本發(fā)明專利技術(shù)提供一種芯片線圈組件和用于安裝芯片線圈組件的電路板，該芯片線圈組件包括：包括多個(gè)磁性層并滿足T/W>1.0的主體，其中，T表示所述主體的厚度，W表示所述主體的寬度；位于所述主體內(nèi)部并包括位于所述磁性層上的內(nèi)部線圈圖案的內(nèi)部線圈部分；位于所述主體的至少一個(gè)端面上并連接到所述內(nèi)部線圈部分的外部電極，其中，所述主體的至少一個(gè)邊緣在所述主體的長度、寬度和厚度方向上為圓形，和所述主體的端面的圓形部分在長度方向上的長度為d，滿足d/W≤0.03。本發(fā)明專利技術(shù)可以獲得具有優(yōu)異可靠性的高容量芯片線圈組件。
【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
【專利說明】-種芯片線圈組件和安裝芯片線圈組件的電路板 相關(guān)申請的交叉參考 本申請要求2014年3月10日向韓國知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的申請?zhí)?0-2014-0027555 韓國專利申請的優(yōu)先權(quán)，其公開內(nèi)容并入本申請作為參考。
技術(shù)介紹
本專利技術(shù)涉及一種芯片線圈組件和用于安裝該芯片線圈組件的電路板。 隨著電子產(chǎn)品的微型化、輕薄化和多功能化，芯片組件的微型化也被需要，并且該 樣的電子元件已經(jīng)高度地被集成和高密度地被安裝。為了滿足上述趨勢，在安裝狀態(tài)下的 電子部件之間的空間已經(jīng)顯著下降。[000引 電感器，電子部件，是形成電子電路的有代表性的無源元件。它與電阻和電容器一 起用W消除噪聲。它與利用電磁特性的電容器組合來構(gòu)成放大在特定頻帶的信號(hào)的諧振電 路或?yàn)V波電路等。 在該種情況下，待安裝的電子部件需要能夠被安裝在小區(qū)域，并同時(shí)容許在其中 發(fā)揮其電氣特性。該等同于那些具有較大尺寸的電子部件。為此，最近已經(jīng)制造出了一種 其中的磁性層的厚度減少而堆疊的層的數(shù)量增加的芯片線圈組件。為了實(shí)現(xiàn)高容量的電容，芯片線圈組件的厚度大于寬度，但是，當(dāng)該樣的芯片線圈 組件被安裝在電路板上時(shí)，可能會(huì)傾倒，由此缺陷可能經(jīng)常發(fā)生。 另一方面，在制造芯片線圈組件的過程中，陶瓷體因?yàn)榛ハ嘧矒舨⒈黄茐牡娜笨?缺陷（chipping defect)可能發(fā)生。為了防止上述問題的發(fā)生，將陶瓷體的邊緣和角部 (vertex)拋光的方法已經(jīng)被使用。 然而，在陶瓷體的邊緣和角部被拋光并且拋光過度或不足的情況下，芯片線圈組 件的可靠性可能會(huì)降低。因此，當(dāng)將芯片線圈組件被安裝到電路板上時(shí)，需要在芯片線圈組 件中實(shí)現(xiàn)高電容W及通過防止傾倒缺陷（toppling defects)和缺口缺陷來提高可靠性。 (專利文獻(xiàn)1)韓國專利公開號(hào)10-2012-0089199。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
