片式熔斷器和片式熔斷器的制造方法技術

本發明專利技術提供片式熔斷器和片式熔斷器的制造方法，目的在于實現外觀的維持和減少持續電弧等斷路性能的提高。在所述片式熔斷器(21)中，在絕緣基板(22)上形成蓄熱層(23)，在所述蓄熱層上形成由片式熔斷器長度方向兩側的表面電極部(24a)和上述表面電極部之間的熔斷器要素部(24b)構成的熔斷器膜，并在熔斷器要素部上形成有保護膜，其中，以包圍熔斷器要素部周圍的方式在蓄熱層上和表面電極部上形成矩形的堤部(27)，并在堤部的內側形成第一保護膜(28)。此外，在堤部形成工序中，通過在熔斷器要素部上、表面電極部上和蓄熱層上粘貼片狀的含有光敏基團的材料，并對所述片狀的含有光敏基團的材料用紫外線曝光顯影(光刻)，來形成矩形的堤部。

【技術實現步驟摘要】
【國外來華專利技術】
本專利技術涉及。
技術介紹
作為在電子設備的印刷布線基板的表面安裝的一種部件，以往已知作為小型熔斷器的片式熔斷器。利用所述片式熔斷器來防止所述印刷布線基板的電子電路被過電流破壞。圖12表示了以往的片式熔斷器I的斷面圖。如圖12所示，由環氧系樹脂在作為氧化鋁基板的絕緣基板2的表面2a上形成蓄熱層(粘接層)3，并在所述蓄熱層3上形成銅的熔斷器膜4。S卩，通過在絕緣基板2和熔斷器膜4之間設置蓄熱層3，使熔斷器膜4不與絕緣基板2接觸。因此，對片式熔斷器I通電時由熔斷器要素部4b產生的熱量不會向絕緣基板2釋放，而是蓄積于蓄熱層3。熔斷器膜4包括:片式熔斷器I的長度方向(圖12的左右方向:以下簡稱為片式熔斷器長度方向)兩側的表面電極部4a ;以及上述表面電極部4a之間的熔斷器要素部(熔斷體)4b。相比于表面電極部4a，熔斷器要素部4b的寬度窄，熔斷器要素部4b是在過電流流過片式熔斷器I時被其自身產生的熱量熔斷的熔斷部。熔斷器要素部4b設有用于防止擴散的鍍膜5、用于促進熔斷的鍍膜6。鍍膜5為鎳膜，通過電鍍法形成在銅的熔斷器膜4上。鍍膜6為錫膜，通過電鍍法形成在鎳膜5上。而且，在熔斷器要素部4b (錫膜6)上，由環氧系樹脂形成作為內層的第一保護膜7。此外，在所述第一保護膜7上由環氧系樹脂形成作為第一外層的第二保護膜8，在所述第二保護膜8上由環氧系樹脂形成作為第二外層的第三保護膜9。在第三保護膜9的表面9a上通過激光打標而形成標記10。所述標記10表示片式熔斷器I的額定電流等。在絕緣基板2的背面2b中的片式熔斷器長度方向兩側的部分2b_l上，由銀系樹脂形成背面電極11。在絕緣基板2中的片式熔斷器長度方向兩側的端面2c上，由銀系樹脂形成端面電極12。端面電極12從表面電極部4a形成至背面電極11，將表面電極部4a和背面電極11電連接。此外，端面電極12上設有鍍膜13、14、15。鍍膜13為銅膜，通過電鍍法形成在端面電極12上。鍍膜14為鎳膜，通過電鍍法形成在銅膜13上。鍍膜15為錫膜，通過電鍍法形成在鎳膜14上。上述鍍膜13、14、15從表面電極部4a形成至絕緣基板2的背面2b，整體覆蓋端面電極12和背面電極11。另外，作為公開了片式熔斷器的現有技術文獻，例如有下述專利文獻I?3。專利文獻1:日本專利公開公報特開平10-308160號專利文獻2:日本專利公開公報特開平10-308161號專利文獻3:日本專利公開公報特開昭63-141233號近年來，伴隨針對電子設備進一步小型化和提高可靠性等要求，也要求片式熔斷器進一步提高斷路性能。片式熔斷器的斷路性能包括斷路前后的外觀變化和斷路時的持續電弧等。斷路性能高的片式熔斷器是指，即使斷路后也能抑制產生飛散物并維持斷路前的外觀，且斷路時的持續電弧的時間短。為了確認上述斷路性能，針對上述以往的片式熔斷器I改變試驗條件進行了下述斷路試驗A、B。斷路試驗A是在32V、50A條件下進行的斷路試驗。進行所述斷路試驗A的片式熔斷器I在斷路試驗前的電阻值是0.029 Ω。實施斷路試驗A的結果省略了圖示，斷路時間為0.38ms。而且，發現了少量持續電弧，且從外觀來說，熔斷器要素部4b熔斷時的沖擊(壓力)導致保護膜7、8、9的一部分被破壞并飛散，所述保護膜7、8、9的破壞部的周邊成為附著有熔斷器要素部4b的熔融物4b-l的狀態。因為由環氧系樹脂形成的保護膜7、8、9比較硬，所以容易被上述沖擊破壞。斷路試驗B是在76V、50A條件下進行的斷路試驗。進行所述斷路試驗B的片式熔斷器I在斷路試驗前的電阻值為0.029 Ω。實施斷路試驗B的結果如圖10的(a)所示，斷路時間為0.55ms，出現了 0.2ms程度的長持續電弧。此外，從外觀來說，如圖11所示，熔斷器要素部4b熔斷時的沖擊(壓力)導致保護膜7、8、9的一部分被破壞并飛散，所述保護膜7,8,9的破壞部16的周邊成為附著有熔斷器要素部4b的熔融物4b-l的狀態。
