一種小功率去頻閃電源制造技術(shù)

本實(shí)用新型專利技術(shù)公開(kāi)了一種小功率去頻閃電源，包括前端部分和副邊保護(hù)部分，前端部分包括IC供電部分、電源MOS管峰值脈沖吸收回路、MOS管柵極驅(qū)動(dòng)部分、電路穩(wěn)定部分、輸出電流控制部分，副邊保護(hù)部分通過(guò)貼片電阻R19、電解電容C9構(gòu)成MOS管驅(qū)動(dòng)回路，當(dāng)原邊MOS管斷開(kāi)時(shí)，D5?SF36導(dǎo)通，副邊電容C9通過(guò)R19充電荷，充電時(shí)間通過(guò)調(diào)節(jié)R19大小控制，當(dāng)C7電荷電壓值達(dá)到Q2的驅(qū)動(dòng)閥值，Q2導(dǎo)通，輸出電壓供給負(fù)載，通過(guò)C7的提前濾除紋波電壓/電流，然后在開(kāi)啟Q2的二次整流再送到后級(jí)濾波電路域負(fù)載。相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)，本實(shí)用新型專利技術(shù)能防止紋波電壓/電流第一時(shí)間流入LED負(fù)載產(chǎn)生頻閃，大大減少了輸出紋波值，也節(jié)省成本。