本專利技術(shù)的一個(gè)方面可W提供一種芯片線圈組件和用于安裝該芯片線圈組件的電 路板。所述芯片線圈組件能夠通過考慮拋光的圓形部分和芯片線圈組件的寬度之間的關(guān)系 來增強(qiáng)安裝性能，所述芯片線圈組件的厚度比其寬度大。 根據(jù)本專利技術(shù)的一個(gè)方面，芯片線圈組件可W包括；通過堆疊多個(gè)磁性層形成并滿 足T/W〉1.0,其中T表示其厚度，W表示其寬度的主體；通過電連接在所述磁性層上形成的內(nèi) 部線圈圖案而在所述主體內(nèi)部形成的內(nèi)部線圈部分；W及所述主體的至少一個(gè)端面上形成 的并連接到所述內(nèi)部線圈部分的外部電極，其中，所述主體的至少一個(gè)邊緣在所述主體的 長度、寬度和厚度方向上為圓形，所述主體的端面的圓形部分在長度方向上的長度為山滿 足 d/W《0. 03。 所述主體可W具有六面體形狀。 所述外部電極可W包括選自銀（Ag)、笛（Pt)、銅（化）和把（Pd)組成的組中的至 少一種。 所述內(nèi)部線圈部分的內(nèi)部線圈圖案可W沿所述主體的厚度方向堆疊。 所述內(nèi)部線圈部分的內(nèi)部線圈圖案可W沿所述主體的寬度方向堆疊。 根據(jù)本專利技術(shù)的另一個(gè)方面，用于安裝芯片線圈組件的電路板可W包括：在其上具 有第一電極焊盤和第二電極焊盤（electrode pads)的印刷電路板和安裝在所述印刷電路 板上的芯片線圈組件，其中，所述芯片線圈組件包括通過堆疊多個(gè)磁性層并且具有至少一 個(gè)在所述主體的長度、寬度和厚度方向上為圓形的邊緣而形成的主體，通過電連接在所述 磁性層上形成的內(nèi)部線圈圖案而在所述主體內(nèi)部形成的內(nèi)部線圈部分，W及形成在所述主 體至少一個(gè)端面上并連接到內(nèi)部線圈部分的外部電極，并且所述主體的端面的圓形部分在 長度方向上的長度為山滿足d/W《0. 03。 所述主體可滿足T/W〉1.0,其中T表示其厚度，W表示其寬度。所述主體可W具有 六面體形狀。 所述外部電極可W包括選自銀（Ag)、笛（Pt)、銅（化）和把（Pd)組成的組中的至 少一種。 所述內(nèi)部線圈部分的內(nèi)部線圈圖案可W沿所述主體的厚度方向堆疊。 所述內(nèi)部線圈部分的內(nèi)部線圈圖案可W沿所述主體的寬度方向堆疊。【附圖說明】 本申請W上所述及其他方面，特征及其他優(yōu)勢結(jié)合W下附圖從下面的詳述中能夠 被更清楚地理解： 圖1是顯示根據(jù)本專利技術(shù)的示例性實(shí)施例的芯片線圈組件的透視圖；圖2是沿著圖1中的線A-A'的芯片線圈組件的剖視圖； 圖3是圖1所示的當(dāng)磁性層沿主體的厚度方向堆疊的芯片線圈組件的分解透視 圖； 圖4是圖1所示的當(dāng)磁性層沿主體的寬度方向堆疊的芯片線圈組件的分解透視 圖； 圖5是位于圖4所示的芯片線圈組件內(nèi)部的內(nèi)部線圈部分的透視圖； 圖6是顯示當(dāng)圖1所示的芯片線圈組件被安裝到印刷電路板上的結(jié)構(gòu)的透視圖。【具體實(shí)施方式】 參考附圖將對本專利技術(shù)的示例性實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)地描述。 然而，本專利技術(shù)可許多不同形式被舉例并且不應(yīng)該被解釋為被限制到在此提出 的具體實(shí)施例中。當(dāng)然，提供的該些實(shí)施例W使本專利技術(shù)徹底和完整，W及向本領(lǐng)域技術(shù)人員 充分的表達(dá)本專利技術(shù)的范圍。 附圖中，為了清楚，零件的形狀和尺寸可能被放大，W及全部使用相同的參考數(shù)字 去命名相同或者相似的零件。 巧片線圈紐件 在下文中，將對根據(jù)本專利技術(shù)的示例性實(shí)施例公開的芯片線圈組件，特別是多層電 感器進(jìn)行描述。然而，本專利技術(shù)不限于此。 