有機電致發光器件及其制備方法技術

一種有機電致發光器件，包括具有陽極圖案的導電基板、發光層、陰極層及封裝蓋，其中，發光層及陰極層依次層疊于導電基板上，封裝蓋設置于導電基板上，并與導電基板相配合形成一個封閉的收容腔，發光層與陰極層收容于收容腔內，封裝蓋包括無機阻擋層及層疊于無機阻擋層的外表面上的有機阻擋層，無機阻擋層的材料為碘摻雜的氧化物，其中，碘為摻雜元素，碘與氧化物的質量比為15:100～35:100，氧化物為氧化硼、氧化鋁、氧化鎵、氧化銦及氧化鉈中的一種，有機阻擋層的材料具有如下結構式：其中，k是1～4的整數。上述有機電致發光器件具有較長壽命。此外，還提供一種有機電致發光器件的制備方法。

【技術實現步驟摘要】

本專利技術涉及有機電發光領域，特別涉及一種。
技術介紹
有機電致發光器件（0LED)是基于有機材料的一種電流型半導體發光器件。其典 型結構是在IT0玻璃上制作一層幾十納米厚的有機發光材料作發光層，發光層上方有一層 低功函數的金屬電極。當電極上加有電壓時，發光層就產生光福射。 0LED器件具有主動發光、發光效率高、功耗低、輕、薄、無視角限制等優點，被業內 人士認為是最有可能在未來的照明和顯示器件市場上占據霸主地位的新一代器件。作為一 項嶄新的照明和顯示技術，0LED技術在過去的十多年里發展迅猛，取得了巨大的成就。由 于全球越來越多的照明和顯示廠家紛紛投入研發，大大的推動了 0LED的產業化進程，使得 0LED產業的成長速度驚人，目前已經到達了大規模量產的前夜。 柔性產品是有機電致發光器件的發展趨勢，但目前的有機電致發光器件普遍存在 密封性較差的問題，而導致有機電致發光器件的壽命較短。
技術實現思路
鑒于此，有必要提供一種壽命較長的。 -種有機電致發光器件，包括具有陽極圖案的導電基板、發光層、陰極層及封裝 蓋，其中，所述發光層及陰極層依次層疊于所述導電基板上，所述封裝蓋設置于所述導電基 板上，并與所述導電基板相配合形成一個封閉的收容腔，所述發光層與所述陰極層收容于 所述收容腔內，所述封裝蓋包括無機阻擋層及層疊于所述無機阻擋層的外表面上的有機阻 擋層，所述無機阻擋層的材料為碘摻雜的氧化物，其中，碘為摻雜元素，所述碘與所述氧化 物的質量比為15:100~35:100,所述氧化物為氧化硼、氧化鋁、氧化鎵、氧化銦及氧化鉈中 的一種，所述有機阻擋層的材料具有如下結構式：其中,k是1~4的整數。 在其中一個實施例中，所述無機阻擋層和所述有機阻擋層分別為4~6層，且所述 無機阻擋層和所述有機阻擋層交替層疊。 在其中一個實施例中，所述無機阻擋層的厚度為15納米~20納米。 在其中一個實施例中，所述有機阻擋層的厚度為200納米~300納米。 在其中一個實施例中，還包括收容于所述收容腔內的空穴注入層、空穴傳輸層、電 子傳輸層及電子注入層，其中，所述空穴注入層層疊于所述導電基板上，所述空穴傳輸層層 疊于所述空穴注入層上，所述電子傳輸層層疊于所述發光層上，所述電子注入層層疊于所 述電子傳輸層上，所述陰極層層疊于所述電子注入層上。 一種有機電致發光器件的制備方法，包括如下步驟： 在具有陽極圖案的導電基板上真空蒸鍍制備形成發光層； 在所述發光層上真空蒸鍍制備形成陰極層；及 在所述導電基板上制備形成封裝蓋，且所述封裝蓋與所述導電基板相配合形成一 個封閉的收容腔，所述發光層與所述陰極層收容于所述收容腔內，其中，所述封裝蓋包括無 機阻擋層及層疊于所述無機阻擋層的外表面上的有機阻擋層，所述無機阻擋層由原子沉積 制備形成，所述有機阻擋層由磁控濺射制備形成，所述無機阻擋層的材料為碘摻雜的氧化 物，其中，碘為摻雜元素，所述碘與所述氧化物的質量比為15:100~35:100,所述氧化物為 氧化硼、氧化鋁、氧化鎵、氧化銦及氧化鉈中的一種，所述有機阻擋層的材料具有如下結構 式：其中，k是1~4的整數。 在其中一個實施例中，所述無機阻擋層和所述有機阻擋層分別為4層~6層，且所 述無機阻擋層和所述有機阻擋層交替層疊。 在其中一個實施例中，所述無機阻擋層的制備步驟為：在工作壓強為10Pa~ 50Pa、溫度為40°C~60°C的條件下，依次注入10ms~20ms三碘甲基物、5s~10s的氮氣及 10ms~20ms的水蒸氣；其中，三碘甲基物、氮氣和水蒸氣的流量均為lOsccm~20sccm，三 碘甲基物選自B(CH2I)3、A1 (CH2I)3、Ga(CH2I)3、In(CH2I)3 及T1 (CH2I)3 中的一種。 