一種腔室制造技術

本發明專利技術提供一種腔室，所述腔室內部設置有噴淋件，所述噴淋件上設置有貫穿所述噴淋件的噴淋孔，所述噴淋件包括第一噴淋件和第二噴淋件，所述第一噴淋件上設置有多個第一通孔，所述第二噴淋件上設置有多個第二通孔，所述第一噴淋件和所述第二噴淋件上下重疊使所述第一通孔和所述第二通孔連通以形成所述噴淋孔。與現有技術相比，本發明專利技術可以較為簡便地加工第一噴淋件和第二噴淋件，顯著簡化了加工復雜度。同時，本發明專利技術能夠通過調整第一噴淋件和第二噴淋件的相對位置以調節噴淋孔的面積和孔徑，能夠便捷地實現更多的工藝需求。

【技術實現步驟摘要】

本專利技術涉及半導體設備制造領域，尤其涉及一種腔室。
技術介紹
在半導體生產工藝中，對晶圓進行氣相沉積之前，需要對晶圓進行預清洗，以去除晶圓表面的雜質，這一操作通常在預清洗腔室中完成。現有的預清洗方法通常是將氣體(如氬氣、氦氣、氫氣等)激發為等離子體后，利用等離子體轟擊晶圓，以去除晶圓表面的雜質。現有的預清洗腔室的結構如圖1所示。腔室I的頂部設置有拱形頂蓋2，且拱形頂蓋2上設置有線圈3，射頻電源5通過射頻匹配器4將射頻功率加至線圈3上，以將腔室中的氣體激發為等離子體，同時，射頻電源8通過射頻匹配器7將射頻功率加至基座6上，以在基座6上產生射頻自偏壓，以吸引等離子體來轟擊基座6上的晶圓，然而，等離子體中的離子在轟擊晶圓時較容易進入介電常數較低的材料中，可能會造成晶圓上部分材料的劣化，因此，為了避免等離子體中的離子參與清洗過程，在腔室I的內壁上部設置有噴淋件9，該噴淋件9的結構如圖2所示，噴淋件9呈圓盤形，能夠完全覆蓋腔室I的橫截面，且噴淋件9上設置有噴淋孔91，噴淋孔91的孔徑通常為0.2mm?10mm，小于等離子體穿過其中時所形成的等離子體鞘層的厚度，因此，使得等離子體中的離子受等離子體鞘層的作用難以穿過噴淋孔91，而等離子體中的自由基、原子和分子能夠順利穿過噴淋孔91。該現有的噴淋件需要在其上加工非常多的噴淋孔，加工難度大，而且，如果需要更改噴淋件的孔隙率或者調節噴淋孔的面積時，則只能重新加工新的噴淋件，造成成本高且加工周期長的問題。
技術實現思路
有鑒于此，本專利技術的目的在于提供一種腔室，以降低噴淋件的加工難度和成本。為實現上述目的，本專利技術提供一種腔室，所述腔室內部設置有噴淋件，所述噴淋件上設置有貫穿所述噴淋件的噴淋孔，所述噴淋件包括第一噴淋件和第二噴淋件，所述第一噴淋件上設置有多個第一通孔，所述第二噴淋件上設置有多個第二通孔，所述第一噴淋件和所述第二噴淋件上下重疊使所述第一通孔和所述第二通孔連通以形成所述噴淋孔。優選地，所述第一噴淋件上設置有第一連接孔，所述第二噴淋件上設置有第二連接孔，所述第一噴淋件和所述第二噴淋件通過所述第一連接孔和第二連接孔上下連接。優選地，所述第一連接孔和所述第二連接孔均為多個，每個所述第一連接孔均能夠與多個所述第二連接孔相匹配，使得所述第一噴淋件和所述第二噴淋件能夠調整相對位置，以調節所述噴淋孔的面積。優選地，所述噴淋件還包括卡合件，所述卡合件設置在所述第一噴淋件和所述第二噴淋件的邊緣，能夠固定所述第一噴淋件和所述第二噴淋件的相對位置。優選地，所述第一通孔和所述第二通孔為矩形通孔。優選地，所述矩形通孔的寬度為0.2mm?7mm。優選地，多個所述第一通孔以預定間距平行地設置在所述第一噴淋件上；和/或多個所述第二通孔以預定間距平行地設置在所述第二噴淋件上。優選地，所述第一噴淋件和所述第二噴淋件由絕緣材料制成。優選地,所述第一噴淋件和第二噴淋件的總厚度為2mm?50_。優選地，所述噴淋孔的孔徑小于10mm。可見，本專利技術所提供的腔室中，噴淋件包括上下重疊的第一噴淋件和第二噴淋件形成，且由第一噴淋件和第二噴淋件上的第一通孔和第二通孔連通后形成噴淋孔。與現有技術相比，本專利技術可以較為簡便地加工第一噴淋件和第二噴淋件，顯著簡化了加工復雜度。同時，本專利技術能夠通過調整第一噴淋件和第二噴淋件的相對位置以調節噴淋孔的面積和孔徑，能夠便捷地實現更多的工藝需求，并且無需重新加工噴淋件，節約了成本。【附圖說明】附圖是用來提供對本專利技術的進一步理解，并且構成說明書的一部分，與下面的【具體實施方式】一起用于解釋本專利技術，但并不構成對本專利技術的限制。