本發明專利技術公開了一種真空鍍膜設備，包括真空室，其特征在于所述真空室與真空系統連接，真空室內呈圓形分布有內外兩圈安裝靶位內外兩圈安裝靶位之間裝有工件架，安裝靶位上安裝有電弧靶源或濺射靶源。本發明專利技術利用電弧靶源與濺射靶源復合沉積金屬涂層，克服金屬與陶瓷之間結合力不強的缺點，使經過微弧氧化的鋁材表面實現金屬色澤及質感，增加產品的附加價值。本發明專利技術的優點在于利用該設備對能夠使金屬涂層緊密結合在經過微弧氧化處理的鋁基材表面，不易脫落，因此提高了表面硬度和耐磨性。
【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及真空鍍膜設備，具體地說是一種在電弧與磁控濺射結合的真空鍍膜設備。
技術介紹
物理氣相沉積(Physical Vapor Deposit1n, PVD)技術表示在真空條件下，采用物理方法，將材料源一一固體或液體表面氣化成氣態原子、分子或部分電離成離子，并通過低壓氣體(或等離子體)過程，在基體表面沉積具有某種特殊功能的薄膜的技術。電弧離子鍍和磁控濺鍍技術是PVD常用的兩種技術。電弧鍍膜離化率高，靶源與工件距離遠，但離子蒸發過程劇烈，導致膜層顆粒較大且存在有害雜質。磁控濺鍍離化率低，靶源與工件距離近，離子蒸發過程平和，膜層質量較好，但由于工件與靶源的距離限制，繞鍍能力不好?，F有技術中，常常將兩者結合提高工件涂層質量。但是，對于曲面型的工件鍍膜很難達到均勻，影響涂層質量。
技術實現思路
本專利技術的目的在于提供一種真空鍍膜設備，利用該設備對能夠使曲面型工件獲得良好的鍍膜效果。為了實現上述目的，本專利技術的技術方案如下:一種真空鍍膜設備，包括真空室，其特征在于所述真空室與真空系統連接，真空室內呈圓形分布有內外兩圈安裝靶位內外兩圈安裝靶位之間裝有工件架，安裝靶位上安裝有電弧靶源或濺射靶源。真空系統包括與真空室連接的高真空分子栗，與高真空分子栗連接的旋片式機械栗以及羅茨栗。所述真空室和真空系統均與設置在真空室外的供電系統連接。所述工件架也呈圓形分布，所述工件架兼有公轉和自轉，保證了工件的鍍膜均勻性。真空室內還裝有輻射式發熱體和溫度探頭。本專利技術利用電弧靶源與濺射靶源復合沉積金屬涂層，克服金屬與陶瓷之間結合力不強的缺點，使經過微弧氧化的鋁材表面實現金屬色澤及質感，增加產品的附加價值。本專利技術的優點在于利用該設備對能夠使金屬涂層緊密結合在經過微弧氧化處理的鋁基材表面，不易脫落，因此提高了表面硬度和耐磨性?！靖綀D說明】圖1為本專利技術的結構示意圖。圖2為電弧靶的示意圖。圖3為濺射靶的示意圖?！揪唧w實施方式】下面結合附圖1和實施例對本專利技術作進一步的描述。一種真空鍍膜設備，包括真空室I，其特征在于所述真空室I與真空系統2連接，真空室I內呈圓形分布有內外兩圈安裝靶位，安裝靶位上安裝有電弧靶12或磁控濺射靶11。根據本專利技術的具體實施例，所述電弧靶12或磁控濺射靶11均設置在外圈安裝靶位上。真空系統2包括與真空室連接的高真空分子栗23，與高真空分子栗連接的旋片式機械栗22以及羅茨栗21。所述真空室I和真空系統2均與設置在真空室外的供電系統3連接。所述供電系統提供涂層工藝所需的大功率的功力電源，分為低壓電柜31、中壓電柜32和高壓電柜33。真空室內還裝有輻射式發熱體和溫度探頭。所述電弧靶為Cr弧靶源，利用Cr弧靶源激發的高能量粒子與偏壓的作用，在基材表面沉積一層打底層。所述磁控濺射靶為Zr靶源，利用中頻磁控濺射Zr靶源濺射沉積薄膜。如圖2所示，所述電弧靶12包括并排設置的兩個靶架13，每個靶架從上至下分別設置3個平面小弧靶14，且所述兩個靶架上的平面小弧靶交錯分布，保證鍍膜的均勻性。如圖3所示，所述磁控濺射靶11也包括兩個靶架13，兩個靶架上設置有對稱設置的中頻孿生對靶15。以上內容僅為本專利技術的較佳實施例，對于本領域的普通技術人員，依據本專利技術的思想，在【具體實施方式】及實用范圍上均會有改變之處，本說明書內容不應理解為對本專利技術的限制?！局鳈囗棥?.一種真空鍍膜設備，包括真空室，其特征在于所述真空室與真空系統連接，真空室內呈圓形分布有內外兩圈安裝革巴位，內外兩圈安裝革巴位之間裝有工件架，安裝革巴位上安裝有電弧靶源或濺射靶源。2.如權利要求1所述的真空鍍膜設備，其特征在于真空系統包括與真空室連接的高真空分子栗，與高真空分子栗連接的旋片式機械栗以及羅茨栗。3.如權利要求1所述的真空鍍膜設備，其特征在于所述真空室和真空系統均與設置在真空室外的供電系統連接。4.如權利要求1所述的真空鍍膜設備，其特征在于所述電弧靶包括并排設置的兩個靶架，每個靶架從上至下分別設置3個平面小弧靶，且所述兩個靶架上的平面小弧靶交錯分布。5.如權利要求1所述的真空鍍膜設備，其特征在于所述磁控濺射靶也包括兩個靶架，兩個靶架上設置有對稱設置的中頻孿生對靶。【專利摘要】本專利技術公開了一種真空鍍膜設備，包括真空室，其特征在于所述真空室與真空系統連接，真空室內呈圓形分布有內外兩圈安裝靶位內外兩圈安裝靶位之間裝有工件架，安裝靶位上安裝有電弧靶源或濺射靶源。本專利技術利用電弧靶源與濺射靶源復合沉積金屬涂層，克服金屬與陶瓷之間結合力不強的缺點，使經過微弧氧化的鋁材表面實現金屬色澤及質感，增加產品的附加價值。本專利技術的優點在于利用該設備對能夠使金屬涂層緊密結合在經過微弧氧化處理的鋁基材表面，不易脫落，因此提高了表面硬度和耐磨性?！綢PC分類】C23C14/22【公開號】CN105018883【申請號】CN201510421133【專利技術人】林朝宗 【申請人】益固（上海）真空設備科技有限公司【公開日】2015年11月4日【申請日】2015年7月17日本文檔來自技高網...
【技術保護點】
一種真空鍍膜設備，包括真空室，其特征在于所述真空室與真空系統連接，真空室內呈圓形分布有內外兩圈安裝靶位，內外兩圈安裝靶位之間裝有工件架，安裝靶位上安裝有電弧靶源或濺射靶源。
【技術特征摘要】
【專利技術屬性】
技術研發人員：林朝宗，
申請(專利權)人：益固上海真空設備科技有限公司，
類型：發明
國別省市：上海;31
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