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    一種對(duì)炭黑表面進(jìn)行修飾生產(chǎn)硅醚的方法技術(shù)

    技術(shù)編號(hào):12067716 閱讀:143 留言:0更新日期:2015-09-18 01:51
    本發(fā)明專利技術(shù)公開了一種對(duì)炭黑表面進(jìn)行修飾生產(chǎn)硅醚的方法,制備具有好的穩(wěn)定性和導(dǎo)電性的鋰離子電池導(dǎo)電劑。該方法的步驟包括:將四氫呋喃和炭黑加入到反應(yīng)器中,炭黑與四氫呋喃的質(zhì)量比為1:4.4;在反應(yīng)器中再加入二乙胺和三甲基氯硅烷,三甲基氯硅烷與二乙胺的質(zhì)量比為6:1,反應(yīng)器封口,在磁力攪拌器的轉(zhuǎn)子攪拌下反應(yīng)20-24小時(shí):將反應(yīng)生成物真空抽濾干燥,得到硅醚產(chǎn)品;采用紅外光譜儀對(duì)硅醚產(chǎn)品進(jìn)行檢測(cè)。本發(fā)明專利技術(shù)能夠使炭黑表面羥基與三甲基氯硅烷反應(yīng)形成硅醚,在提高炭黑結(jié)構(gòu)性的同時(shí)也提高了硅原子上的空間位阻。

