LED2、4寸芯片兼容性沉積SIO2電極平臺(tái)制造技術(shù)

本實(shí)用新型專(zhuān)利技術(shù)提供一種LED2、4寸芯片兼容性沉積SiO2電極平臺(tái)，涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域。包括腔體、鋁電極圓柱和芯片載放平臺(tái)，所述鋁電極圓柱在腔體底部，所述芯片載放平臺(tái)水平放置于鋁電極圓柱上。通過(guò)對(duì)芯片載放平臺(tái)上設(shè)置的4寸芯片放置槽設(shè)重新布局，并在4寸芯片放置槽內(nèi)設(shè)置2寸芯片放置槽，解決了芯片兼容性和設(shè)備利用率的問(wèn)題，使得不同規(guī)格的芯片可以同時(shí)制程，在2寸芯片放置槽和4寸芯片放置槽兩側(cè)設(shè)有取片點(diǎn)，解決芯片取放位置不合理的問(wèn)題，可根據(jù)個(gè)人操作習(xí)慣順利將芯片從電極平臺(tái)上取出。

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】

本技術(shù)涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，具體涉及一種LED2、4寸芯片兼容性沉積S12電極平臺(tái)。
技術(shù)介紹
在現(xiàn)代LED芯片生產(chǎn)制造過(guò)程中，芯片在外延生長(zhǎng)后經(jīng)外延前清洗、MESA光刻及光刻后去除光刻膠，然后需進(jìn)行掩膜Si02沉積，后序再經(jīng)一些列化學(xué)、黃光、綜合制程工序處理到ITO前清洗、ITO蒸鍍、ITO光刻、ITO蝕刻去膠、ITO熔合處理后需再次進(jìn)行沉積Si02，而Si02沉積需要使用特殊的設(shè)備一PECVD，而電極平臺(tái)就是沉積Si02必要組件。目前國(guó)內(nèi)外大部分沉積S12電極平臺(tái)設(shè)計(jì)時(shí)沒(méi)考慮芯片兼容性和設(shè)備利用率，在實(shí)際生產(chǎn)過(guò)程中，芯片放置槽種類(lèi)單一且芯片放置槽布局不合理。導(dǎo)致在生產(chǎn)過(guò)程中，不同規(guī)格芯片不便于同時(shí)制程。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
(一)解決的技術(shù)問(wèn)題針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足，本技術(shù)提供了一種LED2、4寸芯片兼容性沉積S1^極平臺(tái)，使得不同規(guī)格芯片可以同時(shí)制程。( 二)技術(shù)方案為實(shí)現(xiàn)以上目的，本技術(shù)通過(guò)以下技術(shù)方案予以實(shí)現(xiàn):一種LED2、4寸芯片兼容性沉積S1^極平臺(tái)，包括腔體、鋁電極圓柱和芯片載放平臺(tái)，其特征在于，所述芯片載放平臺(tái)上設(shè)置有多個(gè)4寸芯片放置槽，所述4寸芯片放置槽內(nèi)設(shè)有多個(gè)2寸芯片放置槽，所述鋁電極圓柱在腔體底部，所述芯片載放平臺(tái)水平放置于鋁電極圓柱上。優(yōu)選的，所述銷(xiāo)電極圓柱高度為40mm。優(yōu)選的，所述4寸芯片放置槽和2寸芯片放置槽的直徑兩端均設(shè)有取片點(diǎn)，所述取片點(diǎn)的圓弧直徑為6_，所述取片點(diǎn)深度為0.45_。優(yōu)選的，所述4寸芯片放置槽直徑為101mm，深度為0.35mm。優(yōu)選的，所述4寸芯片放置槽有13個(gè)。優(yōu)選的，所述2寸芯片放置槽直徑為51mm，深度為0.4mm。優(yōu)選的，所述2寸芯片放置槽有51個(gè)。優(yōu)選的，所述腔體內(nèi)壁直徑為530_。