一種主動發(fā)光顯示器件像素電路及其驅(qū)動方法技術(shù)

本發(fā)明專利技術(shù)公開了一種主動發(fā)光顯示器件像素電路及其驅(qū)動方法，至少包括狀態(tài)寫入晶體管，狀態(tài)存儲電容，驅(qū)動晶體管，發(fā)光器件，狀態(tài)存儲電容Cs的一端通過第一晶體管T3與第一電壓信號相連接、通過第二晶體管T2與第二電壓信號相連接，使得狀態(tài)存儲電容Cs的狀態(tài)更新時，狀態(tài)存儲電容Cs的一端因T2的打開而寫入第二電壓信號，狀態(tài)存儲電容Cs的狀態(tài)保持時，使得狀態(tài)存儲電容Cs的另一端因T3的打開而寫入第一電壓信號；利用T3和T2的開關(guān)作用，對第一電壓信號在顯示區(qū)域因走線衰減產(chǎn)生的電壓降進(jìn)行補(bǔ)償，使驅(qū)動晶體管T4的柵源電壓差為固定值，使得顯示像素顯示的均一性和色彩還原性不受整個顯示內(nèi)容或顯示區(qū)域的影響。

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】

本專利技術(shù)涉及半導(dǎo)體
，尤其涉及一種主動發(fā)光顯示器件像素電路及其驅(qū)動 方法。
技術(shù)介紹
主動發(fā)光器件，如AMOLED顯示技術(shù)因其高色度域，高響應(yīng)速度，更輕薄等特點(diǎn)，目 前正取代IXD技術(shù)而逐漸成為下一代顯示
有力的競爭者。目前采用LTPS器件驅(qū) 動的AMOLED顯示技術(shù)已經(jīng)量產(chǎn)。目前很多研宄機(jī)構(gòu)也研宄在單晶硅襯底上做單晶硅MOS 管驅(qū)動的AMOLED或AMLED器件的技術(shù)。另外，也有很多研宄機(jī)構(gòu)在研宄非晶硅和氧化物半 導(dǎo)體驅(qū)動AMOLED的量產(chǎn)可行性。 由于金屬走線必然存在的電阻，因此，主動發(fā)光器件需要的電流在金屬線上傳輸 時會產(chǎn)生電壓降。導(dǎo)致陰極和陽極電壓在顯示區(qū)域內(nèi)產(chǎn)生不均一性。傳輸線長的區(qū)域的電 壓降比較大。陰極陽極的電壓影響驅(qū)動管的Vgs電壓，導(dǎo)致驅(qū)動電流的不均一性進(jìn)而導(dǎo)致 顯示亮度的不均一性。另一方面，同樣的一個顯示顏色，因整體顯示內(nèi)容的不同而不同，因 此，色彩還原性差。 目前改善不均一性的辦法是，增加陰極/陽極的電壓，增加Vgs，從而降低電壓降 在Vgs中的比例，進(jìn)而控制亮度均一性。另外一方面，減小驅(qū)動晶體管的寬長比，以平衡增 加Vgs電壓帶來電流的增加。這種辦法可以改善亮度不均一性，但是，會大幅增加功耗。也 無法改變色彩還原性差的問題。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
本專利技術(shù)提供了，用以實(shí)現(xiàn)顯示的均 一性和色彩還原性不受電壓降影響。同時，因?yàn)殡娐凡恍枰紤]電壓降導(dǎo)致的均一性的問 題，可以大大降低陰極與陽極之間的電壓值，使功耗可以大為降低。 本專利技術(shù)實(shí)施例提供一種主動發(fā)光顯示器件像素電路，至少包括狀態(tài)寫入晶體管 T1，狀態(tài)存儲電容Cs，驅(qū)動晶體管T4,發(fā)光器件0LED，所述狀態(tài)存儲電容Cs的一端通過第一 晶體管T3與第一電壓信號相連接、通過第二晶體管T2與第二電壓信號相連接；其中，所述 第一電壓信號為給所述發(fā)光器件0LED提供電流的陽極電壓源或陰極電壓源；所述第二電 壓信號為不給所述發(fā)光器件0LED提供電流的獨(dú)立電源；所述第一晶體管T3的柵極與第一 信號線連接，所述第二晶體管T2的柵極與第二信號線連接； 所述狀態(tài)存儲電容Cs的另一端分別與所述狀態(tài)寫入晶體管T1的第一電極、所述 驅(qū)動晶體管T4的柵極相連接； 所述狀態(tài)寫入晶體管T1的柵極與柵極掃描信號線Gate相連接，所述狀態(tài)寫入晶 體管T1的第二電極與數(shù)據(jù)信號Data線連接； 所述驅(qū)動晶體管T4的第一電極與所述第一電壓信號相連接，所述驅(qū)動晶體管T4 的第二電極與所述發(fā)光器件的相連接。 