抑制電子陶瓷元件爬鍍的表面處理方法及電子陶瓷元件技術

本發明專利技術公開了抑制電子陶瓷元件爬鍍的表面處理方法及電子陶瓷元件，該表面處理方法包括以下步驟：S1、配制表面處理溶液：將混合物料與水混合均勻，得到表面處理溶液，混合物料包括Fe3(PO4)2、MnPO4、NaNO3、Y2O3、H3PO4、NaClO3以及Na2MoO4；S2、表面處理：將電子陶瓷元件放入表面處理溶液內浸泡，電子陶瓷元件表面生成保護膜；S3、清洗、烘干：將經過步驟S2處理的電子陶瓷元件的表面殘留物清洗干凈，并將電子陶瓷元件完全烘干；S4、燒結：將經過步驟S3處理的電子陶瓷元件進行表面燒結。本發明專利技術提出的表面處理方法在電子陶瓷元件產品表面形成一層高電阻率的保護膜，從而抑制電鍍時發生爬鍍。

【技術實現步驟摘要】
抑制電子陶瓷元件爬鍍的表面處理方法及電子陶瓷元件
本專利技術涉及電子元件制造領域，特別是涉及一種抑制電子陶瓷元件爬鍍的表面處理方法。
技術介紹
隨著電子信息業的迅猛發展，片式電子陶瓷元件得到廣泛的應用，越來越多的元件實現了片式化、小型化。片式元件通常由元件基片、內部電極和端電極構成，為了提高元件的焊接性，需在端電極表面鍍上一層鎳層和一層錫層，但在電鍍過程中產品表面也容易鍍上鎳層和錫層，造成產品外觀不良和表層導通短路，從而導致產品應用不良。
技術實現思路
研究發現，由于許多片式元件的電子材料電阻率較低，甚至具有半導體特性，所以在電鍍過程中產品表面也容易鍍上鎳層和錫層。本專利技術目的在于提出一種抑制電子陶瓷元件爬鍍的表面處理方法，以解決上述現有技術存在的電鍍易產生爬鍍的技術問題。為此，本專利技術提出一種抑制電子陶瓷元件爬鍍的表面處理方法，包括以下步驟：S1、配制表面處理溶液：將混合物料與水混合均勻，得到所述表面處理溶液，所述混合物料包括Fe3(PO4)2、MnPO4、NaNO3、Y2O3、H3PO4、NaClO3以及Na2MoO4；S2、表面處理：將所述電子陶瓷元件放入所述表面處理溶液內浸泡，所述電子陶瓷元件表面生成保護膜；S3、清洗、烘干：將經過步驟S2處理的所述電子陶瓷元件的表面殘留物清洗干凈，并將所述電子陶瓷元件完全烘干；S4、燒結：將經過步驟S3處理的所述電子陶瓷元件進行表面燒結。優選地，所述混合物料中各成分的重量百分比為：Fe3(PO4)2：50％～80％、MnPO4：5％～20％、NaNO3：1.0％～20％、Y2O3：0.01％～18％、H3PO4：0.01％～15％、NaClO3：0.5％～10％以及Na2MoO4：0.01％～18％。優選地，步驟S1中所述水為去離子水。優選地，所述表面處理液的PH值范圍為1.0～5.5。優選地，步驟S2中所述浸泡包括：將所述電子陶瓷元件放入30～90℃的所述表面處理溶液中浸泡3～30分鐘。優選地，步驟S3中所述烘干包括：將所述電子陶瓷元件放入烘干箱在溫度80～130℃下烘干20～30分鐘。優選地，步驟S4中所述燒結包括：將所述電子陶瓷元件放入550～750℃的燒結爐中燒結1～3小時。本專利技術還提供了一種電子陶瓷元件，通過如下方法制造：S1、配制表面處理溶液：將混合物料與水混合均勻，得到所述表面處理溶液，所述混合物料包括Fe3(PO4)2、MnPO4、NaNO3、Y2O3、H3PO4、NaClO3以及Na2MoO4；S2、表面處理：將所述電子陶瓷元件放入所述表面處理溶液內浸泡，使所述電子陶瓷元件表面生成保護膜。