本實用新型專利技術涉及內穿式渦流無損檢測技術領域，具體公開了一種非鐵磁性薄壁管缺陷檢測的內穿式巨磁阻陣列探頭。一種非鐵磁性薄壁管缺陷檢測的內穿式巨磁阻陣列探頭，該探頭包括設置在探頭骨架上的激勵線圈和巨磁阻傳感器，其中，巨磁阻傳感器位于激勵線圈的中心。本實用新型專利技術所述的一種非鐵磁性薄壁管缺陷檢測的內穿式巨磁阻陣列探頭，用于薄管壁的渦流檢測，該探頭不僅提高陣列探頭對于非鐵磁性小管徑管道的缺陷的檢測靈敏度，擴展探頭對于缺陷尺度的檢測范圍；而且提高陣列探頭的抗干擾能力，延長探頭的使用周期。（*該技術在2024年保護過期，可自由使用*）
【技術實現步驟摘要】
本技術屬于內穿式渦流無損檢測
，具體涉及一種非鐵磁性薄壁管缺陷檢測的內穿式巨磁阻陣列探頭。
技術介紹
核電站系統中，存在大量的熱交換器，在制造和運行的過程中，由于結構、傳熱管材料、管件規格以及運行工況的差異，往往產生各種類型的缺陷。渦流檢測是核電站在役熱交換器傳熱管檢查中應用最為廣泛的一種無損檢測方法。傳統上采用內穿軸繞式線圈(Bobbin)探頭進行檢測，對其內外壁缺陷有很高的靈敏度，能夠及時準確地發現缺陷。但是對于支撐板和管板區，尤其是后者，結構信號復雜，存在脹管過渡段以及脹管不均勻等情況，使得電磁感應在此區域出現“畸變”，如缺陷在這一區域出現，容易漏檢，從而出現檢測“盲區”。針對這一情況，國內外在蒸發器渦流檢測中開始使用新技術，即陣列探頭技術進行檢測。該方法既有Bobbin探頭的檢測效率，又有MRPC (機械旋轉)探頭的缺陷定性能力?，F階段運用于工程實際的渦流陣列探頭，主要有兩種結構，一種是繞線式線圈渦流陣列探頭，它是采用在探頭骨架上直接放置兩排或三排的小扁平線圈組，每排之間間隔一段距離，每排線圈之間是交叉排列，另一種是柔性印制電路板(PCB)陣列探頭，該種探頭，是在柔性基底上，通過與PCB相似的工藝過程，蝕刻出設計的陣列結構，再與探頭骨架配合，將結合處進行封合。以上兩種探頭在實際的應用過程中，能保證檢測效率和靈敏度，但是也存在一些問題，如，管道內探頭的來回運動，容易使得扁平線圈單元的壞損，從而導致陣列探頭的報廢；對于微小裂紋的敏感度還是有待改進；探頭抗干擾的能力不強等。針對這些問題，本專利提出了基于巨磁阻技術的渦流陣列探頭的研制。巨磁阻傳感器芯片主要是利用具有巨磁阻效應的磁性納米金屬多層薄膜材料通過半導體集成工藝與集成電路相兼容的一類元器件。因此可以將傳感器芯片的體積做得很小。巨磁阻傳感器芯片將四個巨磁電阻構成惠斯登電橋結構。該結構可以減少外界環境對傳感器輸出穩定性的影響，增加傳感器靈敏度。傳統的基于感應線圈的渦流檢測常應用于高頻檢測，而對低頻部分的靈敏度較低，而巨磁阻傳感器頻率范圍很寬(O?IMHz)。巨磁阻傳感器的體積通常很小，并將輸出電路集成在傳感器芯片上，使其比傳統的感應線圈式探頭有更好的抗干擾能力，加之其集成芯片的特質，較之線圈陣列的探頭的實用壽命更長。
技術實現思路