技術實現思路
因此，本專利技術鑒于上述問題，提供如下的，可以實現外觀的維持和減少持續電弧等斷路性能的提尚。用于解決上述問題的第一專利技術的片式熔斷器在絕緣基板上形成蓄熱層，在所述蓄熱層上形成由片式熔斷器長度方向兩側的表面電極部和所述表面電極部之間的熔斷器要素部構成的熔斷器膜，并在所述熔斷器要素部上形成保護膜，其中，以包圍所述熔斷器要素部周圍的方式，在所述蓄熱層上和所述表面電極部上形成矩形的堤部，在所述堤部的內側形成所述保護膜。此外，第二專利技術的片式熔斷器在第一專利技術的片式熔斷器的基礎上，所述堤部中的片式熔斷器長度方向兩側的部分，形成在比所述表面電極部中的片式熔斷器長度方向內側的端部更靠片式熔斷器長度方向的外側。此外，第三專利技術的片式熔斷器在第一或第二專利技術的片式熔斷器的基礎上，所述表面電極部包括片式熔斷器長度方向外側的第一電極部以及片式熔斷器長度方向內側的第二電極部，且所述第二電極部的寬度比所述第一電極部的寬度窄，所述堤部中的片式熔斷器寬度方向兩側的部分，形成在比所述第二電極部中的片式熔斷器寬度方向兩側的端部更靠片式熔斷器寬度方向的外側，并設置在所述蓄熱層上，所述蓄熱層和所述堤部由相同材料形成。此外，第四專利技術的片式熔斷器在第三專利技術的片式熔斷器的基礎上，所述蓄熱層和所述堤部由相同的含有光敏基團的材料形成。此外，第五專利技術的片式熔斷器在第一?第四專利技術中任意一個片式熔斷器的基礎上，所述保護膜由含有環氧基團的硅系樹脂形成。此外，第六專利技術的片式熔斷器在第五專利技術的片式熔斷器的基礎上，由含有無機填料的硅系樹脂在所述保護膜上形成其他保護膜。此外，第七專利技術的片式熔斷器在第六專利技術的片式熔斷器的基礎上，所述其他保護膜的膜厚比所述保護膜的膜厚薄。此外，第八專利技術的片式熔斷器在第六或第七專利技術的片式熔斷器的基礎上，所述其他保護膜透明，所述保護膜和所述其他保護膜之間設有標記，所述標記由硅系樹脂形成在所述保護層上。此外，第九專利技術的片式熔斷器的制造方法是第一?第八專利技術中任意一個片式熔斷器的制造方法，包括:在所述蓄熱層上和所述表面電極部上形成所述矩形的堤部的第一工序；以及在所述堤部的內側形成所述保護膜的第二工序。此外，第十專利技術的片式熔斷器的制造方法在第九專利技術的片式熔斷器的制造方法的基礎上，在所述第一工序中，在所述熔斷器要素部上、所述表面電極部上和所述蓄熱層上粘貼片狀的含有光敏基團的材料，通過將所述片狀的含有光敏基團的材料用紫外線曝光顯影(光刻)，形成所述矩形的堤部。按照第一專利技術的片式熔斷器，在絕緣基板上形成蓄熱層，在所述蓄熱層上形成由片式熔斷器長度方向兩側的表面電極部和所述表面電極部之間的熔斷器要素部構成的熔斷器膜，并在所述熔斷器要素部上形成保護膜，其中，以包圍所述熔斷器要素部周圍的方式，在所述蓄熱層上和所述表面電極部上形成矩形的堤部，并在所述堤部的內側形成所述保護膜，所以在形成保護膜時，可以由矩形的堤部擋住用于形成所述保護膜的材料(例如含有環氧基團的硅系樹脂)流淌擴散到周邊。因此，保護膜得到充分確保。而且由于保護膜在端部處膜厚也不會變薄，可以確保足夠的膜厚，所以能防止因熔斷器要素部熔斷時的沖擊(壓力)而破壞所述保護膜。按照第二專利技術的片式熔斷器，在第一專利技術的片式熔斷器的基礎上，所述堤部中的片式熔斷器長度方向兩側的部分，形成在比所本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種片式熔斷器，在絕緣基板上形成蓄熱層，在所述蓄熱層上形成由片式熔斷器長度方向兩側的表面電極部和所述表面電極部之間的熔斷器要素部構成的熔斷器膜，并在所述熔斷器要素部上形成保護膜，所述片式熔斷器的特征在于，以包圍所述熔斷器要素部周圍的方式，在所述蓄熱層上和所述表面電極部上形成矩形的堤部，在所述堤部的內側形成所述保護膜。

【技術特征摘要】
【國外來華專利技術】

【專利技術屬性】
技術研發人員：山岸克哉，清野英樹，
申請(專利權)人：釜屋電機株式會社，
類型：發明
國別省市：日本;JP