在一個實施例中，所述混合物料中各成分的重量百分比為：Fe3(PO4)2：50％～80％、MnPO4：5％～20％、NaNO3：1.0％～20％、Y2O3：0.01％～18％、H3PO4：0.01％～15％、NaClO3：0.5％～10％以及Na2MoO4：0.01％～18％。在一個實施例中，還包括如下步驟：S3、清洗、烘干：將經過步驟S2處理的所述電子陶瓷元件的表面殘留物清洗干凈，并對所述電子陶瓷元件進行烘干；S4、燒結：將經過步驟S3處理的所述電子陶瓷元件進行表面燒結。本專利技術提出的表面處理方法在電子陶瓷元件產品電鍍前使用一種表面處理液對產品進行表面處理，通過化學反應，使產品表面形成一層高電阻率的保護膜，增加產品表面電阻，從而抑制電子陶瓷元件產品電鍍時發生爬鍍。附圖說明圖1是本實施例電子陶瓷元件生成的保護膜的微觀表面晶相結構；圖2是本專利技術一種實施例的具有保護膜的電子陶瓷元件電鍍后的結構示意圖；圖3是現有的不具有保護膜的電子陶瓷元件電鍍后的結構示意圖。具體實施方式下面結合具體實施方式對本專利技術作進一步詳細說明。應該強調的是，下述說明僅僅是示例性的，而不是為了限制本專利技術的范圍及其應用。實施例一：本專利技術提出一種抑制電子陶瓷元件爬鍍的表面處理方法，包括以下步驟：S1、配制表面處理溶液：將磷酸鐵(Fe3(PO4)2)、磷酸錳(MnPO4)、硝酸鈉(NaNO3)、氧化釔(Y2O3)、磷酸(H3PO4)、氯酸鈉(NaClO3)、鉬酸鈉(Na2MoO4)等物料混合后按一定比例加入水中攪拌均勻，制成表面處理溶液；在本專利技術的一個實施例中，混合物料中各成分的重量百分比為：磷酸鐵(Fe3(PO4)2)50％～80％、磷酸錳(MnPO4)：5％～20％、硝酸鈉(NaNO3)1.0％～20％、氧化釔(Y2O3)0.01％～18％、磷酸(H3PO4)0.01％～15％、氯酸鈉(NaClO3)0.5％～10％、鉬酸鈉(Na2MoO4)0.01％～18％；配制表面處理溶液的水優選采用去離子水(DI)，防止配制溶液中引入其他雜質，并且將配制完成的表面處理溶液的PH值調整至范圍1.0～5.5內，以使溶液達到最優的化學效果；S2、表面處理：將端電極燒結銀后的電子陶瓷元件放入承裝制具后浸泡于表面處理溶液中，待電子陶瓷元件的表面生成保護膜后取出；一個實施例中，將電子陶瓷元件放入30～90y℃的表面處理溶液中浸泡3～30分鐘，使電子陶瓷元件與表面處理液得到充分接觸，生成包覆效果更好的保護膜；如圖1所示，是本實施例電子陶瓷元件生成的保護膜的微觀表面晶相結構，顯示了在該電子陶瓷元件上生成了一層膜。如圖2所示，對具有保護膜的電子陶瓷元件1的端電極3進行電鍍，端電極3上鍍了一層用斜線表示的金屬，而電子陶瓷元件1除端電極3以外的表面并沒有發生爬鍍現象。如圖3所示，是對現有的不具有保護膜的電子陶瓷元件1的端電極3進行電鍍，端電極3上鍍了一層用斜線表示的金屬，而電子陶瓷元件1除端電極3以外的表面也出鍍上了一些用斜線表示的金屬4。S3、清洗、烘干：將經過步驟S2處理的電子陶瓷元件濾干，用清水沖洗干凈電子陶瓷元件上包括表面處理液在內的殘留物，然后放入烘干器具內一并置入烘干箱中將其表面水分烘干；其中，烘干條件為：在溫度80～130℃下烘干20～30分鐘；S4、燒結：將經過步驟S3處理的電子陶瓷元件進行表面燒結；其中，燒結條件為：放入燒結爐中550～750℃燒結1～3小時。