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】

本技術(shù)涉及一種照明設(shè)備，尤其涉及一種LED驅(qū)動(dòng)電源。
技術(shù)介紹
LED燈具有卓越的能效和較長(zhǎng)壽命，發(fā)光可塑性強(qiáng)，替代傳統(tǒng)照明已成一種趨勢(shì)；但在普及過(guò)程中，LED燈具有卓越的能效和較長(zhǎng)壽命，但傳統(tǒng)的白熾燈、熒光燈及LED燈具普遍都有存在頻閃現(xiàn)象，給人的眼睛造成傷害；在當(dāng)下追求高功率因數(shù)，減少對(duì)電網(wǎng)的污染前提下，造成了加劇LED頻閃現(xiàn)象。往往沒(méi)有頻閃的電源功率因素又很低，諧波嚴(yán)重，造成對(duì)其它用電設(shè)備的干擾，無(wú)法正常工作；往往需要添加抑制頻閃IC控制電路，但成本相對(duì)較高。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
本技術(shù)的目的是為了解決現(xiàn)有技術(shù)問(wèn)題，提供一種小功率去頻閃的電源。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本技術(shù)提供一種小功率去頻閃電源包括前端部分和副邊保護(hù)部分，前端部分包括IC供電部分、電源MOS管峰值脈沖吸收回路、MOS管柵極驅(qū)動(dòng)部分、電路穩(wěn)定部分、輸出電流控制部分，副邊保護(hù)部分通過(guò)貼片電阻R19、電解電容C9構(gòu)成MOS管驅(qū)動(dòng)回路，當(dāng)原邊MOS管斷開(kāi)時(shí)，D5 SF36導(dǎo)通，副邊電容C9通過(guò)R19充電荷，充電時(shí)間通過(guò)調(diào)節(jié)R19大小控制，當(dāng)C7電荷電壓值達(dá)到Q2的驅(qū)動(dòng)閥值，Q2導(dǎo)通，輸出電壓供給負(fù)載，通過(guò)C7的提前濾除紋波電壓/電流，然后在開(kāi)啟Q2的二次整流再送到后級(jí)濾波電路域負(fù)載。相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)，本技術(shù)能防止紋波電壓/電流第一時(shí)間流入LED負(fù)載產(chǎn)生頻閃，大大減少了輸出紋波值，也節(jié)省成本。【附圖說(shuō)明】圖1為本技術(shù)實(shí)施例小功率去頻閃電源前端部分的電路圖。圖2為本技術(shù)實(shí)施例小功率去頻閃電源副邊保護(hù)部分的電路圖。【具體實(shí)施方式】下面結(jié)合附圖及實(shí)例，對(duì)本技術(shù)做進(jìn)一步說(shuō)明。圖1所示前端部分的電路圖，其為典型的單級(jí)PFC反激拓?fù)潆娐罚撏負(fù)涫÷粤溯斎氪笕萘康碾娊怆娙萜鳎捎眯∪萘緾BB電容，不僅減少了電源體積，且減小了電流與電壓的相位夾角，從而不需要增加一級(jí)有源PFC校正電路模塊，成本可以得到很好的控制，也可以輕松得到很高的功率因數(shù)(>0.9)，大大減少燈具諧波對(duì)電網(wǎng)的污染，提高電網(wǎng)電壓利用率，但該種方式由于橋堆后面無(wú)較大的儲(chǔ)能電容，導(dǎo)致輸出端產(chǎn)生100HZ的交流紋波，所以LED發(fā)光呈現(xiàn)水紋狀的漣漪，長(zhǎng)時(shí)間可以導(dǎo)致人眼受到傷害，由于手機(jī)的攝像頭的拍攝頻率恰好是100HZ。故可以使用手機(jī)判斷發(fā)光情況。前端圍繞控制IC闡述:1.1C供電部分通過(guò)變壓器輔助繞組4、6PIN腳，經(jīng)過(guò)R6、D2、C3構(gòu)成整流濾波后接到IC供電7PIN腳，R5與R4電阻構(gòu)成電路開(kāi)機(jī)上電瞬間給控制芯片提供續(xù)流器件；2.電源MOS管峰值脈沖吸收回路，防止MOS管過(guò)壓損壞:通過(guò)Dl RSlM快速恢復(fù)管，R17、R16、R15三顆并聯(lián)電阻為消耗C6存儲(chǔ)漏感尖峰能量，通過(guò)調(diào)節(jié)C6與之并聯(lián)的電阻值，結(jié)合實(shí)際的測(cè)試進(jìn)行波形優(yōu)化折中改變MOS管VDS尖峰幅度實(shí)現(xiàn)全電壓可靠性工作。3.MOS管柵極驅(qū)動(dòng)部分:為IC第一腳D3 1N4148續(xù)流二極體，R9的電阻值的選取值大小直接影響電路的EMI與驅(qū)動(dòng)帶載能力。4.該IC為原邊反饋保護(hù)控制，通過(guò)電阻R7與R8的串聯(lián)分壓，采樣輔助繞組電壓的動(dòng)態(tài)情況，如果電壓波動(dòng)芯片通過(guò)改變占空比控制MOS的開(kāi)通與關(guān)斷時(shí)間，來(lái)達(dá)到電路的穩(wěn)定。5.輸出電流控制電阻R14、R13、R12、Rll,通過(guò)改變MOS管源極對(duì)地電阻值來(lái)調(diào)節(jié)輸出負(fù)載電流值，需注意的是觀察該電阻對(duì)地波形斜率，防止變壓器過(guò)功率飽和。圖2所示為副邊保護(hù)部分。由于原邊整流橋后面未使用大容值的電解電容，故較大的交流紋波成分耦合到副邊，如果副邊未去水紋波電路與足夠多的電解電容并聯(lián)濾除紋波噪聲，整燈點(diǎn)亮后就會(huì)出現(xiàn)頻閃，本技術(shù)在輸出快恢復(fù)二極管后級(jí)使用了 Q2低壓MOS管，使用低壓大電流MOS管具備較低的RDSon以滿足較高的效率值，具體工作原理:通過(guò)貼片電阻R19、電解電容C9構(gòu)成MOS管驅(qū)動(dòng)回路，當(dāng)原邊MOS管斷開(kāi)時(shí)，D5 SF36導(dǎo)通，副邊電容C9通過(guò)R19充電荷，充電時(shí)間通過(guò)調(diào)節(jié)R19大小控制，當(dāng)C7電荷電壓值達(dá)到Q2的驅(qū)動(dòng)閥值，Q2導(dǎo)通，輸出電壓供給負(fù)載，通過(guò)C7的提前濾除紋波電壓/電流，然后在開(kāi)啟Q2的二次整流再送到后級(jí)濾波電路域負(fù)載，這樣的目的防止紋波電壓/電流第一時(shí)間流入LED負(fù)載產(chǎn)生頻閃，大大減少了輸出紋波值，也節(jié)省成本。