改善深溝槽化學機械研磨均一性的方法技術

本發明專利技術公開了一種改善深溝槽化學機械研磨均一性的方法，包括：1）在硅基板上沉積一層氧化膜；2）在氧化膜表面上，沉積一層犧牲層，其中，犧牲層的材質為氮化膜或氮氧化膜；3）深溝槽的光刻和刻蝕；4）采用濕法刻蝕，對犧牲層進行橫向刻蝕；5）深溝槽內進行選擇性外延層生長；6）濕法刻蝕去除犧牲層；7）以氧化膜作為停止層，進行化學機械研磨。本發明專利技術能解決當p型和n型半導體柱pitch減小時，高出停止層表面的過生長的外延層容易連接起來而對后續化學機械研磨工藝產生負載效應，從而避免負載效應產生的殘留。

【技術實現步驟摘要】

【技術保護點】
一種改善深溝槽化學機械研磨均一性的方法，其特征在于，包括步驟：1）在硅基板上沉積一層氧化膜；2）在氧化膜表面上，沉積一層犧牲層，其中，犧牲層的材質為氮化膜或氮氧化膜；3）在犧牲層上淀積光刻膠，顯影，刻蝕犧牲層、氧化膜和硅基板，形成深溝槽；4）采用濕法刻蝕，對犧牲層進行橫向刻蝕；5）深溝槽內進行選擇性外延層生長；6）濕法刻蝕去除犧牲層；7）以氧化膜作為停止層，進行化學機械研磨。

【技術特征摘要】

【專利技術屬性】
技術研發人員：程曉華，錢志剛，
申請(專利權)人：上海華虹宏力半導體制造有限公司，
類型：發明
國別省市：上海;31