    【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】

    本專利技術(shù)設(shè)及用炭黑生產(chǎn)娃離的方法,特別是一種對(duì)炭黑表面進(jìn)行修飾生產(chǎn)娃離的 方法。
    技術(shù)介紹
    近年來,面臨石油等不可再生能源的日漸枯竭,清潔能源和可再生能源的研發(fā)與 利用已經(jīng)引起各國的廣泛重視。裡離子電池由于具有工作電壓高,質(zhì)量輕,比能量大,自放 電小,循環(huán)壽命長,無記憶效應(yīng),無環(huán)境污染等突出優(yōu)點(diǎn),成為攝像機(jī)、移動(dòng)電話、筆記本電 腦W及便攜式測(cè)量儀等電子裝置小型輕量化的理想電源,也是未來汽車高能動(dòng)力電池的首 選電源。在裡電池制備過程中,通過添加導(dǎo)電劑來改善電極極板的電子導(dǎo)電性,降低電池內(nèi) 阻、提高裡離子遷移率。故導(dǎo)電劑是裡離子電池陰極中不可缺少的成分,選擇最優(yōu)的導(dǎo)電劑 是保證電池有較高性能的重要因素。其中,炭黑是常用的裡離子電池導(dǎo)電劑,但是炭黑在生 產(chǎn)過程中,表面常形成哲基,駿基等活性含氧官能團(tuán),該些官能團(tuán)的存在影響炭黑的儲(chǔ)裡機(jī) 能。據(jù)報(bào)道,si-0-c材料具有較高的可逆容量和較好的循環(huán)性能。最早將c/si-0-c無定 形材料應(yīng)用于裡離子電池負(fù)極材料的是加拿大化化ousie化iversity的D址n教授。D址n 教授認(rèn)為,C/Si-0-C無定形材料既可W保持Si的高容量,又可W利用碳的延展性保持娃結(jié) 構(gòu)的完整性,從而制備出可逆容量較高、沒有充放電滯后現(xiàn)象的Si/C負(fù)極材料。因此把娃 原子引入炭黑表面,形成Si-0-C無定形材料成為炭黑在電極材料應(yīng)用中的重要課題。 最近,華東理工大學(xué)的李秋影等發(fā)表在《復(fù)合材料》2012年第5期上的文章"炭 黑的表面修飾及其對(duì)炭黑/娃橡膠導(dǎo)熱性能的影響",報(bào)道了用哲基硅油對(duì)炭黑表面進(jìn)行 修飾,在炭黑的表面導(dǎo)入了娃離官能團(tuán)。經(jīng)硅油修飾后的炭黑,除了改善與橡膠之間的相 容性之外,還具有較好的導(dǎo)熱性。該法使用氯化亞諷等反應(yīng)活性強(qiáng)的不穩(wěn)定試劑,同時(shí)用 甲苯抽提等方法對(duì)修飾后的炭黑進(jìn)行精制。另外,南華大學(xué)的張恩賀等發(fā)表在《應(yīng)用化學(xué)》 2014年第1期上的文章"改性炭黑對(duì)復(fù)合材料介電性能的影響"一文,通過硅烷偶聯(lián)劑對(duì)炭 黑進(jìn)行修飾,也在炭黑的表面導(dǎo)入了娃離官能團(tuán),在改善炭黑相容性的同時(shí),提高了其表面 介電常數(shù)。但上述兩種方法在擴(kuò)大娃修飾的有機(jī)娃官能團(tuán)的選擇上存在著一定的局限性, 且-OSi-鍵又存在著空氣中的穩(wěn)定性等問題,影響修飾后炭黑在實(shí)際電極材料生產(chǎn)中的應(yīng) 用。根據(jù)化tega-Vinuesa J提出的空間位阻穩(wěn)定機(jī)理,通過在炭黑粒子上導(dǎo)入帶有空間位 阻的娃原子使得粒子間彼此不能繼續(xù)靠近,從而保持其分散穩(wěn)定性的同時(shí)又能提高修飾后 的-OSi-鍵的空氣中的穩(wěn)定性。因此,通過對(duì)炭黑表面駿基和哲基的娃修飾反應(yīng),可W提高 修飾后炭黑作為電極材料的實(shí)際應(yīng)用性。
    技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
    本專利技術(shù)提供了一種對(duì)炭黑表面進(jìn)行修飾生產(chǎn)娃離的方法,制備具有好的穩(wěn)定性和 導(dǎo)電性的裡離子電池導(dǎo)電劑。 本專利技術(shù)提供的一種對(duì)炭黑表面進(jìn)行修飾生產(chǎn)娃離的方法包括W下步驟: a.常溫下,將磁力攬拌器的轉(zhuǎn)子置入反應(yīng)器中,并打開磁力攬拌器開關(guān); b.將四氨快喃和炭黑加入到反應(yīng)器中,炭黑與與四氨快喃的質(zhì)量比為1 ;4. 4; C.在反應(yīng)器中再加入二己胺和S甲基氯硅烷,S甲基氯硅烷與二己胺的質(zhì)量比為 6 ; 1,反應(yīng)器封口,在磁力攬拌器的轉(zhuǎn)子攬拌下反應(yīng)20-24小時(shí),反應(yīng)式為: d.將反應(yīng)生成物真空抽濾干燥,得到娃離產(chǎn)品; e.采用紅外光譜儀對(duì)娃離產(chǎn)品進(jìn)行檢測(cè),娃離產(chǎn)品在波數(shù)2924和lllOcnTi的特 征峰分別對(duì)應(yīng)于-邸2-和si-0-c的伸縮振動(dòng)峰,表明在改性炭黑表面成功接枝了娃原子。 本專利技術(shù)與現(xiàn)有同類技術(shù)相比,其顯著地有益效果體現(xiàn)在:本專利技術(shù)常溫條件下,采用 有機(jī)化學(xué)反應(yīng)法,將炭黑與=甲基氯硅烷,在四氨快喃溶劑中發(fā)生表面化學(xué)反應(yīng),使炭黑表 面哲基與=甲基氯硅烷反應(yīng)形成娃離,在提高炭黑結(jié)構(gòu)性的同時(shí)也提高了娃原子上的空間 位阻。