一種聚酰亞胺涂層的返工方法技術

一種聚酰亞胺涂層的返工方法，包括：步驟S1：對通過第一掩模板所制備的具有第一關鍵尺寸之焊盤開口表面的聚酰亞胺涂層進行剝離；步驟S2：對已剝離聚酰亞胺涂層之晶圓進行清洗；步驟S3：在晶圓表面涂布聚酰亞胺材料；步驟S4：在聚酰亞胺材料上涂布光刻膠，并以第二掩模板進行曝光和顯影，且通過第二掩模板所制備的焊盤開口之第二關鍵尺寸大于通過第一掩模板所制備的焊盤開口之第一關鍵尺寸。本發明專利技術聚酰亞胺涂層的返工方法不僅將焊盤開口的關鍵尺寸進行放大，增加工藝窗口，有效的解決了二次顯影導致的漂移疊差，而且避免了焊盤開口處聚酰亞胺涂層殘留，提高產品良率。

【技術實現步驟摘要】

本專利技術涉及半導體制造
，尤其涉及。
技術介紹
聚酰亞胺(Polyimide，PI)材料由于其具有良好的耐高溫特性、機械性能、電學性能以及化學穩定性，已被廣泛的應用于半導體器件的鈍化層工藝中，以減少各種自然環境對半導體器件造成的損害，從而提高器件的可靠性和穩定性。在集成電路制造工藝中，焊盤開口和芯片表面之聚酰亞胺涂層通常分步完成。即，首先通過涂布焊盤開口之光刻膠、曝光顯影、干法刻蝕，以及濕法清洗工藝等形成焊盤開口 ；然后再通過涂布聚酰亞胺、曝光顯影工藝等形成聚酰亞胺涂層。通過傳統的聚酰亞胺鈍化層制備工藝，主要包括以下步驟:(I)在半導體器件上形成頂層金屬鋁線和介質層鈍化膜；(2)在頂層金屬鋁線和介質層鈍化膜上涂覆聚酰亞胺材料；(3)在聚酰亞胺材料上涂覆光刻膠；(4)曝光、顯影，形成鈍化層開孔；(5)去除為曝光的光刻膠，并對聚酰亞胺材料進行固化，獲得聚酰亞胺鈍化層。為了降低生產成本，半導體制造工藝中對焊盤和聚酰亞胺涂層之光罩二合一的需求越來越多。作為本領域技術人員，容易知道地，當對焊盤和聚酰亞胺涂層之光罩二合一工藝完成后的干法刻蝕和清洗以后，仍將會有4?5 μπι的聚酰亞胺涂層殘留在芯片表面。在進行終端出貨檢驗時，若檢測到聚酰亞胺涂層之表面具有明顯缺陷，則需進行返工流程。現行的返工流程由于漂移疊差的問題，導致焊盤上存在聚酰亞胺涂層殘留，進而使得測試和封裝存在問題，無法實現聚亞酰胺涂層的返工。故針對現有技術存在的問題，本案設計人憑借從事此行業多年的經驗，積極研究改良，于是有了本專利技術。
技術實現思路
本專利技術是針對現有技術中，現行的返工流程由于漂移疊差的問題，導致焊盤上存在聚酰亞胺涂層殘留，進而使得測試和封裝存在問題，無法實現聚亞酰胺涂層的返工等缺陷提供。為實現本專利技術之目的，本專利技術提供，所述聚酰亞胺涂層的返工方法，包括:執行步驟S1:對通過第一掩模板所制備的具有第一關鍵尺寸之焊盤開口表面的聚酰亞胺涂層進行剝離；執行步驟S2:對已剝離聚酰亞胺涂層之晶圓進行清洗；執行步驟S3:在晶圓表面涂布聚酰亞胺材料；執行步驟S4:在聚酰亞胺材料上涂布光刻膠，并以第二掩模板進行曝光和顯影，且通過所述第二掩模板所制備的焊盤開口之第二關鍵尺寸大于通過所述第一掩模板所制備的焊盤開口之第一關鍵尺寸。可選地，所述第二掩模板所制備的焊盤開口之第二關鍵尺寸X2大于通過所述第一掩模板所制備的焊盤開口之第一關鍵尺寸X1,1 μπι < X2-X1 < 100ym0可選地，所述聚酰亞胺涂層的返工方法，進一步包括:執行步驟S5:固化晶圓表面之聚酰亞胺涂層。可選地，所述熱固化的溫度為200?800°C，所述熱固化的時間為30?360min。可選地，所述聚酰亞胺材料旋涂、烘烤后的薄膜厚度為I?50 μπι，所述烘烤溫度為50?800°C，烘烤時間為30s?6h。