在附圖中:圖1為現有的預清洗腔室結構圖；圖2為現有的噴淋件結構圖；圖3為本專利技術所提供的腔室結構示例圖；圖4a為本專利技術所提供的第一噴淋件結構示例圖；圖4b為本專利技術所提供的第二噴淋件結構示例圖；圖4c為本專利技術所提供的第一噴淋件和第二噴淋件上下重疊連接后的俯視示例圖；圖4d為本專利技術所提供的第一噴淋件和第二噴淋件上下重疊連接后的另一俯視示例圖；圖5為本專利技術所提供的卡合件、第一噴淋件和第二噴淋件連接示例圖；圖6為本專利技術所提供的噴淋孔與第一通孔、第二通孔位置示例圖。附圖標記說明1-腔室；2_拱形頂蓋；3-線圈；5、8_射頻電源；4、7_射頻匹配器；6-基座；9、10-噴淋件；91_噴淋孔；11_第一噴淋件；12_第二噴淋件；13_第一通孔；14_第二通孔；15-卡合件。【具體實施方式】以下結合附圖對本專利技術的【具體實施方式】進行詳細說明。應當理解的是，此處所描述的【具體實施方式】僅用于說明和解釋本專利技術，并不用于限制本專利技術。本專利技術提供一種腔室，該腔室內部設置有噴淋件，且該噴淋件上設置有貫穿該噴淋件的噴淋孔，具體地，如圖3至圖5所示，腔室I的頂部設置有拱形頂蓋2，且拱形頂蓋2上設置有線圈3，射頻電源5通過射頻匹配器4將射頻功率加至線圈3上，以將腔室中的氣體激發為等離子體，同時，射頻電源8通過射頻匹配器7將射頻功率加至基座6上，以在基座6上產生射頻自偏壓，以吸引等離子體來轟擊基座6上的晶圓。該腔室I內還設置有噴淋件10，具體地，噴淋件10可以包括第一噴淋件11和第二噴淋件12，第一噴淋件11上可以設置有多個第一通孔13，第二噴淋件12上可以設置有多個第二通孔14，且第一噴淋件11和第二噴淋件12上下重疊以使得第一通孔13和第二通孔14連通以形成噴淋孔。此處的方位詞“上、下”是指圖3中的“上、下”方向。S卩，噴淋件10可以由第一噴淋件11和第二噴淋件12上下重疊后連接形成，且該噴淋件10可以覆蓋腔室I的橫截面，同時，為了能夠形成貫穿噴淋件10的噴淋孔，可以如圖4a和圖4b所示，在第一噴淋件11上設置第一通孔13，在第二噴淋件12上設置第二通孔14，當第一噴淋件11和第二噴淋件12上下重疊后，第一通孔13能夠和第二通孔14連通以形成貫穿噴淋件10的噴淋孔，當等離子體穿過該噴淋孔時，會形成等離子體鞘層，以吸附等離子體中的離子，從而避免離子進入腔室中對晶圓上的材料造成損害。第一噴淋件11和第二噴淋件12可以為圓盤形，也可以根據腔室橫截面形狀加工為其它形狀，本專利技術對此不作限制。與現有技術相比，本專利技術無需在噴淋件上加工數量繁多且尺寸精細的噴淋孔，而可以分別在第一噴淋件和第二噴淋件上加工一定數量的尺寸較大的第一通孔和第二通孔，并可以通過第一噴淋件和第二噴淋件以預定相對角度上下重疊連接后，使第一通孔和第二通孔連通從而形成具有預定尺寸的噴淋孔。可見，本專利技術顯著降低了加工復雜度，節約了成本。更進一步地，第一噴淋件11上設置有第一連接孔，第二噴淋件12上設置有第二連接孔，第一噴淋件11和第二噴淋件12能夠通過第一連接孔和第二連接孔上下連接在一起。具體地，第一連接孔和第二連接孔可以分別設置在可以分別設置在第一噴淋件11和第二噴淋件12的邊緣處，并可以利用緊固件(如螺釘)穿過第一連接孔和第二連接孔后將第一噴淋件11和第二噴淋件12上下連接在一起，這樣，能夠使第一噴淋件11和第二噴淋件12上下重疊后穩定地固定二者的相對位置。更進一步地，上述第一連接孔和上述第二連接孔均可以為多個，且每個第一連接孔均能夠與多個第二連接孔相匹配，使得第一噴淋件11和第二噴淋件12能夠調整相對位置，以調節噴淋孔的面積。本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種腔室，所述腔室內部設置有噴淋件，所述噴淋件上設置有貫穿所述噴淋件的噴淋孔，其特征在于，所述噴淋件包括第一噴淋件和第二噴淋件，所述第一噴淋件上設置有多個第一通孔，所述第二噴淋件上設置有多個第二通孔，所述第一噴淋件和所述第二噴淋件上下重疊使所述第一通孔和所述第二通孔連通以形成所述噴淋孔。

【技術特征摘要】

【專利技術屬性】
技術研發人員：李偉，
申請(專利權)人：北京北方微電子基地設備工藝研究中心有限責任公司，
類型：發明
國別省市：北京;11