線陣探測器制造技術

本實用新型專利技術實施例提供了一種線陣探測器，有效改善了現有技術中閃爍體探測器適用范圍有限的問題。本實用新型專利技術實施例中的線陣探測器，包括封裝基板，耦合在所述封裝基板上的接插件，以及耦合在所述封裝基板上的碲鋅鎘探測器；所述碲鋅鎘探測器包括保護環，設于所述保護環內的多個像素單元，所述多個像素單元中，兩兩像素單元間存在間隔。該線陣探測器結構簡單、設計巧妙，對射線的轉換效率高，顯著提高了線陣探測器的適用范圍，實施方便，易于推廣應用。

【技術實現步驟摘要】

本技術涉及檢測設備
，具體而言，涉及一種線陣探測器。
技術介紹
現有技術中，在醫學和工業及安全核輻射探測及成像領域主要采用閃爍體探測器進行探測，設計人經研宄發現，閃爍體探測器對射線的轉換效率低，需要較大的射線劑量，適用范圍有限。
技術實現思路
有鑒于此，本技術實施例的目的在于提供一種線陣探測器，以改善現有技術中閃爍體探測器適用范圍有限的問題。為了實現上述目的，本技術實施例采用的技術方案如下:第一方面，本技術實施例提供了一種線陣探測器，包括封裝基板，耦合在所述封裝基板上的接插件，以及耦合在所述封裝基板上的碲鋅鎘探測器；所述碲鋅鎘探測器包括保護環，設于所述保護環內的多個像素單元，所述多個像素單元中，兩兩像素單元間存在間隔。結合第一方面，本技術實施例提供了第一方面的第一種可能的實施方式，其中，所述碲鋅鎘探測器為16像素碲鋅鎘探測器，所述多個像素單元中，每個像素單元的寬度為0.4?0.6mm或0.8?1.2mm，高度為0.8?2.0mm ;兩兩像素單元間的間隔為50?200umo結合第一方面，本技術實施例提供了第一方面的第二種可能的實施方式，其中，所述碲鋅鎘探測器為32像素/64像素碲鋅鎘探測器，所述多個像素單元在所述保護環內排列成一排，所述多個像素單元中，每個像素單元的寬度為0.4?0.8_，高度為0.6?1.2mm ;兩兩像素單元間的間隔為50?lOOum。結合第一方面，本技術實施例提供了第一方面的第三種可能的實施方式，其中，所述碲鋅鎘探測器為32像素/64像素碲鋅鎘探測器，所述多個像素單元在所述保護環內排列成兩排，所述多個像素單元中，每個像素單元的寬度為0.6?0.12mm，高度為0.6?1.2mm ;兩兩像素單元間的間隔為50?lOOum。結合第一方面的第三種可能的實施方式，本技術實施例提供了第一方面的第四種可能的實施方式，其中，所述多個像素單元在所述保護環內排列成兩排，所述兩排像素單元軸對稱排列。結合第一方面的第三種可能的實施方式，本技術實施例提供了第一方面的第五種可能的實施方式，其中，所述多個像素單元在所述保護環內排列成兩排，所述兩排像素單元錯位排列。結合第一方面的第一種?第五種任意一種可能的實施方式，本技術實施例提供了第一方面的第六種可能的實施方式，其中，所述接插件和所述碲鋅鎘探測器均安裝在所述封裝基板上，所述接插件與所述碲鋅鎘探測器互相平行；或所述接插件與所述碲鋅鎘探測器互相垂直。結合第一方面的第六種可能的實施方式，本技術實施例提供了第一方面的第七種可能的實施方式，其中，所述接插件安裝在所述封裝基板一側、所述碲鋅鎘探測器安裝在所述封裝基板另一側。結合第一方面的第七種可能的實施方式，本技術實施例提供了第一方面的第八種可能的實施方式，其中，所述封裝基板采用陶瓷材料制造而成。結合第一方面的第八種可能的實施方式，本技術實施例提供了第一方面的第九種可能的實施方式，其中，所述碲鋅鎘探測器的厚度為2?4_。本技術實施例中，擯棄了現有技術中采用閃爍體探測器進行探測的方案，經多方驗證，巧妙地設計了基于碲鋅鎘探測器的線陣探測器，碲鋅鎘探測器性能較好，能直接把射線能量轉換為電信號，轉換效率高，需要的射線劑量小，能顯著提高線陣探測器的檢測范圍，從而顯著提高了線陣探測器的適用范圍。進一步地，本技術實施例中，針對不同像素，如:16像素、32像素、64像素，分別設計了不同結構尺寸的碲鋅鎘探測器，使得本技術實施例提供的線陣探測器不僅具有較廣的檢測范圍，用戶還可根據實際需求選擇不同像素的碲鋅鎘探測器，使用靈活性較高，符合實際需求。