進(jìn)一步地，所述第二晶體管T2的第一電極與所述第二電壓信號相連接、第二電極 與所述狀態(tài)存儲電容Cs的一端相連接，以使所述狀態(tài)存儲電容Cs的狀態(tài)更新時，所述狀態(tài) 存儲電容Cs的一端因所述第二晶體管T2的打開而寫入第二電壓信號； 所述第一晶體管T3的第一電極與所述第一電壓信號相連接、第二電極與所述狀 態(tài)存儲電容Cs的一端相連接，以使所述狀態(tài)存儲電容Cs的狀態(tài)保持時，使得所述狀態(tài)存儲 電容Cs的一端因所述第一晶體管T3的打開而寫入第一電壓信號。 進(jìn)一步地，所述第二電壓信號的電壓vdd(l與所述陽極電壓源或陰極電壓源未經(jīng)過 走線衰減時的電壓值相等； 所述第一電壓信號的電壓vddi與所述陽極電壓源或陰極電壓源經(jīng)過走線衰減后的 電壓值相等。 進(jìn)一步地，所述第一信號線為發(fā)光控制信號線EMIT ;所述第二信號線為柵極掃描 信號線Gate。 進(jìn)一步地，還包括與所述發(fā)光器件OLED串聯(lián)的發(fā)光控制晶體管T5,所述發(fā)光控制 晶體管T5的柵極與第一信號線連接，所述發(fā)光控制晶體管T5的第一電極與所述驅(qū)動晶體 管T4的第二電極連接。 進(jìn)一步地，所述第一電壓信號為給所述發(fā)光器件OLED提供電流的陽極電壓源時， 所述驅(qū)動晶體管T4的第二電極與所述發(fā)光器件OLED的陽極相連接；或者， 所述第一電壓信號為給所述發(fā)光器件OLED提供電流的陰極電壓源時，所述驅(qū)動 晶體管T4的第二電極與所述發(fā)光器件OLED的陰極相連接。 基于相同的專利技術(shù)構(gòu)思，本專利技術(shù)實(shí)施例還提供一種主動發(fā)光顯示器件像素電路，包 括上述像素電路。 進(jìn)一步地，還包括用于補(bǔ)償所述驅(qū)動晶體管閾值電壓的補(bǔ)償電路，所述補(bǔ)償電路 至少與所述第一電壓信號、所述狀態(tài)存儲電容、所述驅(qū)動晶體管和所述發(fā)光器件連接。 本專利技術(shù)實(shí)施例還提供一種主動發(fā)光顯示器件像素電路的驅(qū)動方法，應(yīng)用于主動發(fā) 光顯示器件像素電路，具體包括： 數(shù)據(jù)寫入階段，在所述第一信號線上施加的信號致使所述第一晶體管T3關(guān)閉、在 所述第二信號線上施加的信號致使所述第二晶體管T2打開、在所述柵極掃描信號線Gate 上施加的信號致使所述狀態(tài)寫入晶體管T1打開，所述第二晶體管T2的打開致使所述狀態(tài) 存儲電容Cs的一端寫入第二電壓信號，所述狀態(tài)寫入晶體管T1的打開致使數(shù)據(jù)信號Data 寫入所述狀態(tài)存儲電容Cs的另一端；所述狀態(tài)存儲電容Cs的存儲狀態(tài)更新后，所述狀態(tài)存 儲電容Cs所存儲的電壓為V Data-VddQ; 發(fā)光階段，在所述第一信號線上施加的信號致使所述第一晶體管T3打開、在所述 第二信號線上施加的信號致使所述第二晶體管T2關(guān)閉，所述第一晶體管T3的打開致使所 述狀態(tài)存儲電容Cs的一端寫入所述第一電壓信號，所述狀態(tài)存儲電容Cs在所述數(shù)據(jù)寫入 階段所存儲的電壓為V