出部，被用于選?擇SRAM子單元并輸出與該SRAM子單元的地址相對應的地址信號；控制部，包含：用于讀取每個SRAM子單元中的數據信號的讀取單元、選擇地址信號相對應的數據信號的獲取單元、用于緩存數據信號的RAM；以及處理部，用于對被RAM緩存的數據信號進行處理得到數據內容。在本技術提供的外部SRAM動態監測器中，還可以具有這樣的特征：其中，控制部還包含：與設定輸出部相連接用于根據地址信號發出寫信號的發生單元、根據寫信號控制RAM對數據信號進行存取的控制單元以及發出觸發信號的信號發出單元，控制單元控制信號發出單元發出觸發信號，控制單元根據觸發信號控制發生單元發出寫信號。在本技術提供的外部SRAM動態監測器中，還可以具有這樣的特征：其中，控制部還包含用于檢測判斷外部SRAM是否為空閑狀態的檢測判斷單元，當檢測判斷單元判斷外部SRAM為空閑時，控制單元控制信號發出單元發出觸發信號。在本技術提供的外部SRAM動態監測器中，還可以具有這樣的特征，還包括：啟動部，用于啟動檢測判斷單元進行檢測。在本技術提供的外部SRAM動態監測器中，還可以具有這樣的特征：其中，處理部具有JTAG接口的數據線。技術的作用與效果根據本技術所涉及的外部SRAM動態監測器，因為分區部將?外部SRAM分為至少兩個SRAM子單元進行監測，利用片內開辟出的較少的緩存空間對多個SRAM的任何區域數據內容進行檢測，從而實現利用更少的資源對外部SRAM進行監測，通過設定輸出部能夠選擇一個SRAM子單元進行監測并且輸出相對應的地址信號，通過控制部的讀取單元讀取SRAM子單元中的數據信號，另外，獲取單元選擇獲取與對應SRAM的地址信號相對應的數據信號，并通過RAM將該部分數據信號進行存取，最后，通過處理部將該數據信號進行處理得到數據內容，使得獲取到的SRAM子單元中的數據信號被監測出，所以，本技術的外部SRAM動態監測器實現了靈活方便地對至少一個外部SRAM進行監測。附圖說明圖1是本技術的實施例中外部SRAM動態監測器的結構框圖；圖2是本技術的實施例中外部SRAM動態監測器的電路圖；以及圖3是本技術的實施例中控制部的結構框圖；圖4是本技術的實施例中外部SRAM動態監測器的流程圖。具體實施方式為了使本技術實現的技術手段、創作特征、達成目的與功效易于明白了解，以下實施例結合附圖對本技術的外部SRAM動態監測器作具體闡述。圖1是本技術的實施例中外部SRAM動態監測器的結構框圖。如圖1所示，在本實施例中，外部SRAM動態監測器100的實現基于FPGA，根據需要通過可編輯的連接把FPGA內部的邏輯塊連接起來，從而實現本實施例的監測電路。在本實施例中對兩塊外部SRAM規格都為16bit，2M的外部SRAM進行監測。外部SRAM動態監測器100用于實現對兩塊外部SRAM中的數據靈活方便地進行監測。外部SRAM動態監測器100包含：分區部10、啟動部20、設定輸出部30、控制部40和處理部50。根據需要通過分區部10將兩個外部SRAM分為標識為SRAMⅠ和SRAMⅡ，并且將SRAMⅠ分為具有相應地址的兩個SRAM子單元并分別標識為bank0和bank1，將SRAMⅡ也分為具有相應地址的兩個SRAM子單元并分別標識為bank2和bank3。啟動部20與控制部40相連接，啟動部20用于啟動控制部40開始工作。設定輸出部30被用于選擇一個SRAM子單元并且使控制部40的發送單元輸出與該SRAM子單元的地址相對應的地址信號。控制部40用于控制外部SRAM的讀寫、獲取設定輸出部30選擇的SRAM子單元中的數據信號。處理部50對控制部40獲取的數據信號進行處理得到數據內容。圖2是本技術的實施例中外部SRAM動態監測器的電路圖。如圖2所示，啟動部20與控制部40相連接，啟動部20是按鍵開關，當外部SRAM中的數據有更新時，按動啟動部20后觸發單次執行監測。設定輸出部30是多位撥動開關，本實施例中，設定輸出部30設計為一個2位的撥動開關，調節的各個位置能夠分別對應上述四個SRAM子單元，當設定輸出部30選定的開關位置標識為00時，表示對標識為bank0的SRAM子單元進行監測，標識01表示對標識為bank1的SRAM子單元進行監測，標識10表示對標識為bank2的SRAM子單元進行監測，標識11表示對標識為bank3的SRAM子單元進行監測。當操作者通過設定輸出部30選擇了一個開關位置后，設定輸出部30將發送單元43輸出與該開關位置表示的SRAM子單元的地址相對應的地址信號。圖3是本技術的實施例中控制部的結構框圖。如圖3所示，控制部40包含讀取單元41、發生單元43、獲取單元44、傳輸單元45、檢測判斷單元46、信號發出單元47、RAM和控制單元48。控制單元48用于控制其它單元運行。讀取單元41用于讀取兩塊外部SRAM中的數據信號。檢測判斷單元46接收啟動部20發出的單次執行監測命令后開始檢測，根據讀取單元41讀出的數據信號判斷外部SRAM是否為空閑。當檢測判斷單元46判斷外部SRAM為空閑時(閑時we信號為0)，控制單元48控制信號發出單元47發出用于觸發發生單元43的觸發信號reset。在本實施例中，讀取單元41、檢測判斷單元46、信號發出單元47和控制單元48通過采用SRAM時序控制器實現。發生單元43與設定輸出部30相連接，并且產生寫入RAM的存儲地址信號以及相對應的寫使能信號，另外，發生單元43還根據設定?輸出部30選擇的對應SRAM的觸發信號reset產生對應SRAM的讀取地址信號。在本實施例中，發生單元43是地址/使能發生器。讀取單元41根據對reset有效的SRAM寫入地址信號對SRAM中的數據信號進行讀取(讀SRAM?I、讀SRAM?II和同時讀SRAM?I和SRAM?II)，讀出的數據信號通過數據線D0和本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種外部SRAM動態監測器，用于對至少一個外部SRAM進行監測，其特征在于，包括：分區部，將每個所述外部SRAM分為具有相應地址的至少兩個SRAM子單元；設定輸出部，被用于選擇所述SRAM子單元并輸出與該SRAM子單元的所述地址相對應的地址信號；控制部，包含：用于讀取每個所述SRAM子單元中的數據信號的讀取單元、選擇所述地址信號相對應的所述數據信號的獲取單元、用于緩存所述數據信號的RAM；以及處理部，用于對被所述RAM緩存的所述數據信號進行處理得到數據內容。

【技術特征摘要】
1.一種外部SRAM動態監測器，用于對至少一個外部SRAM進行監測，其特征在于，包括：
分區部，將每個所述外部SRAM分為具有相應地址的至少兩個SRAM子單元；
設定輸出部，被用于選擇所述SRAM子單元并輸出與該SRAM子單元的所述地址相對應的地址信號；
控制部，包含：用于讀取每個所述SRAM...

【專利技術屬性】
技術研發人員：周崢，鄭政，
申請(專利權)人：上海理工大學，上海瑞影醫療科技有限公司，
類型：新型
國別省市：上海;31