(三)有益效果本技術(shù)提供了一種LED2、4寸芯片兼容性沉積Si02電極平臺(tái)，通過(guò)對(duì)芯片載放平臺(tái)上設(shè)置的4寸芯片放置槽設(shè)重新布局，并在4寸芯片放置槽內(nèi)設(shè)置2寸芯片放置槽，解決了芯片兼容性和設(shè)備利用率的問(wèn)題，使得不同規(guī)格的芯片可以同時(shí)制程，在2寸芯片放置槽和4寸芯片放置槽兩側(cè)設(shè)有取片點(diǎn)，解決芯片取放位置不合理的問(wèn)題，可根據(jù)個(gè)人操作習(xí)慣順利將芯片從電極平臺(tái)上取出。【附圖說(shuō)明】為了更清楚地說(shuō)明本技術(shù)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本技術(shù)的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1為本技術(shù)實(shí)施例改進(jìn)后2、4寸芯片放置槽結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本技術(shù)實(shí)施例改進(jìn)后4寸芯片放置槽結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本技術(shù)實(shí)施例改進(jìn)后2寸芯片放置槽結(jié)構(gòu)示意圖；圖4為本技術(shù)實(shí)施例改進(jìn)后2、4寸芯片放置槽局部結(jié)構(gòu)示意圖；圖5為本技術(shù)實(shí)施例改進(jìn)前4寸芯片放置槽結(jié)構(gòu)示意圖；圖中，1-腔體、2-4寸芯片放置槽、3-2寸芯片放置槽。【具體實(shí)施方式】為使本技術(shù)實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本技術(shù)實(shí)施例中的附圖，對(duì)本技術(shù)實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例是本技術(shù)一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本技術(shù)中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本技術(shù)保護(hù)的范圍。實(shí)施例1:結(jié)合圖2，以4寸芯片為例進(jìn)一步闡述:本技術(shù)實(shí)施例提供一種LED2、4寸芯片兼容性沉積Si02i極平臺(tái)，包括腔體、鋁電極圓柱和芯片載放平臺(tái)，所述腔體內(nèi)壁直徑為530_，所述鋁電極圓柱在腔體底部，所述鋁電極圓柱高度為40mm，所述芯片載放平臺(tái)水平放置于鋁電極圓柱上，所述芯片載放平臺(tái)上有4寸芯片放置槽和2寸芯片放置槽，所述4寸芯片放置槽內(nèi)設(shè)置有2寸芯片放置槽，生產(chǎn)過(guò)程中，2寸芯片和4寸芯片可以同時(shí)制程。根據(jù)個(gè)人操作習(xí)慣，所述2寸芯片放置槽和4寸芯片放置槽直徑兩端均設(shè)有取片點(diǎn)，所述取片點(diǎn)為直徑6mm的圓弧且深度為0.45mm，操作人員可根據(jù)習(xí)慣使用左手或者右手取放芯片；所述4寸芯片放置槽直徑為101mm，深度為0.35mm，所述4寸芯片放置槽有13個(gè)，且10個(gè)為環(huán)形排列在腔體內(nèi)側(cè)；所述2寸芯片放置槽直徑為51mm，深度為0.4mm，2寸芯片放置槽有51個(gè)。使用時(shí)，選取13塊4寸芯片，在腔體內(nèi)壁周?chē)胖?0塊4寸芯片與4寸芯片放置槽內(nèi)，剩余三塊4寸芯片放置于剩余的成三角形分布的4寸芯片放置槽。實(shí)施例2:結(jié)合圖3，以2寸芯片為例進(jìn)一步闡述:本技術(shù)實(shí)施例提供一種LED2、4寸芯片兼容性沉積Si02i極平臺(tái)，包括腔體、鋁電極圓柱和芯片載放平臺(tái)，所述腔體內(nèi)壁直徑為530_，所述鋁電極圓柱在腔體底部，所述鋁電極圓柱高度為40mm，所述芯片載放平臺(tái)水平放置于鋁電極圓柱上，所述芯片載放平臺(tái)上有4寸芯片放置槽和2寸芯片放置槽，所述4寸芯片放置槽內(nèi)設(shè)置有2寸芯片放置槽，生產(chǎn)過(guò)程中，2寸芯片和4寸芯片可以同時(shí)制程。