圖1是顯示根據(jù)本專利技術(shù)的示例性實(shí)施例的芯片線圈組件的透視圖。 圖2是沿著圖1中的線A-A'的芯片線圈組件的剖視圖。 圖3是圖1所示的當(dāng)磁性層沿主體的厚度方向堆疊的芯片線圈組件的分解透視 圖。[003引參照圖1至圖3,根據(jù)本專利技術(shù)的示例性實(shí)施例的芯片線圈組件可W包括主體110， 內(nèi)部線圈部分120和外部電極130。 參照圖1和圖3,所述主體110可W通過堆疊多個(gè)磁性層形成，并且所述主體110 可W包括可W作為安裝面的底面W及與所述底面相對的頂面。 在燒結(jié)狀態(tài)的多個(gè)磁性層112可W相互結(jié)合起來W使在沒有使用掃描電子顯微 鏡（SEM)的情況下，相鄰的磁性層112之間的邊界不是容易地顯而易見的。 所述多個(gè)磁性層112可W包括眾所周知的鐵氧體，例如Mn-化基鐵氧體，Ni-化基 鐵氧體，Ni-Zn-化基鐵氧體，Mn-Mg基鐵氧體，Ba基鐵氧體，Li基鐵氧體或類似物。 所述主體110的形狀沒有特別地限定。例如，所述主體110可W具有六面體形狀。 同時(shí)，在根據(jù)本專利技術(shù)的示例性實(shí)施例的芯片線圈組件中，"長度方向"指的是圖1的"L"的 方向，"寬度方向"指的是圖1中的"W"方向，W及"厚度方向"指的是圖1中的"T"的方向。 該里，"厚度方向"和所述磁性層112被堆疊的方向相同，即"堆疊的方向"。[004引特別地，所述主體110可滿足T/W〉l. 0。其中，為了獲得高的電容，越來越多的層被 堆疊，所述主體的特征在于所述主體110的厚度T大于其寬度W。 通過形成寬度基本上等于其厚度的主體的普通的芯片線圈組件已經(jīng)被制造。 然而，由于根據(jù)本專利技術(shù)的示例性實(shí)施例的芯片線圈組件的小型化，當(dāng)芯片線圈組 件被安裝在電路板上時(shí)可W確保足夠的空間。因此，為了制造高容量的芯片線圈組件，堆疊 層的數(shù)量可W被增加。 如上所述，隨著堆疊層的數(shù)量增加，由于在所述主體110的堆疊方向?yàn)楹穸确较颍?因此所述主體110的厚度T和寬度W之間的關(guān)系可滿足T/W〉1.0。由于上述結(jié)構(gòu)，根據(jù)本發(fā) 明的示例性實(shí)施例的芯片線圈組件可W獲得大容量。 內(nèi)部線圈部分120可W通過電連接形成在多個(gè)磁性層112上的內(nèi)部線圈圖本文檔來自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種芯片線圈組件，該芯片線圈組件包括：包括多個(gè)磁性層并滿足T/W>1.0的主體，其中，T表示所述主體的厚度，W表示所述主體的寬度；位于所述主體內(nèi)部并包括位于所述磁性層上的內(nèi)部線圈圖案的內(nèi)部線圈部分；位于所述主體的至少一個(gè)端面上并連接到所述內(nèi)部線圈部分的外部電極；其中，所述主體的至少一個(gè)邊緣在所述主體的長度、寬度和厚度方向上為圓形；和所述主體的端面的圓形部分在長度方向上的長度為d，滿足d/W≤0.03。
【技術(shù)特征摘要】
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【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：河永真，
申請(專利權(quán))人：三星電機(jī)株式會(huì)社，
類型：發(fā)明
國別省市：韓國;KR
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