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    用于在膜上提供微偏差的方法技術(shù)

    技術(shù)編號:12196253 閱讀:122 留言:0更新日期:2015-10-14 03:51
    可揭示了用于形成具有微偏差(52)的真空形成的、有孔膜(50)的系統(tǒng)和方法。例如,可以在具有正偏差的格網(wǎng)(22)和包含具有負(fù)凹陷的表面的輥(32)之間的嚙合點(40)處接收聚合物卷材如熔融聚合物卷材(10)。輥(32)可具有不大于約5.5英寸的直徑。通過以約為1.5-3.5磅/線性英寸(PLI)的壓力,將格網(wǎng)(20)上的正偏差插入輥(32)的表面上的負(fù)凹陷中,在嚙合點(40)處使得微偏差(52)可在例如聚合物卷材的平臺上膨脹。此外,在聚合物卷材(10)中,形成一個或多個與平臺上的微偏差(52)相鄰的孔。

    【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
    【國外來華專利技術(shù)】【專利說明】 相關(guān)申請的交叉參考 本申請要求2012年12月5日提交的美國臨時專利申請第61/733, 815號的優(yōu)先 權(quán),其通過參考結(jié)合入本文。
    技術(shù)介紹
    吸收裝置通常包括面層、流體獲取分布層、吸收芯和背襯層。面層與裝置的使用者 的皮膚接觸,并朝向吸收芯傳輸流體滲出物,所述吸收芯俘獲并儲存所述流體滲出物。背襯 層是最外層,通過防止儲存在芯中的流體泄露或通過來提供抵抗衣物著色或弄臟的流體阻 隔。背襯層和面層都可包含聚合物膜的薄層構(gòu)。歷史上來說,"薄"的范圍通常是小于50微 米但是大于10微米。 由于一次性尿布的出現(xiàn),其中希望無壓皺噪音(crinkling noise)的安靜材料 (quiet material),希望使得用于吸收裝置的任意薄的聚合物膜具有三維形態(tài)。此類三 維突出和/或凹陷式樣通常為膜層提供以下一種或多種屬性:撓曲柔軟度和/或平靜性 (quietness),這是由于降低了對于用于弄皺或彎曲膜的機(jī)械應(yīng)力的抗性的"褶"形態(tài)導(dǎo)致 的;通過使得反射光擴(kuò)散,具有較低的光澤度或缺乏閃光;通過產(chǎn)生所需的指尖"觸"感,具 有觸摸柔軟度或絲狀感,這是源自式樣類型、間距和陣列,具體地是對于觸摸柔軟度而言; 薄化,其實現(xiàn)或允許當(dāng)施加觸摸時的撓性彎曲;發(fā)現(xiàn)對于特定的消費者市場細(xì)分,令人愉快 的花朵或絲帶或其他設(shè)計式樣的美觀外觀等。 此外,可以形成通過面層的一個或多個開口或孔,其可以是真空形成的以允許液 體通過。 不幸的是,當(dāng)真空形成時,可以在用于面層的薄的聚合物膜上賦予或提供的現(xiàn)有 三維形態(tài)可能受限于尺寸(例如,高小于約60 μm),這是由于需要使用高壓力使得卷材變 形,和/或避免用于真空成形的設(shè)備的偏斜和/或變形,和/或避免對通過面層的開口或孔 的形成的破壞。
    技術(shù)實現(xiàn)思路
    提供了用于形成具有微偏差(micro-aberration)(例如,其可以是三維形態(tài))的 真空形成的有孔的膜的系統(tǒng)和方法。例如,在一個實施方式中,可以在具有正偏差的格網(wǎng) (screen)和包含具有負(fù)凹陷的表面的棍之間的嗤合點處接收聚合物卷材(web)如恪融聚 合物卷材。負(fù)凹陷可以在輥的表面中預(yù)先形成。輥可以具有不大于約5. 5英寸的直徑,并 且可以置于真空槽的前緣處。 根據(jù)一個示例性實施方式,可以在嚙合點處,通過將格網(wǎng)上的正偏差插入輥的表 面上的負(fù)凹陷中,使得膜或聚合物卷材位于其間,以使得微偏差在聚合物卷材上(例如,聚 合物的平臺(land)上)膨脹。可以以約為L 5-3. 5鎊/線性英寸(PLI)的壓力,將格網(wǎng)上 的正偏差插入輥的表面上的負(fù)凹陷中(例如,使得膜或聚合物卷材位于其間)。 此外,可以通過如下方式形成通過熔融聚合物卷材的一個或多個孔:傳遞熔融聚 合物卷材,使微偏差超過真空槽的前緣,從而使得真空槽可以通過壓差將部分的聚合物卷 材拉入格網(wǎng)中所包含的一個或多個開口中。在一個示例性實施方式中,可以在與一個或多 個孔相鄰的熔融聚合物卷材的平臺上形成微偏差。 提供本概述是為了以簡化的形式介紹將在以下詳細(xì)描述中進(jìn)一步描述的一些概 念。本概述并不旨在標(biāo)識所要求保護(hù)的主題的關(guān)鍵特征或必要特征,也不旨在用于限制所 要求保護(hù)的主題的范圍。此外,所要求保護(hù)的主題不限于解決本專利技術(shù)的任意部分所記載的 任意或全部缺陷的任意限制。【附圖說明】 通過以下描述,結(jié)合附圖的舉例,可以更詳細(xì)地理解本文所揭示的實施方式。 圖1顯示用于形成具有微偏差的有孔膜的工藝或方法的示例性實施方式。 