一種燒結(jié)體，其至少含有鈷作為金屬、且包含硼和/或選自鉑族元素中的一種以上金屬或合金以及氧化物，其特征在于，在包含所述氧化物的相中含有Cr(BO3)、Co2B2O5、Co3B2O6中的至少一種以上。在靶中存在Cr(BO3)、Co2B2O5、Co3B2O6這些化合物的燒結(jié)體能夠保持微細的組織，并且能夠得到包含對水穩(wěn)定的燒結(jié)體的磁記錄膜形成用燒結(jié)體。
【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
【國外來華專利技術(shù)】燒結(jié)體、包含該燒結(jié)體的磁記錄膜形成用濺射靶
本專利技術(shù)涉及燒結(jié)體，且涉及在磁記錄介質(zhì)的磁性體薄膜、特別是采用垂直磁記錄方式的硬盤的磁記錄層的成膜中使用的、可用于形成磁記錄膜的燒結(jié)體、包含該燒結(jié)體的濺射靶。以往，在使用由含有氧化硼的燒結(jié)體制作的靶進行濺射時，由于在燒結(jié)時或燒結(jié)后氧化硼粒子變得粗大，因此存在的問題是在濺射時經(jīng)常發(fā)生粉粒的產(chǎn)生。本申請專利技術(shù)涉及能夠解決此類問題的燒結(jié)體和包含該燒結(jié)體的濺射靶。
技術(shù)介紹
在硬盤驅(qū)動器所代表的磁記錄領(lǐng)域中，作為擔負記錄的磁性薄膜的材料，一直使用以強磁性金屬Co、Fe或Ni作為基體的材料。例如在采用面內(nèi)磁記錄方式的硬盤的記錄層中，一直使用以Co作為主要成分的Co-Cr基或Co-Cr-Pt基強磁性合金。另外，在采用近年來已實用化的垂直磁記錄方式的硬盤的記錄層中，多使用包含以Co作為主要成分的Co-Cr-Pt基強磁性合金和非磁性無機物的復合材料。而且，從生產(chǎn)率高的方面而言，硬盤等磁記錄介質(zhì)的磁性薄膜大多使用以上述材料作為成分的強磁性材料濺射靶進行濺射來制作。另外，在這樣的磁記錄膜用濺射靶中，為了使合金相磁分離，進行氧化硼的添加。作為強磁性材料濺射靶的制作方法，可考慮熔煉法、粉末冶金法。采用何種方法進行制作，取決于所要求的特性，因此不可一概而論，但垂直磁記錄方式的硬盤的記錄層中所使用的包含強磁性合金和非磁性無機物粒子的濺射靶一般通過粉末冶金法來制作。這是因為，由于需要使氧化硼等無機物粒子均勻地分散在合金基質(zhì)中，因此難以利用熔煉法來制作。另一方面，如果檢索在磁記錄介質(zhì)中添加氧化硼的公知文獻，則可以列舉下述專利文獻。下述專利文獻1中記載了“一種磁記錄介質(zhì)，其具有磁數(shù)據(jù)記錄層，其中，所述磁數(shù)據(jù)記錄層含有：第一合金，其具有至少0.5×107erg/cm3(0.5/Jcm3)的磁各向異性常數(shù)；以及氧化物，其由氧和至少一種元素具有負的還原電位的一種以上元素構(gòu)成”(權(quán)利要求1)。而且，在該專利文獻1的權(quán)利要求6中記載了“一種磁記錄介質(zhì)，其特征在于，所述氧化物中的一種以上元素中的至少一個選自由鋰(Li)、鈹(Be)、硼(B)、鈉(Na)、鎂(Mg)、鋁(Al)、硅(Si)、鉀(K)、鈣(Ca)、鈧(Sc)、鈦(Ti)、釩(V)、鉻(Cr)、錳(Mn)、鐵(Fe)、鈷(Co)、鎳(Ni)、鋅(Zn)、鎵(Ga)、銣(Rb)、鍶(Sr)、釔(Y)、鋯(Zr)、鈮(Nb)、鎘(Cd)、銦(In)、銫(Cs)、鋇(Ba)、鑭(La)、鈰(Ce)、鐠(Pr)、釹(Nd)、釤(Sm)、銪(Eu)、鋱(Tb)、釓(Gd)、鈥(Ho)、鉺(Er)、銩(Tm)、鐿(Yb)、镥(Lu)、鉿(Hf)、鉭(Ta)、鎢(W)、鉛(Pb)、釷(Th)和鈾(U)組成的組”，且這些材料為濺射靶。