本申請公開了一種硅片清洗方法、及清洗裝置，該清洗方法包括步驟：(1)、把檸檬酸和水按3:100的比例倒入可以恒溫的侵泡槽內(nèi)，加熱至65±5℃；(2)、攪拌直至檸檬酸完全溶解；(3)、恒溫條件下侵泡時間在2～3小時。本發(fā)明專利技術(shù)的優(yōu)點在于：(1)、可以提高70％以上流失的檸檬酸，可以多次侵泡；(2)、緩解企業(yè)廢水處理壓力；(3)、降低生產(chǎn)用水，因按一定比例調(diào)和的水和檸檬酸可以重復(fù)使用，從而節(jié)約了水用量。
【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
本申請屬于太陽能電池硅片切割
，特別是涉及一種硅片清洗方法、及清洗裝置。
技術(shù)介紹
目前傳統(tǒng)的RCA清洗法，很難去除硅片在切割過程中附著的金屬、有機沾污、小顆粒污染物等。為了使硅片表面的附著物能徹底清除，需要用檸檬酸加熱侵泡硅片，檸檬酸是一種較強的有機酸，有3個H+可以電離，加熱后可分解成多種產(chǎn)物，與酸、堿、甘油等反應(yīng)。再次進行清洗。現(xiàn)有浸泡返洗辦法是把檸檬酸和熱水按一定比例混合，放置周轉(zhuǎn)箱內(nèi)浸泡。存在的問題是水溫會隨時間的推移下降。導(dǎo)致檸檬酸無法完全溶解，不能完全去除硅片表面的附著物，不能重復(fù)使用造成不必要的浪費。
技術(shù)實現(xiàn)思路
本專利技術(shù)的目的在于提供一種硅片清洗方法、及清洗裝置，以克服現(xiàn)有技術(shù)中的不足。為實現(xiàn)上述目的，本專利技術(shù)提供如下技術(shù)方案:本申請實施例公開了一種硅片清洗方法，包括步驟:(I)、把檸檬酸和水按3:100的比例倒入可以恒溫的侵泡槽內(nèi)，加熱至65±5°C ；(2)、攪拌直至檸檬酸完全溶解；(3)、恒溫條件下侵泡時間在2?3小時。相應(yīng)地，本申請還公開了一種清洗裝置，包括浸泡槽、以及用以對浸泡槽內(nèi)溶液進行加熱的加熱裝置。優(yōu)選的，在上述的清洗裝置中，所述浸泡槽的頂端密封有蓋體。優(yōu)選的，在上述的清洗裝置中，所述蓋體的頂端表面固定有開啟把手。優(yōu)選的，在上述的清洗裝置中，所述浸泡槽上還安裝有攪拌裝置。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本專利技術(shù)的優(yōu)點在于:(I)、可以提高70%以上流失的檸檬酸，可以多次侵泡；(2)、緩解企業(yè)廢水處理壓力；(3)、降低生產(chǎn)用水，因按一定比例調(diào)和的水和檸檬酸可以重復(fù)使用，從而節(jié)約了水用量。【附圖說明】為了更清楚地說明本申請實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本申請中記載的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1所示為本專利技術(shù)具體實施例中清洗裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。【具體實施方式】下面將結(jié)合本專利技術(shù)實施例中的附圖，對本專利技術(shù)實施例中的技術(shù)方案進行詳細的描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本專利技術(shù)一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本專利技術(shù)中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動的前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本專利技術(shù)保護的范圍。參圖1所示，清洗裝置，包括浸泡槽1、以及用以對浸泡槽內(nèi)溶液進行加熱的加熱裝置。浸泡槽I的頂端密封有蓋體2。蓋體2的頂端表面固定有開啟把手3。浸泡槽I上還安裝有攪拌裝置4。在該技術(shù)方案中，加熱裝置用以對浸泡槽內(nèi)的溶液進行加熱并保持其恒溫狀態(tài)；浸泡槽頂端密封有蓋體，一方面避免液體揮發(fā)，另一方面可以起到保溫效果；攪拌裝置可以實現(xiàn)浸泡槽內(nèi)液體的均勻混合。