一種泄漏雙包層光纖中包層光的方法技術

一種泄漏雙包層光纖中包層光的方法，本發明專利技術涉及泄漏雙包層光纖中包層光的方法。本發明專利技術要解決現有泄漏雙包層光纖中包層光的方法或存在導致光纖溫度急劇上升，甚至燒毀光纖，或存在泄漏包層光的效率較低，或存在需要高精度的控制和較為復雜的制作過程的問題。方法：一、泄漏段的選擇；二、化學試劑腐蝕泄漏；三、涂覆高折射率固化膠泄漏，即完成泄漏雙包層光纖中包層光的方法。本發明專利技術用于一種泄漏雙包層光纖中包層光的方法。

【技術實現步驟摘要】

本專利技術涉及泄漏雙包層光纖中包層光的方法。
技術介紹
光纖激光器以其結構緊湊、維護簡單、散熱效果好、能量高、光路封閉、光束質量好等優點成為目前激光器研究的熱點和前沿，具有巨大發展空間和應用前景，是未來激光器發展的方向。隨著研究深入，光纖激光器的輸出功率越來越高。2014年，武漢銳科公司報道了10KW光纖激光器。目前，大功率光纖激光器均采用包層泵浦技術，所使用的光纖為大芯徑、雙包層光纖。包層泵浦技術的原理，是將泵浦光注入雙包層光纖結構中數值孔徑較大(0.46左右)的包層里，泵浦光在包層里反射傳輸，穿過纖芯時激發稀土離子，形成粒子數翻轉，最終輸出激光。限于光纖長度，包層中泵浦光不能被完全吸收，激光輸出端的光纖包層里面仍有泵浦光存在，所以光纖激光器輸出光里除了包含有激光外，還有泵浦光，即包層光。包層光對光纖激光器有兩大危害：影響輸出激光的光束質量和導致激光輸出頭發燙。對于前者，包層光會使光束質量M2增大，給輸出光束的準直整形帶來困難；對于后者，包層光導致的輸出頭發燙，會嚴重影響激光器的壽命，甚至會使激光器輸出頭燒毀，從而逆向燒毀整臺激光器。在實驗中，5W左右的包層光，能使SMA905型號光纖激光器輸出頭溫度達到100度以上。鑒于此，目前已有很多種方法來泄漏包層光。申請公開號為CN102255235A的專利，提出了一種光纖表面微V型槽結構泄漏包層光的方法；申請公開號為CN103698845A的專利，提出了一種多段、多方向的包層光泄漏結構。這兩種方法都需要高精度的控制和較為復雜的制作過程。而最常用的泄漏方法有涂覆高折射率固化膠和內包層腐蝕。涂覆高折射率固化膠，是將雙包層光纖涂覆層和外包層剝離，把高折射率固化膠涂覆于裸漏出來的內包層，從而破壞包層內光的全反射傳輸，達到泄漏包層光的目的。這種方法泄漏包層光的效率較高，但是高折射率涂覆層吸收包層光，會導致光纖溫度急劇上升，甚至燒毀光纖。實驗中，10W左右的包層光即可引起高折射率涂覆層燒毀——這大大限制了光纖激光器的最高輸出功率。內包層腐蝕，是將雙包層光纖的涂覆層和外包層剝離，漏出雙包層光纖的內包層，然后用化學試劑將內包層表面腐蝕成凸凹不平的粗糙結構。包層光經過腐蝕后的內包層時，由于表面粗糙而不能全反射，最終從內包層泄漏出去。內包層腐蝕泄漏包層光的效率較低，十幾厘米的泄漏長度，只能泄露50％～70％左右的包層光。如要泄漏更多包層光，需要很長的泄漏長度，這將導致光纖激光器體積增大(腐蝕的內包層脆弱，放置時需要大的彎曲半徑)。
技術實現思路
本專利技術要解決現有泄漏雙包層光纖中包層光的方法或存在導致光纖溫度急劇上升，甚至燒毀光纖，或存在泄漏包層光的效率較低，或存在需要高精度的控制和較為復雜的制作過程的問題，而提供一種泄漏雙包層光纖中包層光的方法。一種泄漏雙包層光纖中包層光的方法，具體是按照以下步驟進行的：一、泄漏段的選擇：在雙包層光纖上選擇一段為泄漏段，泄漏段內包含化學試劑腐蝕泄漏段及高折射率固化膠泄漏段，沿著光在雙包層光纖中的傳播方向，光首先經過化學試劑腐蝕泄漏段，然后經過高折射率固化膠泄漏段；二、化學試劑腐蝕泄漏：首先將化學試劑腐蝕泄漏段的涂覆層和外包層剝除，裸露出內包層，然后將化學試劑腐蝕泄漏段裸露出內包層的雙包層光纖置于中腐蝕試劑中，腐蝕20min～40min，得到含有化學試劑腐蝕泄漏段的雙包層光纖；所述的腐蝕試劑為可腐蝕SiO2的試劑；三、高折射率固化膠泄漏：將高折射率固化膠泄漏段的涂覆層和外包層剝除，裸露出內包層，然后用高折射率固化膠涂覆高折射率固化膠泄漏段裸露出的內包層，固化，得到含有化學試劑腐蝕泄漏段及高折射率固化膠泄漏段的雙包層光纖，即完成泄漏雙包層光纖中包層光的方法。