上述記載的大量的氧化物中雖然也有氧化硼的記載，但是關(guān)于靶中氧化硼的存在的問題、該問題的解決方法完全沒有記載。下述專利文獻2的權(quán)利要求1中記載了“一種靶，其用于通過濺射法來形成磁記錄介質(zhì)的Co基磁性層，其特征在于，所述靶含有5摩爾％以上的Cr或Cr合金，含有5摩爾％以上的CoO，含有合計在3摩爾％～20摩爾％的范圍內(nèi)的熔點為800℃以下的氧化物，孔隙率為7％以下”，該專利文獻2的權(quán)利要求4中記載了“如權(quán)利要求1～3中任一項所述的靶，其特征在于，熔點為800℃以下的氧化物為選自氧化硼、氧化釩、氧化碲、氧化鉬、低熔點玻璃中的至少一種”。在這種情況下，也與上述文獻1相同，關(guān)于燒結(jié)體或包含燒結(jié)體的靶中氧化硼的存在的問題、該問題的解決方法完全沒有記載。在下述專利文獻3中記載了“一種濺射靶，其為包含Cr為20摩爾％以下，其余為Co的強磁性合金和非金屬無機材料的燒結(jié)體濺射靶，其特征在于，所述非金屬無機材料所占的體積率為40體積％以下，且所述非金屬無機材料至少含有鈷氧化物和硼氧化物。一種濺射靶用燒結(jié)體的制造方法，其中，將金屬粉末和至少含有鈷氧化物和硼氧化物的非金屬無機材料粉末粉碎、混合而得到混合粉末，將該混合粉末在保持溫度為800℃以下的條件下通過加壓燒結(jié)裝置進行成型、燒結(jié)“(摘要)。在這種情況下，也與上述文獻1、2相同，雖然記載了含有“硼氧化物”，但是關(guān)于靶中氧化硼的存在的問題、該問題的解決方法完全沒有記載。下述專利文獻4中記載了“一種磁記錄膜用濺射靶，其含有SiO2，其特征在于，含有10～1000重量ppm的B(硼)”。在此種情況下也是含有氧化硼的靶，但與上述文獻1、2、3相同，關(guān)于燒結(jié)體或包含燒結(jié)體的靶中氧化硼的存在的問題、該問題的解決方法完全沒有記載。現(xiàn)有技術(shù)文獻專利文獻專利文獻1：日本特開2008-59733號公報專利文獻2：日本特開2012-33247號公報專利文獻3：日本特開2012-117147號公報專利文獻4：日本專利第5009448號公報
技術(shù)實現(xiàn)思路
專利技術(shù)所要解決的問題在磁記錄膜用濺射靶中，大多使用包含強磁性合金和非磁性材料的復合材料，且添加氧化硼作為非磁性材料。然而，對于添加有氧化硼的靶而言，由于燒結(jié)后氧化硼粒子變大，因此存在的問題是，如果為了抑制粒子生長而降低燒結(jié)溫度，則密度無法提高，從而產(chǎn)生大量粉粒。探究該問題時，可知其理由大致分為兩種。第一：由于氧化硼原料的吸濕性高而容易凝聚，因此難以得到微細的氧化硼。第二：由于氧化硼的熔點低，因此在燒結(jié)中容易液化，在燒結(jié)中會生長成大粒子。此外，作為其它問題存在的問題有：在通過機械加工等對殘留有氧化硼的燒結(jié)體進行濕式加工時或者在濕度高的場所保存時，與水分反應而生成硼酸，其在燒結(jié)體(靶)的表面等析出而導致污痕(シミ)或污染，這也是濺射時粉粒產(chǎn)生的原因，另外，水分進到膜中而導致不良。為了確保用于形成添加有氧化硼的磁紀錄膜的燒結(jié)體、特別是濺射靶的良好品質(zhì)，需要解決此類問題。用于解決問題的手段基于上述發(fā)現(xiàn)，本專利技術(shù)提供：1)一種燒結(jié)體，其至少含有鈷作為金屬、且包含硼和/或選自鉑族元素中的一種以上金屬或合金以及氧化物，其特征在于，在包含所述氧化物的相中存在Cr(BO3)、Co2B2O5、Co3B2O6中的至少一種以上。另外，本專利技術(shù)提供：2)一種燒結(jié)體，其至少含有鈷作為金屬、且包含鉻、硼和/或選自鉑族元素中的一種以上金屬或合金以及氧化物，其特征在于，在包含所述氧化物的相中存在Cr(BO3)、Co2B2O5、Co3B2O6中的至少一種以上。