在其中一個實施例中，所述磁控濺射制備形成所述有機阻擋層的工藝參數為：本 底真空度1Xl(T5Pa~1Xl(T3Pa，加速電壓為300V~800V，磁場為50G~200G，功率密度 為10W/cm2 ~40W/cm2。 在其中一個實施例中，在所述具有陽極圖案的導電基板上制備形成所述發光層之 前，還包括在所述導電基板上制備形成空穴注入層，在所述空穴注入層上制備形成空穴傳 輸層，所述發光層形成于所述空穴傳輸層上； 在所述發光層上制備形成所述陰極層之前，還包括在所述發光層上制備形成電 子注入層，在所述電子注入層上制備形成電子注入層，所述陰極層形成于所述電子注入層 上； 所述空穴注入層、空穴傳輸層、電子傳輸層及電子注入層收容于所述收容腔內。 上述有機電致發光器件的封裝蓋包括無機阻擋層和層疊在無機阻擋層的外表 面上的有機阻擋層，且無機阻擋層的材料為碘摻雜的氧化物，且碘與氧化物的質量比為 15:100~35:100,氧化物為氧化硼、氧化錯、氧化鎵、氧化銦及氧化銘中的一種，有機阻擋 層的材料為鎵的直鏈烷或鈹的直鏈烷，上述材料的無機阻擋層和有機阻擋層能夠有效地減 少外部水、氧等活性物質對有機電致發光器件的內部的結構的侵蝕，從而有效地保護了有 機電致發光器件的內部材料及電極，使得有機電致發光器件具有很好的密封性能，從而顯 著地提高了有機電致發光器件的壽命，且上述有機電致發光器件的壽命達到10700小時以 上（T70@1000cd/m2)。【附圖說明】 圖1為一實施方式的有機電致發光器件的結構示意圖； 圖2為一實施方式的有機電致發光器件的制備方法的流程圖。【具體實施方式】 下面主要結合附圖及具體實施例對作進一步詳 細的說明。 如圖1所不，一實施方式的有機電致發光器件100,包括具有陽極圖案的導電基板 110、發光層120、陰極層130及封裝蓋140。 其中，導電基板110的材質為導電玻璃或導電有機薄膜。導電玻璃可以為銦錫氧 化物玻璃（IT0)、摻鋁的氧化鋅玻璃（AZ0)及摻銦的氧化鋅玻璃（IZ0)中的一種；更優選為 銦錫氧化物玻璃（IT0)。導電有機薄膜可以為銦錫氧化物薄膜（IT0)、摻鋁的氧化鋅薄膜 (AZ0)及摻銦的氧化鋅薄膜（IZ0)中的一種；更優選為銦錫氧化物薄膜（IT0)。 其中，發光層120的材料可以為本領域常用的發光材料。在具體的實施例中，發光 層120的材料為三（2-苯基吡啶）合銥（Ir(ppy)3)摻雜的1，3,5_三（1-苯基-1H-苯并咪 唑-2-基）苯（TPBI)，且三（2-苯基吡啶）合銥（Ir(ppy)3)與1，3,5_三（1-苯基-1H-苯 并咪唑-2-基）苯（TPBI)的質量比為1:20。其中，發光層120的厚度為20納米。 其中，陰極層130的材料可以為金屬材料。在具體的實施例中，陰極層130的材料 為鋁。陰極層130的厚度為100納米。 封裝蓋140設置于導電基板110上，并與導電基板110相配合形成一個封閉的收 容腔200。發光層120與陰極層130收容于收容腔200內。封裝蓋140包括無機阻擋層142 及層疊于無機阻擋層142的外表面上的有機阻擋層144。設置無機阻擋層142和有機阻擋 層144是利用無機阻擋層142的阻隔性能和有機阻擋層144的應力緩沖作用。無機阻擋 層142的材料為碘摻雜的氧化物，其中，碘為摻雜元素，且碘與氧化物的質量比為15:100~ 35:100,氧化物為氧化硼、氧化鋁、氧化鎵、氧本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種有機電致發光器件，其特征在于，包括具有陽極圖案的導電基板、發光層、陰極層及封裝蓋，其中，所述發光層及陰極層依次層疊于所述導電基板上，所述封裝蓋設置于所述導電基板上，并與所述導電基板相配合形成一個封閉的收容腔，所述發光層與所述陰極層收容于所述收容腔內，所述封裝蓋包括無機阻擋層及層疊于所述無機阻擋層的外表面上的有機阻擋層，所述無機阻擋層的材料為碘摻雜的氧化物，其中，碘為摻雜元素，所述碘與所述氧化物的質量比為15:100～35:100，所述氧化物為氧化硼、氧化鋁、氧化鎵、氧化銦及氧化鉈中的一種，所述有機阻擋層的材料具有如下結構式：其中，k是1～4的整數。

【技術特征摘要】

【專利技術屬性】
技術研發人員：周明杰，鐘鐵濤，王平，陳吉星，
申請(專利權)人：海洋王照明科技股份有限公司，深圳市海洋王照明技術有限公司，深圳市海洋王照明工程有限公司，
類型：發明
國別省市：廣東;44