本技術的目的在于提供一種非鐵磁性薄壁管缺陷檢測的內穿式巨磁阻陣列探頭，解決現有渦流陣列探頭報廢率高，微小缺陷檢測靈敏度不高，抗干擾能力弱的問題。本技術的技術方案如下:一種非鐵磁性薄壁管缺陷檢測的內穿式巨磁阻陣列探頭，該探頭包括設置在探頭骨架上的激勵線圈和巨磁阻傳感器，其中，巨磁阻傳感器位于激勵線圈的中心。所述的探頭骨架上沿周向分布有若干個激勵線圈。所述的探頭骨架上沿周向均勻分布有4?N(N彡4)個激勵線圈。所述的激勵線圈為平置的扁平空心線圈。本技術的顯著效果在于:本技術所述的一種非鐵磁性薄壁管缺陷檢測的內穿式巨磁阻陣列探頭，用于薄管壁的渦流檢測，該探頭不僅提高陣列探頭對于非鐵磁性小管徑管道的缺陷的檢測靈敏度，擴展探頭對于缺陷尺度的檢測范圍；而且提高陣列探頭的抗干擾能力，延長探頭的使用周期。【附圖說明】圖1為本技術所述的一種非鐵磁性薄壁管缺陷檢測的內穿式巨磁阻陣列探頭不意圖；圖2為圖1中陣列探頭周向排布示意圖；圖中:1、激勵線圈；2、巨磁阻傳感器；3、探頭骨架?！揪唧w實施方式】下面結合附圖及具體實施例對本技術作進一步詳細說明。如圖1、圖2所示，一種非鐵磁性薄壁管缺陷檢測的內穿式巨磁阻陣列探頭，包括在探頭骨架3上設置的激勵線圈I和巨磁阻傳感器2，其中，在探頭骨架3上沿周向安裝有若干個激勵線圈1，且在每個激勵線圈I中心區域安裝有巨磁阻傳感器2，其中，激勵線圈I采用平置的扁平空心線圈；例如，在探頭骨架3中沿周向均勻布置有4?N(N> 4)個扁平空心線圈，并在每個扁平空心線圈中心位置安裝有巨磁阻傳感器。【主權項】1.一種非鐵磁性薄壁管缺陷檢測的內穿式巨磁阻陣列探頭，其特征在于:該探頭包括設置在探頭骨架(3)上的激勵線圈(I)和巨磁阻傳感器(2)，其中，巨磁阻傳感器(2)位于激勵線圈(I)的中心。2.根據權利要求1所述的一種非鐵磁性薄壁管缺陷檢測的內穿式巨磁阻陣列探頭，其特征在于:所述的探頭骨架(3)上沿周向分布有若干個激勵線圈(I)。3.根據權利要求2所述的一種非鐵磁性薄壁管缺陷檢測的內穿式巨磁阻陣列探頭，其特征在于:所述的探頭骨架(3)上沿周向均勻分布有4?N(N多4)個激勵線圈(I)。4.根據權利要求1?3任意所述的一種非鐵磁性薄壁管缺陷檢測的內穿式巨磁阻陣列探頭，其特征在于:所述的激勵線圈(I)為平置的扁平空心線圈?！緦＠勘炯夹g涉及內穿式渦流無損檢測
，具體公開了一種非鐵磁性薄壁管缺陷檢測的內穿式巨磁阻陣列探頭。一種非鐵磁性薄壁管缺陷檢測的內穿式巨磁阻陣列探頭，該探頭包括設置在探頭骨架上的激勵線圈和巨磁阻傳感器，其中，巨磁阻傳感器位于激勵線圈的中心。本技術所述的一種非鐵磁性薄壁管缺陷檢測的內穿式巨磁阻陣列探頭，用于薄管壁的渦流檢測，該探頭不僅提高陣列探頭對于非鐵磁性小管徑管道的缺陷的檢測靈敏度，擴展探頭對于缺陷尺度的檢測范圍；而且提高陣列探頭的抗干擾能力，延長探頭的使用周期?！綢PC分類】G01N27-90【公開號】CN204302229【申請號】CN201420865494【專利技術人】祁攀, 邵文斌, 崔洪巖, 廖述圣 【申請人】中核武漢核電運行技術股份有限公司, 核動力運行研究所【公開日】2015年4月29日【申請日】2014年12月30日本文檔來自技高網...
【技術保護點】
一種非鐵磁性薄壁管缺陷檢測的內穿式巨磁阻陣列探頭，其特征在于：該探頭包括設置在探頭骨架(3)上的激勵線圈(1)和巨磁阻傳感器(2)，其中，巨磁阻傳感器(2)位于激勵線圈(1)的中心。
【技術特征摘要】
【專利技術屬性】
技術研發人員：祁攀，邵文斌，崔洪巖，廖述圣，
申請(專利權)人：中核武漢核電運行技術股份有限公司，核動力運行研究所，
類型：新型
國別省市：湖北;42
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