本實用新型專利技術(shù)提出了一種反應(yīng)管，用于設(shè)于一硅芯生長爐內(nèi)，該反應(yīng)管為氮化硅管，其包括一管體及設(shè)于該管體頂端的端部，該管體的底部為封閉狀態(tài)，頂部為開口狀態(tài)，所述端部連接設(shè)于管體的頂部，且為漏斗狀結(jié)構(gòu)。本實用新型專利技術(shù)中反應(yīng)管，由于其端部的設(shè)置，所放置的硅料除放滿管體內(nèi)外還設(shè)于端部內(nèi)，硅料于管體內(nèi)熔化成液體而體積變小，該端部內(nèi)的硅料彌補于管體內(nèi)，最終使熔化成液態(tài)的硅料完全處于管體內(nèi)，從而防止管體內(nèi)硅料不足而影響產(chǎn)品的問題。
【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
本技術(shù)涉及一種硅材料制作工業(yè)
，特別是指一種反應(yīng)管及采用該反應(yīng)管的硅芯生長爐。
技術(shù)介紹
多晶硅是制備半導(dǎo)體器件和太陽能電池的原材料，是全球電子工業(yè)及光伏產(chǎn)業(yè)的基石。目前制備多晶硅主要利用化學(xué)氣相沉積技術(shù)，采用反應(yīng)管，將硅芯作為發(fā)熱體及硅的沉積載體，用三氯氫硅作為反應(yīng)氣體，氫氣作還原氣體，待硅芯升高到一定溫度后，三氯氫硅與氫氣在硅芯表面反應(yīng)生成硅并沉積在硅芯表面，最終得到想要的多晶硅。然而，現(xiàn)有的反應(yīng)管通常為一直筒狀的管體，由于硅料熔化后體積會變小，常常使得硅料不足而影響產(chǎn)品質(zhì)量。
技術(shù)實現(xiàn)思路
本技術(shù)提出一種反應(yīng)管及采用該反應(yīng)管的硅芯生長爐，解決了現(xiàn)有技術(shù)中硅料不足的問題。本技術(shù)的技術(shù)方案是這樣實現(xiàn)的:一種反應(yīng)管，用于設(shè)于一硅芯生長爐內(nèi)，該反應(yīng)管為氮化硅管，其包括一管體及設(shè)于該管體頂端的端部，該管體的底部為封閉狀態(tài)，頂部為開口狀態(tài)，所述端部連接設(shè)于管體的頂部，且為漏斗狀結(jié)構(gòu)。優(yōu)選方案為，所述反應(yīng)管內(nèi)還可設(shè)有一層氮化硅涂層。優(yōu)選方案為，所述端部的內(nèi)徑由其頂端向其底端逐漸縮小，且底端的內(nèi)徑與管體的內(nèi)徑相同，所述管體的內(nèi)徑由上向下各處均相等。一種硅芯生長爐，包括底座、設(shè)于該底座上的保溫爐及設(shè)于該保溫爐內(nèi)的反應(yīng)管，該保溫爐上分別設(shè)有進氣口及出氣口，該反應(yīng)管包括一管體及設(shè)于該管體頂端的端部，該管體的底部為封閉狀態(tài)，頂部為開口狀態(tài)，所述端部連接設(shè)于管體的頂部，且為漏斗狀結(jié)構(gòu)。優(yōu)選方案為，所述保溫爐內(nèi)由下向上依次設(shè)有襯板、第一限位板及第二限位板，所述第一限位板與第二限位板上分別對應(yīng)設(shè)有若干限位孔，所述反應(yīng)管依次穿設(shè)于第一限位板與第二限位板的限位孔內(nèi)，并使其底端抵靠于襯板上。優(yōu)選方案為，所述保溫爐內(nèi)壁在豎直方向排列有多個且彼此相互獨立的發(fā)熱體。本技術(shù)的有益效果為:本技術(shù)中的反應(yīng)管，由于其端部的設(shè)置，所放置的硅料除放滿管體內(nèi)外還設(shè)于端部內(nèi)，硅料于管體內(nèi)熔化成液體而體積變小，該端部內(nèi)的硅料彌補于管體內(nèi)，最終使熔化成液態(tài)的硅料完全處于管體內(nèi)，從而防止管體內(nèi)硅料不足而影響產(chǎn)品的問題。