Data-Vdd(l，致使所述狀態(tài)存儲電容Cs另一端的電壓為VData-V dd(l+Vddi，所 述驅(qū)動晶體管T4的第一電極與所述第一電壓信號相連，致使所述驅(qū)動晶體管T4的柵源電 壓為V Data_Vdd(l，所述驅(qū)動晶體管T4的柵源電壓致使所述驅(qū)動晶體管T4打開，所述驅(qū)動晶體 管T4打開后所產(chǎn)生的驅(qū)動電流致使所述發(fā)光器件OLED發(fā)光； 其中，所述第一電壓信號的電壓為Vddi，所述第二電壓信號的電壓為Vdd(l，所述數(shù)據(jù) 信號的電壓為vData。 進(jìn)一步地，數(shù)據(jù)寫入階段，在發(fā)光控制信號線EMIT上施加的信號致使所述第一晶 體管T3關(guān)閉、在柵極掃描信號線Gate上施加的信號致使所述第二晶體管T2和所述狀態(tài)寫 入晶體管T1打開，所述第二晶體管T2的打開致使所述狀態(tài)存儲電容Cs的一端寫入第二電 壓信號，所述狀態(tài)寫入晶體管T1的打開致使數(shù)據(jù)信號Data寫入所述狀態(tài)存儲電容Cs的 另一端；所述狀態(tài)存儲電容Cs的存儲狀態(tài)更新后，所述狀態(tài)存儲電容Cs所存儲的電壓為 ^Data ^ddO? 發(fā)光階段，在所述EMIT上施加的信號致使所述第一晶體管T3打開、在所述Gate 上施加的信號致使所述第二晶體管T2和所述狀態(tài)寫入晶體管T1關(guān)閉，所述第一晶體管T3 的打開致使所述狀態(tài)存儲電容Cs的一端寫入所述第一電壓信號，所述狀態(tài)存儲電容Cs在 所述數(shù)據(jù)寫入階段所存儲的電壓為V Data-Vdd(l，致使所述狀態(tài)存儲電容Cs另一端的電壓為 VData_V dd(1+Vddi，所述驅(qū)動晶體管T4的第一電極與所述第一電壓信號相連，致使所述驅(qū)動晶體 管T4的柵源電壓為V Data-Vdd(l，所述驅(qū)動晶體管T4的柵源電壓致使所述驅(qū)動晶體管T4打開， 所述驅(qū)動晶體管T4打開后所產(chǎn)生的驅(qū)動電流致使所述發(fā)光器件0LED發(fā)光。 上述實(shí)施例中，狀態(tài)存儲電容Cs的一端通過第一晶體管T3與第一電壓信號相連 接、通過第二晶體管T2與第二電壓信號相連接，使得狀態(tài)存儲電容Cs的狀本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種主動發(fā)光顯示器件像素電路，至少包括狀態(tài)寫入晶體管T1，狀態(tài)存儲電容Cs，驅(qū)動晶體管T4，發(fā)光器件OLED，其特征在于，所述狀態(tài)存儲電容Cs的一端通過第一晶體管T3與第一電壓信號相連接、通過第二晶體管T2與第二電壓信號相連接；其中，所述第一電壓信號為給所述發(fā)光器件OLED提供電流的陽極電壓源或陰極電壓源；所述第二電壓信號為不給所述發(fā)光器件OLED提供電流的獨(dú)立電源；所述第一晶體管T3的柵極與第一信號線連接，所述第二晶體管T2的柵極與第二信號線連接；所述狀態(tài)存儲電容Cs的另一端分別與所述狀態(tài)寫入晶體管T1的第一電極、所述驅(qū)動晶體管T4的柵極相連接；所述狀態(tài)寫入晶體管T1的柵極與柵極掃描信號線Gate相連接，所述狀態(tài)寫入晶體管T1的第二電極與數(shù)據(jù)信號Data線連接；所述驅(qū)動晶體管T4的第一電極與所述第一電壓信號相連接，所述驅(qū)動晶體管T4的第二電極與所述發(fā)光器件的相連接。

【技術(shù)特征摘要】
...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：何東陽，
申請(專利權(quán))人：何東陽，
類型：發(fā)明
國別省市：上海;31