圖2顯示處于嚙合前位置的示例性現(xiàn)有技術(shù)的沒有負(fù)凹陷的輥的表面或覆蓋以 及具有正偏差的壓紋輥的部分。 圖3顯示處于嚙合位置的示例性現(xiàn)有技術(shù)的沒有負(fù)凹陷的輥的表面或覆蓋以及 具有正偏差的壓紋輥的部分。 圖4顯示處于嚙合前位置的具有負(fù)凹陷的輥的表面或覆蓋以及具有正偏差的格 網(wǎng)的部分的示例性實施方式,所述格網(wǎng)可用于形成具有微偏差的有孔膜。 圖5顯示處于嚙合位置的具有負(fù)凹陷的輥的表面或覆蓋以及具有正偏差的格網(wǎng) 的部分的示例性實施方式,所述格網(wǎng)可用于形成具有微偏差的有孔膜。 圖6顯示在圖1的工藝或方法的嚙合點之后,可以在格網(wǎng)上的接近正偏差的聚合 物卷材或膜層的示例性實施方式。【具體實施方式】 下面參考各附圖詳細(xì)描述示意性實施方式。雖然本說明書提供了可能的實踐方式 的詳細(xì)例子,但是應(yīng)理解的是,這些細(xì)節(jié)旨在是示例性的而不以任意方式限制本申請的范 圍。 揭示了用于使得微偏差在形成的膜面層的平臺上膨脹,從而產(chǎn)生具有平臺上 的微偏差的真空形成的有孔膜的系統(tǒng)、方法或工藝。微偏差是精密標(biāo)度網(wǎng)孔,其具有約 為5500-55000/cm 2的高密度/正方形區(qū)域,在一個示例性實施方式中,大于或等于約 30 μ m(例如,約為30-200 μ m)的平均高度,和/或在另一個示例性實施方式中大于或等于 約65 μm(例如,約為65-200 μm)。微偏差還包括根據(jù)示例性實施方式可以是開放或閉合的 尖端或遠(yuǎn)端。 為了形成該微偏差,提供形成有孔的膜的成形格網(wǎng)的一個或多個平臺上的正偏差 以及嚙合輥上的匹配負(fù)凹陷,并用于使得微偏差式樣膨脹或形成。 已知單步法可用于在膜上形成微偏差。然后可以使用額外的工藝或工藝步驟以繼 續(xù)在膜中形成孔。例如,可以在單個工藝中或者在工藝的單個步驟中,對膜壓紋偏差。在此 類壓紋之后,然后可以在另一個工藝或者工藝的另一個步驟中對膜進(jìn)行再加熱,以形成孔 (例如,可以用釘對具有微偏差的再加熱的膜進(jìn)行打孔)。因而,目前來說,多個工藝或多步 法可用于在聚合物膜中形成微偏差和孔。不幸的是,對膜進(jìn)行再加熱以形成孔傾向于破壞 先前步驟或工藝中形成的微偏差。 例如,采用真空成形在薄的聚合物膜中制造孔的已知方法包括:軟化薄的聚合物 卷材,其與繞著真空槽轉(zhuǎn)動的成形格網(wǎng)接觸,參見例如美國專利第4, 151,240號所述。還已 知這樣一種方法,其中,將熔融卷材引入到繞著真空槽轉(zhuǎn)動的成形格網(wǎng)上(例如,參見美國 專利第4, 456, 570號)所述。不幸的是,由此類方法形成的結(jié)構(gòu)沒有到達(dá)對于微偏差所需 的平均高度(例如,如下表2所示)。 在具有孔的薄的聚合物膜中的微偏差的所需平均高度的例子參見例如美國專利 第4, 629, 643號,其中,采用在軟化的聚合物膜上賦予約400-800psig的液壓成形或高壓水 流,以形成微偏差(還參加,例如美國專利7, 521,588)。 還已知用于形成聚合物膜的改性的是使用捏夾壓紋,例如參見美國專利第 3, 950, 480號以及第5, 229, 186號所述。經(jīng)軟化的薄的聚合物膜通過兩個輥之間,在兩個輥 之間形成捏夾,至少一個輥上的表面設(shè)計被壓紋到軟化的薄的聚合物膜中。捏夾壓紋還依 賴于較高的壓力來提供對于聚合物膜的改性。 不希望受到理論的限制,相信在兩個輥之間以細(xì)網(wǎng)(例如,約為5500-55000/ cm2的密度/正方形區(qū)域)對薄的聚烯烴膜進(jìn)行壓紋使用相對較高的壓力(PLI), 50-500PLI (例如,如同美國專利第3, 950, 480號以及第5, 229, 186號),將輥覆當(dāng)前第1頁1 2 3 4 本文檔來自技高網(wǎng)
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    【技術(shù)保護(hù)點】
    一種用于形成具有微偏差的真空形成的、有孔膜的方法,所述方法包括:在具有正偏差的格網(wǎng)和包含具有負(fù)凹陷的表面的輥之間的嚙合點處接收熔融聚合物卷材;以及通過以不超過約3.5磅/線性英寸(PLI)的壓力,將所述格網(wǎng)上的正偏差插入所述輥的表面上的負(fù)凹陷中,使所述熔融聚合物卷材位于其間,以在所述嚙合點處使得微偏差在所述熔融聚合物卷材的平臺上膨脹。

    【技術(shù)特征摘要】
    【國外來華專利技術(shù)】...

    【專利技術(shù)屬性】
    技術(shù)研發(fā)人員:P·E·托馬斯J·M·邁爾斯
    申請(專利權(quán))人:屈德加薄膜產(chǎn)品股份有限公司
    類型:發(fā)明
    國別省市:美國;US

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