所述的化學試劑腐蝕泄漏段泄漏后剩余的功率使得高折射率固化膠泄漏段不燒毀；高折射率固化膠泄漏段的長度保證泄漏掉足夠多的功率。本專利技術的有益效果是：1、泄漏功率高。經過化學試劑腐蝕泄漏段泄漏后，到達高折射率固化膠泄漏段的包層光功率減少很多，不會對高折射率固化膠造成燒毀性的損壞。相比于單純用高折射率固化膠泄漏，本方法可以泄漏更高功率的包層光。2、泄漏長度短。由于高折射率固化膠泄漏段的泄漏效率高，所以相比于單純腐蝕內包層表面泄漏，本專利技術可以大大減小泄漏段的整體長度。3、制作簡單。相比于專利CN102255235A和CN103698845A專利，本專利技術僅需要剝離涂覆層、溶液腐蝕、涂覆高折射率固化膠三個步驟，這三種操作均為光纖處理的基本操作，可以機器操作，沒有很高的操作精度要求，簡單可靠。4、化學試劑腐蝕泄漏段和高折射率固化膠泄漏段的長度視包層光功率而定，10W以下的包層光，化學試劑腐蝕泄漏段長度為10cm以內，高折射率固化膠泄漏段長度為5cm以內，當功率越高，泄漏段長度越長，因此，本專利技術適用于高功率的包層光。本專利技術用于一種泄漏雙包層光纖中包層光的方法。附圖說明圖1為本專利技術雙包層光纖包層光泄漏結構示意圖；1為化學試劑腐蝕泄漏段，2為高折射率固化膠泄漏段，3為雙包層光纖纖芯，4為內包層，5為涂覆層和外包層，6為雙包層光纖中光的傳播方向。具體實施方式本專利技術技術方案不局限于以下所列舉的具體實施方式，還包括各具體實施方式之間的任意組合。具體實施方式一：結合圖1具體說明本實施方式，本實施方式所述的一種泄漏雙包層光纖中包層光的方法，具體是按照以下步驟進行的：一、泄漏段的選擇：在雙包層光纖上選擇一段為泄漏段，泄漏段內包含化學試劑腐蝕泄漏段及高折射率固化膠泄漏段，沿著光在雙包層光纖中的傳播方向，光首先經過化學試劑腐蝕泄漏段，然后經過高折射率固化膠泄漏段；二、化學試劑腐蝕泄漏：首先將化學試劑腐蝕泄漏段的涂覆層和外包層剝除，裸露出內包層，然后將化學試劑腐蝕泄漏段裸露出內包層的雙包層光纖置于中腐蝕試劑中，腐蝕20min～40min，得到含有化學試劑腐蝕泄漏段的雙包層光纖；所述的腐蝕試劑為可腐蝕SiO2的試劑；三、高折射率固化膠泄漏：將高折射率固化膠泄漏段的涂覆層和外包層剝除，裸露出內包層，然后用高折射率固化膠涂覆高折射率固化膠泄漏段裸露出的內包層，固化，得到含有化學試劑腐蝕泄漏段及高折射率固化膠泄漏段的雙包層光纖，即完成泄漏雙包層光纖中包層光的方法。所述的化學試劑腐蝕泄漏段泄漏后剩余的功率使得高折射率固化膠泄漏段不燒毀；高折射率固化膠泄漏段的長度保證泄漏掉足夠多的功率。所述的腐蝕試劑為能夠將光纖內包層表面(化學成分為SiO2)腐蝕成粗糙結構的高濃度氫氟酸本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種泄漏雙包層光纖中包層光的方法，其特征在于一種泄漏雙包層光纖中包層光的方法是按照以下步驟進行的：一、泄漏段的選擇：在雙包層光纖上選擇一段為泄漏段，泄漏段內包含化學試劑腐蝕泄漏段及高折射率固化膠泄漏段，沿著光在雙包層光纖中的傳播方向，光首先經過化學試劑腐蝕泄漏段，然后經過高折射率固化膠泄漏段；二、化學試劑腐蝕泄漏：首先將化學試劑腐蝕泄漏段的涂覆層和外包層剝除，裸露出內包層，然后將化學試劑腐蝕泄漏段裸露出內包層的雙包層光纖置于中腐蝕試劑中，腐蝕20min～40min，得到含有化學試劑腐蝕泄漏段的雙包層光纖；所述的腐蝕試劑為可腐蝕SiO2的試劑；三、高折射率固化膠泄漏：將高折射率固化膠泄漏段的涂覆層和外包層剝除，裸露出內包層，然后用高折射率固化膠涂覆高折射率固化膠泄漏段裸露出的內包層，固化，得到含有化學試劑腐蝕泄漏段及高折射率固化膠泄漏段的雙包層光纖，即完成泄漏雙包層光纖中包層光的方法。