進一步地，本技術實施例中，巧妙地將32像素/64像素碲鋅鎘探測器中，多個像素單元在所述保護環內排列成兩排，這種排列方式，能夠進一步降低檢測所需射線劑量，提高探測器的靈敏度。進一步地，本技術實施例中，巧妙地將32像素/64像素碲鋅鎘探測器中，多個像素單元在所述保護環內錯位排列成兩排，兩排像素單元錯位排列，能夠有效減少被測物體圖像出現死區，進而顯著提高了檢測的全面性和準確性。進一步地，本技術實施例中，對線陣探測器的材料、尺寸進行了巧妙選擇和設計，有效確保了線陣探測器的性價比。本技術實施例中的線陣探測器結構簡單、實施方便、能顯著提高線陣探測器對射線的轉換效率，進而提高線陣探測器的適用范圍，符合實際需求，具有實質性特點和進步，適合大規模推廣應用。本技術的其他特征和優點將在隨后的說明書中闡述，并且，部分地從說明書中變得顯而易見，或者通過實施本技術實施例而了解。本技術實施例的目的和其他優點可通過在所寫的說明書、權利要求書、以及附圖來實現和獲得?！靖綀D說明】為了更清楚地說明本技術實施例的技術方案，下面將對實施例中所需要使用的附圖作簡單地介紹，應當理解，以下附圖僅示出了本技術的某些實施例，因此不應被看作是對范圍的限定，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他相關的附圖。圖1為本技術實施例所提供的一種16像素碲鋅鎘探測器的結構示意圖；圖2為本技術實施例所提供的一種32像素/64像素碲鋅鎘探測器的結構示意圖；圖3為本技術實施例所提供的另一種32像素/64像素碲鋅鎘探測器的結構示意圖；圖4為本技術實施例所提供的另一種32像素/64像素碲鋅鎘探測器的結構示意圖；圖5為本技術實施例所提供的一種線陣探測器的結構示意圖；圖6為本技術實施例所提供的另一種線陣探測器的結構示意圖。上述附圖中，附圖標志對應的名稱為:像素單元100，保護環101 ；封裝基板200，碲鋅鎘探測器201，接插件202?！揪唧w實施方式】下面將結合本技術實施例中附圖，對本技術實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本技術一部分實施例，而不是全部的實施例。通常在此處附圖中描述和示出的本技術實施例的組件可以以各種不同的配置來布置和設計。因此，以下對在附圖中提供的本技術的實施例的詳細描述并非旨在限制要求保護的本技術的范圍，而是僅僅表示本技術的選定實施例。基于本技術的實施例，本領域技術人員在沒有做出創造性勞動的前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本技術保護的范圍。實施例為了改善閃爍體探測器射線轉換率較低的問題，設計人進行了多方研宄，經研宄發現，通過改變閃爍體探測器的結構來提高其射線轉換率的實現難度較大，成本較高，因而，設計人轉而尋找其他射線轉換率較高的探測器，經多方調查驗證發現，碲鋅鎘CZT探測器性能較好，CZT探測器采用了一種新型的半導體材料，能直接把射線能量轉換為電信號，轉換效率高，需要的射線劑量小。另外，經研宄還發現，與閃爍體探測器相比，CZT探測器具有更高的能量分辨率，因此，可以預見CZT探測器有很大地機會成為未來醫學和工業及安全核輻射探測領域探測器的主流。現在，由于工藝的成熟，生產CZT線陣探測器已經可以實現，如圖1所示，本技術實施例中，經多方驗證，對包括CZT探測器的線陣探測器結構進行了當前第1頁1 2 本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種線陣探測器，其特征在于，包括封裝基板，耦合在所述封裝基板上的接插件，以及耦合在所述封裝基板上的碲鋅鎘探測器；所述碲鋅鎘探測器包括保護環，設于所述保護環內的多個像素單元，所述多個像素單元中，兩兩像素單元間存在間隔。

【技術特征摘要】

【專利技術屬性】
技術研發人員：劉輝，
申請(專利權)人：西安西凱化合物材料有限公司，
類型：新型
國別省市：陜西;61