可選地，所述步驟SI執行前，所述晶圓上的頂層金屬鋁線已經形成，或者所述晶圓上的頂層金屬鋁線以及介質膜鈍化層的圖形已經形成。可選地，所述焊盤之制備方法，進一步包括:執行步驟Sll:在已形成半導體器件的其他構件之襯底上形成金屬焊墊；執行步驟S12:在所述金屬焊墊上設置焊墊氧化物層和聚酰亞胺涂層；執行步驟S13:對所述焊墊氧化物層和所述聚酰亞胺涂層通過第一掩模板制備具有第一關鍵尺寸&之焊盤開口。可選地，通過所述第一掩模板制備具有第一關鍵尺寸之焊盤開口時，所述聚酰亞胺涂層和所述焊墊氧化物層在顯影過程中，因漂移導致的疊差X < 0.5 μπι。可選地，所述焊墊氧化物層為二氧化硅層或者氮氧化硅層。綜上所述，本專利技術聚酰亞胺涂層的返工方法通過采用可獲得第二關鍵尺寸之焊盤開口的第二掩模板，且所述第二掩模板所獲得之焊盤開口的第二關鍵尺寸大于所述第一掩模板所獲得之焊盤開口的第一關鍵尺寸，不僅將所述焊盤開口的關鍵尺寸進行放大，增加工藝窗口，有效的解決了二次顯影導致的漂移疊差，而且避免了焊盤開口處聚酰亞胺涂層殘留，提尚廣品良率。【附圖說明】圖1所示為本專利技術聚酰亞胺涂層的返工方法之流程圖；圖2所示為本專利技術聚酰亞胺涂層的返工方法執行前的半導體器件示意圖；圖3所示為本專利技術聚酰亞胺涂層的返工方法執行后的半導體器件示意圖。【具體實施方式】為詳細說明本專利技術創造的
技術實現思路
、構造特征、所達成目的及功效，下面將結合實施例并配合附圖予以詳細說明。請參閱圖1，圖1所示為本專利技術聚酰亞胺涂層的返工方法之流程圖。所述聚酰亞胺涂層的返工方法，包括以下步驟:執行步驟S1:對通過第一掩模板所制備的具有第一關鍵尺寸之焊盤開口表面的聚酰亞胺涂層進行剝離；執行步驟S2:對已剝離聚酰亞胺涂層之晶圓進行清洗；執行步驟S3:在晶圓表面涂布聚酰亞胺材料；執行步驟S4:在聚酰亞胺材料上涂布光刻膠，并以第二掩模板進行曝光和顯影，且通過所述第二掩模板所制備的焊盤開口之第二關鍵尺寸大于通過所述第一掩模板所制備的焊盤開口之第一關鍵尺寸。為了獲得聚酰亞胺鈍化層，所述聚酰亞胺涂層的返工方法，進一步包括:執行步驟S5:固化晶圓表面之聚酰亞胺涂層。優選地，所述熱固化的溫度為200?800°C，所述熱固化的時間為30?360min。為了更直觀的揭露本專利技術之技術方案，凸顯本專利技術之有益效果，現結合【具體實施方式】對本專利技術聚酰亞胺涂層的返工方法和原理進行闡述。在【具體實施方式】中，所述工藝步驟、具體數值等均為列舉，不應視為對本專利技術技術方案的限制。作為具體的實施方式，步驟S3中，在晶圓表面涂布聚酰亞胺材料，所述聚酰亞胺材料旋涂、烘烤后的薄膜厚度為I?50 μ 當前第1頁1 2 本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種聚酰亞胺涂層的返工方法，其特征在于，所述聚酰亞胺涂層的返工方法，包括：執行步驟S1：對通過第一掩模板所制備的具有第一關鍵尺寸之焊盤開口表面的聚酰亞胺涂層進行剝離；執行步驟S2：對已剝離聚酰亞胺涂層之晶圓進行清洗；執行步驟S3：在晶圓表面涂布聚酰亞胺材料；執行步驟S4：在聚酰亞胺材料上涂布光刻膠，并以第二掩模板進行曝光和顯影，且通過所述第二掩模板所制備的焊盤開口之第二關鍵尺寸大于通過所述第一掩模板所制備的焊盤開口之第一關鍵尺寸。

【技術特征摘要】

【專利技術屬性】
技術研發人員：黃沖，李志國，徐杰，凌松，戴敏潔，
申請(專利權)人：上海華虹宏力半導體制造有限公司，
類型：發明
國別省市：上海;31