經過上述表面處理的電子陶瓷元件即可進行鍍鎳、鍍錫。實施例二：本專利技術提出一種抑制電子陶瓷元件爬鍍的表面處理方法，包括以下步驟：S1、配制表面處理溶液：將物料按一定重量百分比混合得到混合物料，其中，各物料的重量百分比為：磷酸鐵(Fe3(PO4)2)50％、磷酸錳(MnPO4)5％、硝酸鈉(NaNO3)15％、氧化釔(Y2O3)2％、磷酸(H3PO4)2％、氯酸鈉(NaClO3)8％、鉬酸鈉(Na2MoO4)18％，將該混合物料加入去離子水中攪拌均勻，并將溶液的PH值調整到1.0～5.5，即制成所需的表面處理溶液；S2、表面處理：將端電極燒結銀后的電子陶瓷元件放入承裝制具后浸泡于溫度為T1℃的表面處理溶液中浸泡3分鐘，待電子陶瓷元件的表面生成保護膜后取出；S3、清洗、烘干：將經過步驟S2處理的電子陶瓷元件濾干，用清水沖洗干凈電子陶瓷元件上包括表面處理液在內的殘留物，然后放入烘干器具內一并置入烘干箱中，在溫度80℃下烘干20分鐘，將其表面水分烘干；S4、燒結：將經過步驟S3處理的電子陶瓷元件放入燒結爐中550℃燒結1小時。經過上述表面處理的電子陶瓷元件即可進行鍍本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種抑制電子陶瓷元件爬鍍的表面處理方法，其特征在于：包括以下步驟：S1、配制表面處理溶液：將混合物料與水混合均勻，得到所述表面處理溶液，所述混合物料包括Fe3(PO4)2、MnPO4、NaNO3、Y2O3、H3PO4、NaClO3以及Na2MoO4；S2、表面處理：將所述電子陶瓷元件放入所述表面處理溶液內浸泡，使所述電子陶瓷元件表面生成保護膜；S3、清洗、烘干：將經過步驟S2處理的所述電子陶瓷元件的表面殘留物清洗干凈，并對所述電子陶瓷元件進行烘干；S4、燒結：將經過步驟S3處理的所述電子陶瓷元件進行表面燒結。

【技術特征摘要】
1.一種抑制電子陶瓷元件爬鍍的表面處理方法，其特征在于：包括以下步驟：S1、配制表面處理溶液：將混合物料與水混合均勻，得到所述表面處理溶液，所述混合物料包括Fe3(PO4)2、MnPO4、NaNO3、Y2O3、H3PO4、NaClO3以及Na2MoO4；所述混合物料中各成分的重量百分比為：Fe3(PO4)2：50％～80％、MnPO4：5％～20％、NaNO3：1.0％～20％、Y2O3：0.01％～18％、H3PO4：0.01％～15％、NaClO3：0.5％～10％以及Na2MoO4：0.01％～18％；S2、表面處理：將所述電子陶瓷元件放入所述表面處理溶液內浸泡，使所述電子陶瓷元件表面生成保護膜；S3、清洗、烘干：將經過步驟S2處理的所述電子陶瓷元件的表面殘留物清洗干凈，并對所述電子陶瓷元件進行烘干；S4、燒結：將經過步驟S3處理的所述電子陶瓷元件進行表面燒結。2.如權利要求1所述的抑制電子陶瓷元件爬鍍的表面處理方法，其特征在于，步驟S1中所述水為去離子水。3.如權利要求1所述的抑制電子陶瓷元件爬鍍的表面處理方法，其特征在于，所述表面處理液的pH值范圍為1.0～5.5。4.如權利要求1所述的抑制電子陶瓷元件爬鍍的表面處理方法，其特征在于，步驟S2中所述浸泡包括：將所述電子陶瓷元件放入30-90℃的所述表面處理溶液中浸泡3～30分鐘。5.如權利...

【專利技術屬性】
技術研發人員：成學軍，王清華，
申請(專利權)人：深圳順絡電子股份有限公司，
類型：發明
國別省市：廣東;44