本實用新型專利技術公開了一種化學氣相沉積設備的噴淋裝置，主要包括上層噴淋進氣口、下層噴淋進氣口、冷卻水進口、冷卻水出口、上層噴淋腔、下層噴淋腔、冷卻水腔、噴淋底平面、上層噴淋管、下層噴淋管、上層噴淋出氣口和下層噴淋出氣口等，其特征在于上層噴淋出氣口和下層噴淋出氣口凸出噴淋底平面，并且可能與噴淋底平面距離不一致。本實用新型專利技術利用兩層噴淋出氣口凸出噴淋，有利于輻射熱場反射的均勻，另外利用與噴淋底平面距離不一致來減少氣體在噴淋底平面附近的混合，使氣體的有效混合和反應盡量發生在載片盤表面的薄層中，以有效減少噴淋底平面上的預沉積和噴淋孔堵塞。
【技術實現步驟摘要】
本技術涉及化學氣相沉積設備，尤其是涉及化學氣相沉積設備的噴淋裝置。技術背景化學氣相沉積(CVD)技術集精密機械、半導體材料、真空電子、流體力學、光學、化學、計算機多學科為一體，是一種自動化程度高、價格昂貴、技術集成度高的高端半導體材料、光電子器件制造專用設備。化學氣相沉積設備作為化合物半導體材料外延生長的理想方法，具有質量高、穩定性好、重復性好、工藝靈活、能規模化量產等特點，已經成為業界生產半導體光電器件和微波器件的關鍵核心設備，具有廣闊的應用前景和產業化價值。為了減少反應氣體的提前混合和預反應，氣相沉積設備通常采用多層噴淋向反應腔體輸入反應氣體，現有技術中多層噴淋的噴淋出氣口是和噴淋底平面齊平的，并且是光滑的平面，這樣一方面對于反應襯底過來的熱輻射場，存在鏡面反射，如果在工藝過程中，沉積顆粒造成不同地方的反射不一致，而造成盤面上的溫度受噴淋頂面的表面狀況的影響比較大，造成生長盤面的溫度不均勻；另外一個方面就是反應氣體容易在噴淋底平面混合發生預反應，造成噴淋底平面預沉積和噴淋孔堵塞，尤其是載片盤與噴淋底平面距離比較小或高溫生長條件下，這種現象尤為嚴重，導致化學氣相沉積工藝生長質量不高，且沉積污染也不容易清潔。
技術實現思路
本技術的目的是提供一種化學氣相沉積設備的噴淋裝置，解決噴淋底平面漫反射和反應預沉積等問題。本專利采用的技術方案是，一種化學氣相沉積設備的噴淋裝置，主要包括上層噴淋進氣口(I)、下層噴淋進氣口(2)、冷卻水進口(3)、冷卻水出口(4)、上層噴淋腔(5)、下層噴淋腔(6)、冷卻水腔(7)、噴淋底平面(8)、上層噴淋管(9)、下層噴淋管(10)、上層噴淋出氣口(11)和下層噴淋出氣口(12)等，其中上層噴淋進氣口(I)通過上層噴淋腔(5)、上層噴淋管(9)到噴淋底平面(8)和反應腔體連通，上層噴淋腔(5)下方設有下層噴淋腔(6)，下層噴淋進氣口(2)通過下層噴淋腔(6)、下層噴淋管(10)到噴淋底平面(8)和反應腔體連通，下層噴淋腔(6)下方設有冷卻水腔(7)，冷卻水進口( 3)通過冷卻水腔(7)與冷卻水出口(4)連通，其特征在于上層噴淋出氣口( 11)和下層噴淋出氣口( 12)均凸出噴淋底平面(8)，由于噴淋底平面(8)上致密而凸出的出氣口，造成對生長表面過來的熱輻射形成一個接近漫反射的效果，這樣對生長表面的溫度場分布是非常有利的。優選地，其特征在于所述下層噴淋出氣口(12)與上層噴淋出氣口(11)凸出噴淋底平面(8 )為1-5毫米，而且相對于噴淋底平面(8 )凸出的距離一致，凸出距離一致可以實現更為均勻的漫反射。優選地，其特征在于上層噴淋出氣口( 11)和下層噴淋出氣口( 12)凸出噴淋底平面(8)的距離不一致，利用兩層噴淋出氣口與噴淋底平面距離不一致來減少氣體在噴淋底平面附近的混合，使氣體的有效混合和反應盡量發生在載片盤表面的薄層中，以有效減少噴淋底平面(8)上的預沉積和噴淋孔堵塞。【附圖說明】圖1為本技術一個實施例的化學氣相沉積設備噴淋裝置的示意圖。圖2為本技術另一個實施例的化學氣相沉積設備噴淋裝置的示意圖。【具體實施方式】下面結合附圖進一步說明本技術的實施例，圖1和圖2是根據本技術的實施方式裝置的結構示意性圖示。應理解，本技術公開的圖1和圖2重點示意了根據本技術實施方式裝置的元部件，也就是說，這些附圖并不意在示意出本技術裝置中的每一個單獨的元部件。