【技術特征摘要】
1.一種泄漏雙包層光纖中包層光的方法，其特征在于一種泄漏雙包層光纖中包層光
的方法是按照以下步驟進行的：
一、泄漏段的選擇：在雙包層光纖上選擇一段為泄漏段，泄漏段內包含化學試劑腐蝕
泄漏段及高折射率固化膠泄漏段，沿著光在雙包層光纖中的傳播方向，光首先經過化學試
劑腐蝕泄漏段，然后經過高折射率固化膠泄漏段；
二、化學試劑腐蝕泄漏：首先將化學試劑腐蝕泄漏段的涂覆層和外包層剝除，裸露出
內包層，然后將化學試劑腐蝕泄漏段裸露出內包層的雙包層光纖置于中腐蝕試劑中，腐蝕
20min～40min，得到含有化學試劑腐蝕泄漏段的雙包層光纖；
所述的腐蝕試劑為可腐蝕SiO2的試劑；
三、高折射率固化膠泄漏：將高折射率固化膠泄漏段的涂覆層和外包層剝除，裸露出
內包層，然后用高折射率固化膠涂覆高折射率固化膠泄漏段裸露出的內包層，固化，得到
含有化學試劑腐蝕泄漏段及高折射率固化膠泄漏段的雙包層光纖，即完成泄漏雙包層光纖

【專利技術屬性】
技術研發人員：鞠有倫，張振國，楊超，戴通宇，
申請(專利權)人：哈爾濱工業大學，
類型：發明
國別省市：黑龍江;23