根據(jù)個(gè)人操作習(xí)慣，所述2寸芯片放置槽和4寸芯片放置槽直徑兩端均設(shè)有取片點(diǎn)，所述取片點(diǎn)為直徑6mm的圓弧且深度為0.45mm，操作人員可根據(jù)習(xí)慣使用左手或者右手取放芯片；所述4寸芯片放置槽直徑為101mm，深度為0.35mm，所述4寸芯片放置槽有13個(gè)，且10個(gè)為環(huán)形排列在腔體內(nèi)側(cè)；所述2寸芯片放置槽直徑為51mm，深度為0.4mm，2寸芯片放置槽有51個(gè)。使用時(shí)，選取51塊2寸芯片，在腔體內(nèi)壁周?chē)胖?3塊2寸芯片與2寸芯片放置槽，沿著以放置的2寸芯片向內(nèi)放置16塊2寸芯片與2寸芯片放置槽，剩余12塊2寸芯片放置在剩余的2寸芯片放置槽內(nèi)。實(shí)施例3:結(jié)合圖1，以2寸芯片和4寸芯片為例進(jìn)一步闡述:本技術(shù)實(shí)施例提供一種LED2、4寸芯片兼容性沉積Si02i極平臺(tái)，包括腔體、鋁電極圓柱和芯片載放平臺(tái)，所述腔體內(nèi)壁直徑為530_，所述鋁電極圓柱在腔體底部，所述鋁電極圓柱高度為40mm，所述芯片載放平臺(tái)水平放置于鋁電極圓柱上，所述芯片載放平臺(tái)上有4寸芯片放置槽和2寸芯片放置槽，所述4寸芯片放置槽內(nèi)設(shè)置有2寸芯片放置槽，生產(chǎn)過(guò)程中，2寸芯片和4寸芯片可以同時(shí)制程。根據(jù)個(gè)人操作習(xí)慣，所述2寸芯片放置槽和4寸芯片放置槽直徑兩端均設(shè)有取片點(diǎn)，所述取片點(diǎn)為直徑6mm的圓弧且深度為0.45mm，操作人員可根據(jù)習(xí)慣使用左手或者右手取放芯片；所述4寸芯片放置槽直徑為101mm，深度為0.35mm，所述4寸芯片放置槽有13個(gè)，且10個(gè)為環(huán)形排列在腔體內(nèi)側(cè)；所述2寸芯片放置槽直徑為51mm，深度為0.4mm，2寸芯片放置槽有51個(gè)。使用時(shí)，可選取3塊4寸芯片放置于成三角形分布的4寸芯片放置槽，選取39塊2寸芯片放置于與已放置的4寸芯片放置槽不相重疊的2寸芯片放置槽內(nèi)。綜上，本技術(shù)實(shí)施例具有以下有益效果:本技術(shù)實(shí)施例提供了一種LED2、4寸芯片兼容性沉積Si02電極平臺(tái)，通過(guò)對(duì)芯片載放平臺(tái)上設(shè)置的4寸芯片放置槽設(shè)重新布局，并在4寸芯片放置槽內(nèi)設(shè)置2寸芯片放置槽，解決了芯片兼容性和設(shè)備利用率的問(wèn)題，使得不同規(guī)格的芯片可以同時(shí)制程，在2寸芯片放置槽和4寸芯片放置槽兩側(cè)設(shè)有取片點(diǎn)，解決芯片取放位置不合理的問(wèn)題，可根據(jù)個(gè)人操作習(xí)慣順利將芯片從電極平臺(tái)上取出。需要說(shuō)明本文檔來(lái)自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種LED2、4寸芯片兼容性沉積SiO2電極平臺(tái)，包括腔體、鋁電極圓柱和芯片載放平臺(tái)，其特征在于，所述芯片載放平臺(tái)上設(shè)置有多個(gè)4寸芯片放置槽，所述4寸芯片放置槽內(nèi)設(shè)有多個(gè)2寸芯片放置槽，所述鋁電極圓柱在腔體底部，所述芯片載放平臺(tái)水平放置于鋁電極圓柱上。

【技術(shù)特征摘要】

【專(zhuān)利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：丁維才，高學(xué)生，王濤，王雷，
申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人：合肥彩虹藍(lán)光科技有限公司，
類(lèi)型：新型
國(guó)別省市：安徽;34