利用上述清洗裝置進行硅片清洗方法，包括步驟:(I)、把檸檬酸和水按3:100的比例倒入可以恒溫的侵泡槽內(nèi)，加熱至65±5°C ；(2)、攪拌直至檸檬酸完全溶解；(3)、恒溫條件下侵泡時間在2?3小時。(4)、侵泡至5000片時，將水排掉，重新加人自來水和檸檬酸。本專利技術(shù)所要解決的技術(shù)問題就是侵泡硅片時檸檬酸再利用方法。其優(yōu)點在于:(I)、可以提高70%以上流失的檸檬酸，可以多次侵泡；(2)、緩解企業(yè)廢水處理壓力；(3)、降低生產(chǎn)用水，因按一定比例調(diào)和的水和檸檬酸可以重復(fù)使用，從而節(jié)約了水用量。需要說明的是，在本文中，諸如第一和第二等之類的關(guān)系術(shù)語僅僅用來將一個實體或者操作與另一個實體或操作區(qū)分開來，而不一定要求或者暗示這些實體或操作之間存在任何這種實際的關(guān)系或者順序。而且，術(shù)語“包括”、“包含”或者其任何其他變體意在涵蓋非排他性的包含，從而使得包括一系列要素的過程、方法、物品或者設(shè)備不僅包括那些要素，而且還包括沒有明確列出的其他要素，或者是還包括為這種過程、方法、物品或者設(shè)備所固有的要素。在沒有更多限制的情況下，由語句“包括一個……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的過程、方法、物品或者設(shè)備中還存在另外的相同要素。以上所述僅是本申請的【具體實施方式】，應(yīng)當指出，對于本
的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本申請原理的前提下，還可以做出若干改進和潤飾，這些改進和潤飾也應(yīng)視為本申請的保護范圍。【主權(quán)項】1.一種娃片清洗方法，其特征在于，包括步驟:(1)、把檸檬酸和水按3:100的比例倒入可以恒溫的侵泡槽內(nèi)，加熱至65±5°C； (2)、攪拌直至檸檬酸完全溶解； (3)、恒溫條件下侵泡時間在2?3小時。2.一種用于權(quán)利要求1所述清洗方法的清洗裝置，其特征在于，包括浸泡槽、以及用以對浸泡槽內(nèi)溶液進行加熱的加熱裝置。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的清洗裝置，其特征在于:所述浸泡槽的頂端密封有蓋體。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的清洗裝置，其特征在于:所述蓋體的頂端表面固定有開啟把手。5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的清洗裝置，其特征在于:所述浸泡槽上還安裝有攪拌裝置。【專利摘要】本申請公開了一種硅片清洗方法、及清洗裝置，該清洗方法包括步驟：(1)、把檸檬酸和水按3:100的比例倒入可以恒溫的侵泡槽內(nèi)，加熱至65±5℃；(2)、攪拌直至檸檬酸完全溶解；(3)、恒溫條件下侵泡時間在2～3小時。本專利技術(shù)的優(yōu)點在于：(1)、可以提高70％以上流失的檸檬酸，可以多次侵泡；(2)、緩解企業(yè)廢水處理壓力；(3)、降低生產(chǎn)用水，因按一定比例調(diào)和的水和檸檬酸可以重復(fù)使用，從而節(jié)約了水用量。【IPC分類】H01L21/02, H01L21/67, H01L31/18【公開號】CN105047538【申請?zhí)枴緾N201510465070【專利技術(shù)人】李小勇 【申請人】江蘇奧能光電科技有限公司【公開日】2015年11月11日【申請日】2015年7月31日本文檔來自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護點】
一種硅片清洗方法，其特征在于，包括步驟：(1)、把檸檬酸和水按3:100的比例倒入可以恒溫的侵泡槽內(nèi)，加熱至65±5℃；(2)、攪拌直至檸檬酸完全溶解；(3)、恒溫條件下侵泡時間在2～3小時。
【技術(shù)特征摘要】
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：李小勇，
申請(專利權(quán))人：江蘇奧能光電科技有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：江蘇;32
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