平板探測器的壞點校正方法技術

本發明專利技術提供一種平板探測器的壞點校正方法，是對平板探測器進行壞點識別，將壞點分為第一類壞點和第二類壞點，并分別采取不同的方法校正第一類壞點和第二類壞點。此方法分別對相對獨立的壞點和相對集中的壞點采取不同的方法進行校正，可以降低校正難度，提高校正的準確性。

【技術實現步驟摘要】

本專利技術涉及圖像處理
，尤其涉及一種。
技術介紹
在許多領域，均需使用到平板探測器，例如，在數字化攝片中，X線能量轉換成電信號是通過平板探測器來實現的，所以平板探測器的特性會對DR圖像質量產生比較大的影響，選擇DR必然要考慮到平板探測器的因素，醫院也應當根據實際需要選擇適合自己的平板探測器。在平板探測器中，當某一像元對于X射線不響應或者響應異常時，將此類探測器像元稱為壞點。具體地說，壞點是指不隨感光變化，始終呈現一種顏色(例如，白色、黑色或彩色)的像素點，從而破壞了高清圖像的清晰圖和完整性。平板探測器中壞點的存在是圖像質量下降的原因之一，并且，由于壞點的增多，低噪環境下圖像會更加差，容易影響平板探測器的正常使用和成像。如上所述，當平板探測器中存在壞點時，會使采集到的數據發生異常，進而使重建圖像中出現噪聲以及偽影，大大降低了圖像質量，因此在成像完成后需要對平板探測器進行壞點校正。但是，現有的校正方法基本是對檢測出的壞點直接進行校正，其校正難度較大，且不具有高準確性，嚴重影響著平板探測器成像的質量。
技術實現思路
為提高壞點校正的準確性，本專利技術提供了一種，包括:對平板探測器進行壞點識別；遍歷所述平板探測器的所有壞點，將第一半徑的壞點簇以及第一長度的壞點線定義為第一類壞點；將孤立壞點、第二半徑的壞點簇以及第二長度的壞點線定義為第二類壞點；其中，所述第二長度小于所述第一長度，所述第二半徑小于所述第一半徑；對所述第一類壞點與所述第二類壞點分別進行校正。可選地，先校正所述第二類壞點，再校正所述第一類壞點。可選地，對所述第一類壞點進行校正時，先校正所述第一半徑的壞點簇，再校正所述第一長度的壞點線。 可選地，校正所述第二類壞點的方法包括:采用所述第二類壞點周圍3X3像素范圍內的所有正常像素的平均像素值對壞點像素進行修正。可選地，所述第二半徑的壞點簇是指以一壞點為中心的3X3像素鄰域范圍內具有其他壞點，并且緊鄰所述3X3像素鄰域的外圍像素不具有其他壞點的壞點簇。可選地，所述第一半徑的壞點簇是指以一壞點為中心的3X3像素鄰域范圍內具有其他壞點，并且緊鄰所述3X3像素鄰域的外圍像素也具有其他壞點的壞點簇。可選地，所述第一長度的壞點線是指同一行或列上長度大于該行像素一半，并且該行或列相鄰兩行或列相對應的位置不存在壞點的壞點線。可選地，所述第二長度的壞點線是指同一行或者列上的連續長度大于3個像素且小于等于該行或列像素一半，并且該行或列相鄰的兩行或列相對應的位置不存在壞點的壞點線。可選地，校正所述第一類壞點中第一半徑的壞點簇的方法是雙線性插值法。可選地，所述雙線性插值法包括:首先初始化壞點雙線性插值模板的大小為3X3像素，判斷模板四個端點像素是否為正常像素，如果是則采用四個端點像素值得平均作為校正值，如果不是，則增大雙線性插值的模板大小，直到四個端點的像素點都為正常像素。可選地，校正所述第一類壞點中第一長度的壞點線的方法是三樣條插值法。可選地，當所述第一長度的壞點線位于圖像邊界時，校正所述第一長度的壞點線的方法是，采用與所述第一長度的壞點線相鄰點的正常像素值對壞點線進行替換。可選地，對于所述第一長度的水平壞點線的校正，采用豎直方向的樣條插值法；對于所述第一長度的豎直壞點線的校正，采用水平方向的樣條插值法。