另外，本專利技術(shù)提供：3)如上述1)或2)中任一項所述的燒結(jié)體，其特征在于，在燒結(jié)體與水接觸或浸漬在水中時，燒結(jié)體表面無變色。另外，本專利技術(shù)提供：4)如上述2)或3)中任一項所述的燒結(jié)體，其特征在于，鉻與硼的原子比為Cr/B≥1。另外，本專利技術(shù)提供：5)如上述1)～4)中任一項所述的燒結(jié)體，其特征在于，硼與氧的原子比為B/O≤0.5。另外，本專利技術(shù)提供：6)如上述1)～5)中任一項所述的燒結(jié)體，其特征在于，在金屬成分的比率中，鉻的含量為0～50摩爾％、硼和/或鉑族元素的含量為0(但不包括0)～40摩爾％，其余為鈷。另外，本專利技術(shù)提供：7)如上述1)～6)中任一項所述的燒結(jié)體，其特征在于，氧化硼的含量按B2O3換算為0.5～10摩爾％。另外，本專利技術(shù)提供：8)如上述1)～7)中任一項所述的燒結(jié)體，其特征在于，氧化鉻的合計含量按Cr2O3換算為0.5～10摩爾％。另外，本專利技術(shù)本文檔來自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護點】
一種燒結(jié)體，其至少含有鈷作為金屬、且包含硼和/或選自鉑族元素中的一種以上金屬或合金以及氧化物，其特征在于，在包含所述氧化物的相中存在Cr(BO3)、Co2B2O5、Co3B2O6中的至少一種以上。
【技術(shù)特征摘要】
【國外來華專利技術(shù)】2013.04.30 JP 2013-0954861.一種燒結(jié)體，其至少含有鈷作為金屬、且包含硼和/或選自鉑族元素中的一種以上金屬或合金以及氧化物，其特征在于，在包含所述氧化物的相中存在Cr(BO3)、Co2B2O5、Co3B2O6中的至少一種以上，硼與氧的原子比為B/O≤0.5。2.一種燒結(jié)體，其至少含有鈷作為金屬、且包含鉻、硼和/或選自鉑族元素中的一種以上金屬或合金以及氧化物，其特征在于，在包含所述氧化物的相中存在Cr(BO3)、Co2B2O5、Co3B2O6中的至少一種以上。3.如權(quán)利要求1所述的燒結(jié)體，其特征在于，在燒結(jié)體與水接觸或浸漬在水中時，燒結(jié)體表面無變色。4.如權(quán)利要求2所述的燒結(jié)體，其特征在于，在燒結(jié)體與水接觸或浸漬在水中時，燒結(jié)體表面無變色。5.如權(quán)利要求2或4中任一項所述的燒結(jié)體，其特征在于，鉻與硼的原子比為Cr/B≥1。6.如權(quán)利要求1～4中任一項所述的燒結(jié)體，其特征在于，在金屬成分的比率中，鉻的含量為0～50摩爾％，硼和/或鉑族元素的含量為0～40摩爾％，但硼和/或鉑族元素的含量不包括0摩爾％，其余為鈷。7.如權(quán)利要求1～4中任一項所述的燒結(jié)體，其特征在于，氧化硼的含量按B2O3換算為0.5～10摩爾％。8.如權(quán)利要求1～4中任一項所述的燒結(jié)體，其特征在于，氧化鉻的合計含量按Cr2O3換算為0.5～10摩爾％。9.如權(quán)利要求1～4中任一項所述的燒結(jié)體，其特征在于，還含有以選自Al、Co、Cu、Fe、Ga、Ge、Hf、Li、Mg、Mn、Mo、Nb、Ni、Sb、Si...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：高見英生，中村祐一郎，池田祐希，荻野真一，
申請(專利權(quán))人：吉坤日礦日石金屬株式會社，
類型：發(fā)明
國別省市：日本;JP
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