如圖1所示，一種化學氣相沉積設備的噴淋裝置，主要包括上層噴淋進氣口 1、下層噴淋進氣口 2、冷卻水進口 3、冷卻水出口 4、上層噴淋腔5、下層噴淋腔6、冷卻水腔7、噴淋底平面8、上層噴淋管9、下層噴淋管10、上層噴淋出氣口 11和下層噴淋出氣口 12等，其中上層噴淋進氣口 I通過上層噴淋腔5、上層噴淋管9到噴淋底平面8和反應腔體連通，上層噴淋腔5下方設有下層噴淋腔6，下層噴淋進氣口 2通過下層噴淋腔6、下層噴淋管10到噴淋底平面8和反應腔體連通，下層噴淋腔6下方設有冷卻水腔7，冷卻水進口 3通過冷卻水腔7與冷卻水出口 4連通，其特征在于上層噴淋出氣口 11和下層噴淋出氣口 12均凸出噴淋底平面8，由于噴淋底平面8上致密而凸出的出氣口，造成對生長表面過來的熱輻射形成一個接近漫反射的效果，這樣對生長表面的溫度場分布是非常有利的。優選地，其特征在于所述下層噴淋出氣口 12與上層噴淋出氣口 11凸出噴淋底平面8為1-5毫米，而且相對于噴淋底平面8凸出的距離一致，凸出距離一致可以實現更為均勻的漫反射。優選地，如圖2所示，其特征在于上層噴淋出氣口 11和下層噴淋出氣口 12凸出噴淋底平面8的距離不一致，利用兩層噴淋出氣口與噴淋底平面8距離不一致來減少氣體在噴淋底平面附近的混合，使氣體的有效混合和反應盡量發生在載片盤表面的薄層中，以有效減少噴淋底平面8上的預沉積和噴淋孔堵塞。以上說明對本技術而言只是說明性的，而非限制性的，本領域普通技術人員的理解，在不脫離權利要求所限定的精神和范圍的情況下，可根據上述揭示內容做出變更、修飾或等效，但都將落入本技術的保護范圍內。【主權項】1.一種化學氣相沉積設備的噴淋裝置，主要包括上層噴淋進氣口(1)、下層噴淋進氣口(2)、冷卻水進口(3)、冷卻水出口(4)、上層噴淋腔(5)、下層噴淋腔(6)、冷卻水腔(7)、噴淋底平面(8)、上層噴淋管(9)、下層噴淋管(10)、上層噴淋出氣口(11)和下層噴淋出氣口(12)等，其中上層噴淋進氣口(I)通過上層噴淋腔(5)、上層噴淋管(9)到噴淋底平面(8)和反應腔體連通，上層噴淋腔(5)下方設有下層噴淋腔(6)，下層噴淋進氣口(2)通過下層噴淋腔(6)、下層噴淋管(10)到噴淋底平面(8)和反應腔體連通，下層噴淋腔(6)下方設有冷卻水腔(7 )，冷卻水進口( 3 )通過冷卻水腔(7 )與冷卻水出口( 4)連通，其特征在于上層噴淋出氣口(11)和下層噴淋出氣口(12)均凸出噴淋底平面(8)。2.如權利要求1所述的化學氣相沉積設備的噴淋裝置，其特征在于所述上層噴淋出氣口(11)與下層噴淋出氣口(12)凸出噴淋底平面(8)為1-5毫米，且相對于噴淋底平面(8)凸出的距離一致。3.如權利要求1所述的化學氣相沉積設備的噴淋裝置，其特征在于上層噴淋出氣口(11)和下層噴淋出氣口(12)凸出噴淋底平面(8)的距離不一致。【專利摘要】本技術公開了一種化學氣相沉積設備的噴淋裝置，主要包括上層噴淋進氣口、下層噴淋進氣口、冷卻水進口、冷卻水出口、上層噴淋腔、下層噴淋腔、冷卻水腔、噴淋底平面、上層噴淋管、下層噴淋管、上層噴淋出氣口和下層噴淋出氣口等，其特征在于上層噴淋出氣口和下層噴淋出氣口凸出噴淋底平面，并且可能與噴淋底平面距離不一致。本技術利用兩層噴淋出氣口凸出噴淋，有利于輻射熱場反射的均勻，另外利用與噴淋底平面距離不一致來減少氣體在噴淋底平面附近的混合，使氣體的有效混合和反應盡量發生在載片盤表面的薄層中，以有效減少噴淋底平面上的預沉積和噴淋孔堵塞。【IPC分類】C23C16-455【公開號】CN204570032【申請號】CN201520222713【專利技術人】甘志銀, 劉勝 【申請人】廣東昭信半導體裝備制造有限公司【公開日本文檔來自技高網...
【技術保護點】
一種化學氣相沉積設備的噴淋裝置，主要包括上層噴淋進氣口（1）、下層噴淋進氣口（2）、冷卻水進口（3）、冷卻水出口（4）、上層噴淋腔（5）、下層噴淋腔（6）、冷卻水腔（7）、噴淋底平面（8）、上層噴淋管（9）、下層噴淋管（10）、上層噴淋出氣口（11）和下層噴淋出氣口（12）等，其中上層噴淋進氣口（1）通過上層噴淋腔（5）、上層噴淋管（9）到噴淋底平面（8）和反應腔體連通，上層噴淋腔（5）下方設有下層噴淋腔（6），下層噴淋進氣口（2）通過下層噴淋腔（6）、下層噴淋管（10）到噴淋底平面（8）和反應腔體連通，下層噴淋腔（6）下方設有冷卻水腔（7），冷卻水進口（3）通過冷卻水腔（7）與冷卻水出口（4）連通，其特征在于上層噴淋出氣口（11）和下層噴淋出氣口（12）均凸出噴淋底平面（8）。
【技術特征摘要】
【專利技術屬性】
技術研發人員：甘志銀，劉勝，
申請(專利權)人：廣東昭信半導體裝備制造有限公司，
類型：新型
國別省市：廣東;44
還沒有人留言評論。發表了對其他瀏覽者有用的留言會獲得科技券。