可選地，進行所述壞點識別的方法包括:在所述平板探測器中分別輸入某一掃描劑量下采集的多幅暗場、亮場和增益系數圖像數據，得出平均暗場圖像、平均亮場圖像和增益系數矩陣；分別根據所述平均暗場圖像、平均亮場圖像以及增益系數矩陣的灰度直方圖計算出三種壞像素的判斷范圍，所述三種壞像素包括暗電流超界壞像素、不穩定壞像素以及響應超界壞像素；以及根據所述三種壞像素的判斷范圍分別遍歷暗場、亮場以及增益系數圖像的像素點，得出并標記所有壞點。本專利技術提供的，對平板探測器進行壞點識別以得出壞點圖像，將所有壞點分為第一類壞點和第二類壞點，并分別采取不同的方法校正第一類壞點和第二類壞點。此方法對相對獨立的壞點和相對集中的壞點分別采取不同的方法進行校正，可以降低校正難度，提高校正的準確性。【附圖說明】圖1為本專利技術一實施例所述的的流程圖。圖2為本專利技術一實施例所述的中第二半徑的壞點簇的示意圖。圖3為本專利技術一實施例所述的中第一半徑的壞點簇的示意圖。圖4為本專利技術一實施例所述的中第二長度的壞點線的示意圖。圖5為本專利技術一實施例所述的中第一長度的壞點線的示意圖。圖6為本專利技術一實施例所述的中壞點識別方法的流程圖。【具體實施方式】以下結合附圖和具體實施例對本專利技術作進一步詳細說明。根據下面的說明，本專利技術的優點和特征將更清楚。需說明的是，附圖均采用非常簡化的形式且均使用非精準的比率，僅用以方便、明晰地輔助說明本專利技術實施例的目的。針對現有技術涉及的問題，專利技術人提出針對平板探測器中不同種類的壞點采用不同的方法進行校正，具體是將平板探測器上的壞點進行分類，基本標準是區分出較為獨立的壞點和較為集中的壞點，再采取不同的方法對較為獨立的壞點和較為集中的壞點進行校正，如此，可以降低校正難度，提高校正的準確性。優選方案中，先校正較為獨立的壞點再校正較為集中的壞點。壞點的校正順序對于校正效果有著較大影響。由于較為獨立的壞點和較為集中的壞點校正難度相對較低，而且先將較為獨立的壞點校正完成后，圖像上僅剩下分布較為集中的壞點，能夠降低校正難度，提高校正的準確性。當然，本專利技術并不限定壞點的校正順序，在其他實施例中，亦可以先校正較為集中的壞點再校正較為獨立的壞點。如圖1所示，首先對平板探測器進行壞點識別并根據識別結果生成對應的平板探測器壞點點位圖(圖1未示出)，遍歷待校正平板探測器的壞點點位圖時，依次判斷所有的點是否為壞點并確認判斷為壞點的壞點類型，然后對不同類型的壞點進行不同的標記(例如不同的壞點標記不同的數字，若不是壞點則標記為零)，并以此生成壞點模板圖。之后，依據壞點模板圖中對壞點的分類采用不同的方法對不同的壞點進行校正。在一具體實施例中，可以將上述較為獨立的壞點和較為集中的壞點進行進一步分類，再分別采用不同的方法進行校正。例如將孤立壞點、第二半徑的壞點簇、以及第二長度的壞點線定義為第二類壞點；所述將第一半徑的壞點簇以及第一長度的壞點線定義為第一類壞點；其中，上述的第二長度小于所述第一長度，所述第二半徑小于所述第一半徑。上述分類的目的是將壞點簇分為大壞點簇和小壞點簇，將壞點線分為長壞點線和短壞點線，以采取不同的方法進行校正。例如，第二半徑的壞點簇如圖2所示，是指以一壞點為中心的3X3像素鄰域范圍內具有其他壞點，并且緊鄰所述3X3像素鄰域的外圍像素不具有其他壞點的壞點簇。所述第一半徑的壞點簇如當前第1頁1 2 本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種平板探測器的壞點校正方法，其特征在于，包括對平板探測器進行壞點識別；遍歷平板探測器的所有壞點，將第一半徑的壞點簇以及第一長度的壞點線定義為第一類壞點；將孤立壞點、第二半徑的壞點簇以及第二長度的壞點線定義為第二類壞點；其中，所述第二長度小于所述第一長度，所述第二半徑小于所述第一半徑；以及對所述第一類壞點與所述第二類壞點分別進行校正。

【技術特征摘要】

【專利技術屬性】
技術研發人員：陳永麗，牛杰，胡揚，崔凱，張文日，
申請(專利權)人：上海聯影醫療科技有限公司，
類型：發明
國別省市：上海;31