【附圖說明】 圖1是一種對(duì)炭黑表面進(jìn)行修飾生產(chǎn)娃離的工藝流程圖。 圖2是娃離的紅外光譜表征圖。【具體實(shí)施方式】 下面結(jié)合附圖,W實(shí)驗(yàn)室小型生產(chǎn)為例對(duì)本專利技術(shù)作進(jìn)一步詳細(xì)說明。 如圖1所示,一種對(duì)炭黑表面進(jìn)行修飾生產(chǎn)娃離的方法的步驟如下: a.常溫下,將磁力攬拌器的轉(zhuǎn)子置入錐形瓶中,然后將錐形瓶置于磁力攬拌器上, 并打開攬拌器開關(guān); b.稱量66. 5g四氨快喃加入到錐形瓶中,將15g炭黑(N330)加入到四氨快喃溶液 中;[001引C.在錐形瓶中再加入0.32g二己胺,1.95gS甲基氯硅烷,然后封口,在磁力攬拌 器的轉(zhuǎn)子攬拌下反應(yīng)20-24小時(shí),反應(yīng)式為: d.反應(yīng)生成物經(jīng)真空抽濾干燥,得到娃離產(chǎn)品; e.采用紅外光譜儀對(duì)娃離產(chǎn)品進(jìn)行檢測(cè),如圖2所示,娃離產(chǎn)品在波數(shù)2924和 lllOcnTi的特征峰分別對(duì)應(yīng)于-CH 2-和Si-0-C的伸縮振動(dòng)峰,表明在改性炭黑表面成功接 枝了娃原子。【主權(quán)項(xiàng)】1. ,其特征是該方法包括以下步驟: a. 常溫下,將磁力攪拌器的轉(zhuǎn)子置入反應(yīng)器中,并打開磁力攪拌器開關(guān); b. 將四氫呋喃和炭黑加入到反應(yīng)器中,炭黑與與四氫呋喃的質(zhì)量比為1 :4. 4 ; c. 在反應(yīng)器中再加入二乙胺和三甲基氯硅燒,三甲基氯硅烷與二乙胺的質(zhì)量比為6: 1,反應(yīng)器封口,在磁力攪拌器的轉(zhuǎn)子攪拌下反應(yīng)20-24小時(shí),反應(yīng)式為:d. 將反應(yīng)生成物真空抽濾干燥,得到硅醚產(chǎn)品; e. 采用紅外光譜儀對(duì)硅醚產(chǎn)品進(jìn)行檢測(cè),硅醚產(chǎn)品在波數(shù)2924和lllOcnT1的特征峰 分別對(duì)應(yīng)于-CH2-和Si-0-C的伸縮振動(dòng)峰,表明在改性炭黑表面成功接枝了硅原子。【專利摘要】本專利技術(shù)公開了,制備具有好的穩(wěn)定性和導(dǎo)電性的鋰離子電池導(dǎo)電劑。該方法的步驟包括:將四氫呋喃和炭黑加入到反應(yīng)器中,炭黑與四氫呋喃的質(zhì)量比為1:4.4;在反應(yīng)器中再加入二乙胺和三甲基氯硅烷,三甲基氯硅烷與二乙胺的質(zhì)量比為6:1,反應(yīng)器封口,在磁力攪拌器的轉(zhuǎn)子攪拌下反應(yīng)20-24小時(shí):將反應(yīng)生成物真空抽濾干燥,得到硅醚產(chǎn)品;采用紅外光譜儀對(duì)硅醚產(chǎn)品進(jìn)行檢測(cè)。本專利技術(shù)能夠使炭黑表面羥基與三甲基氯硅烷反應(yīng)形成硅醚,在提高炭黑結(jié)構(gòu)性的同時(shí)也提高了硅原子上的空間位阻。【IPC分類】H01M4/62【公開號(hào)】CN104916845【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510375083【專利技術(shù)人】周衛(wèi)民, 閆強(qiáng), 張健, 徐桂英, 安百鋼, 李勇強(qiáng) 【申請(qǐng)人】遼寧科技大學(xué)【公開日】2015年9月16日【申請(qǐng)日】2015年6月30日本文檔來自技高網(wǎng)
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    【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
    一種對(duì)炭黑表面進(jìn)行修飾生產(chǎn)硅醚的方法,其特征是該方法包括以下步驟:a.常溫下,將磁力攪拌器的轉(zhuǎn)子置入反應(yīng)器中,并打開磁力攪拌器開關(guān);b.將四氫呋喃和炭黑加入到反應(yīng)器中,炭黑與與四氫呋喃的質(zhì)量比為1:4.4;c.在反應(yīng)器中再加入二乙胺和三甲基氯硅烷,三甲基氯硅烷與二乙胺的質(zhì)量比為6:1,反應(yīng)器封口,在磁力攪拌器的轉(zhuǎn)子攪拌下反應(yīng)20?24小時(shí),反應(yīng)式為:d.將反應(yīng)生成物真空抽濾干燥,得到硅醚產(chǎn)品;e.采用紅外光譜儀對(duì)硅醚產(chǎn)品進(jìn)行檢測(cè),硅醚產(chǎn)品在波數(shù)2924和1110cm?1的特征峰分別對(duì)應(yīng)于?CH2?和Si?O?C的伸縮振動(dòng)峰,表明在改性炭黑表面成功接枝了硅原子。

    【技術(shù)特征摘要】

    【專利技術(shù)屬性】
    技術(shù)研發(fā)人員:周衛(wèi)民閆強(qiáng)張健徐桂英安百鋼李勇強(qiáng)
    申請(qǐng)(專利權(quán))人:遼寧科技大學(xué)
    類型:發(fā)明
    國別省市:遼寧;21

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