【附圖說明】為了更清楚地說明本技術(shù)實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本技術(shù)的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1為本技術(shù)反應(yīng)管的剖視圖；圖2為設(shè)有圖1反應(yīng)管的硅芯生長爐的剖視圖。圖中:10、反應(yīng)管；11、管體；13、端部；110、卡槽；20、硅芯生長爐；21、底座；22、保溫爐；23、襯板；24、第一限位板；25、第二限位板；26、進氣口 ；27、出氣口 ；28、發(fā)熱體；29、限位孔。【具體實施方式】下面將結(jié)合本技術(shù)實施例中的附圖，對本技術(shù)實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本技術(shù)一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本技術(shù)中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本技術(shù)保護的范圍。如圖1所示，該反應(yīng)管10用于設(shè)于一硅芯生長爐20內(nèi)，包括一管體11及設(shè)于該管體11頂端的端部13。該反應(yīng)管10為氮化硅管。該管體11的橫截面為“U”字形，其底部為封閉狀態(tài)，頂部為開口狀態(tài)。該管體11的內(nèi)徑由上向下各處均相等。該管體11底端的外周面上設(shè)有一卡槽110，用以固定卡設(shè)反應(yīng)管10。該端部13連接設(shè)于管體11的頂部，其為漏斗狀結(jié)構(gòu)，即端部13的內(nèi)徑由其頂端向其底端逐漸縮小，其底端的內(nèi)徑與管體11的內(nèi)徑相同。該反應(yīng)管10內(nèi)還可設(shè)有一層氮化硅涂層，以便于后續(xù)反應(yīng)管10于硅芯的分離。在制備硅芯過程中，需向反應(yīng)管10內(nèi)放置硅料，所放置的硅料除放滿管體11內(nèi)外還設(shè)于端部13內(nèi)，在反應(yīng)管10于硅芯生長爐20內(nèi)反應(yīng)時，硅料于反應(yīng)管10內(nèi)熔化成液體而體積變小，該端部13內(nèi)的硅料彌補于管體11內(nèi)，最終使熔化成液態(tài)的硅料完全處于管體11內(nèi)，從而防止反應(yīng)管10內(nèi)娃料不足而影響產(chǎn)品的問題。如圖2所示，該硅芯生長爐20包括底座21、設(shè)于該底座21上的保溫爐22、設(shè)于該保溫爐22內(nèi)的襯板23、第一限位板24、第二限位板25及設(shè)于第一限位板24與第二限位板25上的反應(yīng)管10。所述保溫爐22為采用保溫層做成中空狀的腔體結(jié)構(gòu)，其頂端設(shè)有一進氣口 26，側(cè)壁于靠近其底端位置設(shè)有一出氣口 27。該保溫爐22的內(nèi)壁在豎直方向設(shè)有多個排列且彼此相互獨立的發(fā)熱體28。所述襯板23水平設(shè)于保溫爐22的底部。所述第一限位板24與第二限位板25相互平行間隔設(shè)于保溫爐22中部，該第一限位板24與第二限位板25的兩側(cè)與保溫爐22的爐體內(nèi)壁相連接，該第一限位板24與第二限位板25上分別對應(yīng)設(shè)有若干限位孔29，所述限位孔29內(nèi)用于固定反應(yīng)管10，使得反應(yīng)管10處于豎直狀態(tài)并使其底部抵靠與襯板23上，也可通過卡槽110卡設(shè)于襯板23內(nèi)。該娃芯生長爐20可一次生產(chǎn)較多數(shù)量的硅芯，從而提高硅芯的制備效率，且硅芯的制備過程簡單，不會造成硅料的浪費。