本技術(shù)兼容市場(chǎng)大多數(shù)小功率LED，具備成本低廉易實(shí)現(xiàn)，有無(wú)抑制水紋波電壓電源板可以共用，如果用戶不需要直接可以將該部分短路即可。如果需要使用即使用低壓大電流MOS管具備較低的RDSon以滿足較高的效率值，具體工作原理:通過(guò)貼片電阻R19、電解電容C9構(gòu)成MOS管驅(qū)動(dòng)回路，當(dāng)原邊MOS管斷開(kāi)時(shí)，D5SF36導(dǎo)通，副邊電容C9通過(guò)R19充電荷，充電時(shí)間通過(guò)調(diào)節(jié)R19大小控制，當(dāng)C7電荷電壓值達(dá)到Q2的驅(qū)動(dòng)閥值，Q2導(dǎo)通，輸出電壓供給負(fù)載，通過(guò)C7的提前濾除紋波電壓/電流，然后在開(kāi)啟Q2的二次整流再送到后級(jí)濾波電路域負(fù)載，這樣的目的防止紋波電壓/電流第一時(shí)間流入LED負(fù)載產(chǎn)生頻閃。上述僅為本技術(shù)的較佳實(shí)施例，當(dāng)然，根據(jù)實(shí)際需要和進(jìn)一步的探索還可以有其它實(shí)施方式。但是，應(yīng)該明確的是，基于類似上述的或者其它沒(méi)有表述出的具有相同構(gòu)思的實(shí)施方式的變換，均應(yīng)涵蓋在本技術(shù)的保護(hù)范圍之內(nèi)。【主權(quán)項(xiàng)】1.一種小功率去頻閃電源，其特征在于，包括前端部分和副邊保護(hù)部分，前端部分包括IC供電部分、電源MOS管峰值脈沖吸收回路、MOS管柵極驅(qū)動(dòng)部分、電路穩(wěn)定部分、輸出電流控制部分，副邊保護(hù)部分通過(guò)貼片電阻R19、電解電容C9構(gòu)成MOS管驅(qū)動(dòng)回路，當(dāng)原邊MOS管斷開(kāi)時(shí)，二極管D5 SF36導(dǎo)通，副邊電容C9通過(guò)電阻R19充電荷，充電時(shí)間通過(guò)調(diào)節(jié)電阻R19大小控制，當(dāng)電容C7電荷電壓值達(dá)到低壓MOS管Q2的驅(qū)動(dòng)閥值，低壓MOS管Q2導(dǎo)通，輸出電壓供給負(fù)載，通過(guò)電容C7的提前濾除紋波電壓/電流，然后在開(kāi)啟低壓MOS管Q2的二次整流再送到后級(jí)濾波電路域負(fù)載。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的小功率去頻閃電源，其特征在于，IC供電部分通過(guò)變壓器輔助繞組4、6PIN腳，經(jīng)過(guò)電阻R6、二極管D2、電容C3構(gòu)成整流濾波后接到IC供電7PIN腳，電阻R5與電阻R4構(gòu)成電路開(kāi)機(jī)上電瞬間給控制芯片提供續(xù)流器件。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的小功率去頻閃電源，其特征在于，電源MOS管峰值脈沖吸收回路通過(guò)Dl RSlM快速恢復(fù)管，R17、R16、R15三顆并聯(lián)電阻為消耗電容C6存儲(chǔ)漏感尖峰能量，通過(guò)調(diào)節(jié)電容C6與之并聯(lián)的電阻值，結(jié)合實(shí)際的測(cè)試進(jìn)行波形優(yōu)化折中改變MOS管VDS尖峰幅度實(shí)現(xiàn)全電壓可靠性工作。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的小功率去頻閃電源，其特征在于，MOS管柵極驅(qū)動(dòng)部分為IC第一腳D3 1N4148續(xù)流二極體。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的小功率去頻閃電源，其特征在于，電路穩(wěn)定部分為:IC為原邊反饋保護(hù)控制，通過(guò)電阻R7與R8的串聯(lián)分壓，采樣輔助繞組電壓的動(dòng)態(tài)情況，如果電壓波動(dòng)，芯片通過(guò)改變占空比控制MOS的開(kāi)通與關(guān)斷時(shí)間，來(lái)達(dá)到電路的穩(wěn)定。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的小功率去頻閃電源，其特征在于，輸出電流控制部分包括電阻R14、R13、R12、R11，通過(guò)改變MOS管源極對(duì)地電阻值來(lái)調(diào)節(jié)輸出負(fù)載電流值。【專利摘要】本技術(shù)公開(kāi)了一種小功率去頻閃電源，包括前端部分和副邊保護(hù)部分，前端部本文檔來(lái)自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種小功率去頻閃電源，其特征在于，包括前端部分和副邊保護(hù)部分，前端部分包括IC供電部分、電源MOS管峰值脈沖吸收回路、MOS管柵極驅(qū)動(dòng)部分、電路穩(wěn)定部分、輸出電流控制部分，副邊保護(hù)部分通過(guò)貼片電阻R19、電解電容C9構(gòu)成MOS管驅(qū)動(dòng)回路，當(dāng)原邊MOS管斷開(kāi)時(shí)，二極管D5?SF36導(dǎo)通，副邊電容C9通過(guò)電阻R19充電荷，充電時(shí)間通過(guò)調(diào)節(jié)電阻R19大小控制，當(dāng)電容C7電荷電壓值達(dá)到低壓MOS管Q2的驅(qū)動(dòng)閥值，低壓MOS管Q2導(dǎo)通，輸出電壓供給負(fù)載，通過(guò)電容C7的提前濾除紋波電壓/電流，然后在開(kāi)啟低壓MOS管Q2的二次整流再送到后級(jí)濾波電路域負(fù)載。

【技術(shù)特征摘要】

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：張昆明，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：廣州眾恒光電科技有限公司，
類型：新型
國(guó)別省市：廣東;44