以上所述僅為本技術(shù)的較佳實施例而已，并不用以限制本技術(shù)，凡在本技術(shù)的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應(yīng)包含在本技術(shù)的保護范圍之內(nèi)。【主權(quán)項】1.一種反應(yīng)管，用于設(shè)于一硅芯生長爐內(nèi)，其特征在于:該反應(yīng)管為氮化硅管，其包括一管體及設(shè)于該管體頂端的端部，該管體的底部為封閉狀態(tài)，頂部為開口狀態(tài)，所述端部連接設(shè)于管體的頂部，且為漏斗狀結(jié)構(gòu)。2.如權(quán)利要求1所述的反應(yīng)管，其特征在于:所述反應(yīng)管內(nèi)還可設(shè)有一層氮化硅涂層。3.如權(quán)利要求1所述的反應(yīng)管，其特征在于:所述端部的內(nèi)徑由其頂端向其底端逐漸縮小，且底端的內(nèi)徑與管體的內(nèi)徑相同，所述管體的內(nèi)徑由上向下各處均相等。4.一種硅芯生長爐，包括底座、設(shè)于該底座上的保溫爐及設(shè)于該保溫爐內(nèi)的反應(yīng)管，該保溫爐上分別設(shè)有進氣口及出氣口，其特征在于:該反應(yīng)管為權(quán)利要求1至3中任何一項所述的反應(yīng)管。5.如權(quán)利要求4所述的硅芯生長爐，其特征在于:所述保溫爐內(nèi)由下向上依次設(shè)有襯板、第一限位板及第二限位板，所述第一限位板與第二限位板上分別對應(yīng)設(shè)有若干限位孔，所述反應(yīng)管依次穿設(shè)于第一限位板與第二限位板的限位孔內(nèi)，并使其底端抵靠于襯板上。6.如權(quán)利要求4所述的硅芯生長爐，其特征在于:所述保溫爐內(nèi)壁在豎直方向排列有多個且彼此相互獨立的發(fā)熱體。【專利摘要】本技術(shù)提出了一種反應(yīng)管，用于設(shè)于一硅芯生長爐內(nèi)，該反應(yīng)管為氮化硅管，其包括一管體及設(shè)于該管體頂端的端部，該管體的底部為封閉狀態(tài)，頂部為開口狀態(tài)，所述端部連接設(shè)于管體的頂部，且為漏斗狀結(jié)構(gòu)。本技術(shù)中反應(yīng)管，由于其端部的設(shè)置，所放置的硅料除放滿管體內(nèi)外還設(shè)于端部內(nèi)，硅料于管體內(nèi)熔化成液體而體積變小，該端部內(nèi)的硅料彌補于管體內(nèi)，最終使熔化成液態(tài)的硅料完全處于管體內(nèi)，從而防止管體內(nèi)硅料不足而影響產(chǎn)品的問題。【IPC分類】C30B29/06, C30B28/14【公開號】CN204625833【申請?zhí)枴緾N201520197397【專利技術(shù)人】李剛 【申請人】新德隆特種陶瓷（大連）有限公司【公開日】2015年9月9日【申請日】2015年4月2日本文檔來自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護點】
一種反應(yīng)管，用于設(shè)于一硅芯生長爐內(nèi)，其特征在于：該反應(yīng)管為氮化硅管，其包括一管體及設(shè)于該管體頂端的端部，該管體的底部為封閉狀態(tài)，頂部為開口狀態(tài)，所述端部連接設(shè)于管體的頂部，且為漏斗狀結(jié)構(gòu)。
【技術(shù)特征摘要】
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：李剛，
申請(專利權(quán))人：新德隆特種陶瓷大連有限公司，
類型：新型
國別省市：遼寧;21
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