一種電路板和電路板上芯片去耦的方法技術

本發明專利技術提供一種電路板和電路板上芯片去耦的方法，該電路板包括：芯片、去耦電容、地層和電源層，其中，所述芯片中的第一引腳連接到所述去耦電容中的第二引腳，形成第一連接；所述芯片中的第三引腳與所述去耦電容中的第四引腳互聯，形成第二連接；所述芯片中的第一引腳、所述去耦電容中的第二引腳還分別連接到與該第一引腳極性相同的地層和電源層中的第一方，以形成所述第一引腳和第二引腳在所述第一方中的第三連接；以形成所述第一連接與所述第三連接并聯連接到第二連接的并聯回路，有效地降低電路板中電路的寄生效應。

【技術實現步驟摘要】

本專利技術涉及電子
，特別涉及。
技術介紹
電路板是所有電子設備中不可或缺的物理載體，早期的電路板，功能簡單，器件密度小，信號速率很低，電路板能完成聯通就可以實現。而隨著人們對電子設備需求的變化，電子產品向著功能更加豐富，性能更加完美等方面發展，電路板上芯片去耦是保證電路板正常工作的關鍵之一。目前，對電路板上芯片的去耦主要是芯片引腳與去耦電容的引腳連接或者芯片引腳與去耦電容的引腳通過過孔分別與對應的電源層或地層連接，使得電路板中電路具有較高的寄生效應。
技術實現思路
本專利技術提供，以降低電路板中電路的寄生效應。—種電路板，包括:芯片、去耦電容、地層和電源層，其中，所述芯片中的第一引腳連接到所述去耦電容中的第二引腳，形成第一連接；所述芯片中的第三引腳與所述去耦電容中的第四引腳互聯，形成第二連接；所述芯片中的第一引腳、所述去耦電容中的第二引腳還分別連接到與該第一引腳極性相同的地層和電源層中的第一方，以形成所述第一引腳和第二引腳在所述第一方中的第三連接；以形成所述第一連接與所述第三連接并聯連接到第二連接的并聯回路。優選地，所述芯片中的第一引腳為距離所述去耦電容最近的引腳；所述去耦電容中的第二引腳為距離所述芯片最近的引腳。優選地，所述芯片中的第一引腳具體通過連接線或預先鋪設的導通介質連接到所述去耦電容中的第二引腳。優選地，所述芯片中的第一引腳連接到所述第一方中的第一過孔；所述去耦電容中的第二引腳連接到所述第一方中的第二過孔。優選地，所述芯片中的第三引腳具體通過連接線或預先鋪設的導通介質與所述去耦電容中的第四引腳互聯；或者，所述芯片中的第三引腳、所述去耦電容中的第四引腳分別具體通過過孔與該第三引腳極性相同的地層和電源層中的第二方連接，以形成所述芯片中的第三引腳與所述去耦電容中的第四引腳互聯。優選地，所述第一引腳和所述第二引腳為地引腳；所述第三引腳和所述第四引腳為電源引腳；所述第一方為地層。優選地，所述第一引腳和所述第二引腳為電源引腳；所述第三引腳和所述第四引腳為地引腳；所述第一方為電源層。—種電路板上芯片去耦的方法，包括:將所述芯片中的第一引腳連接到所述去耦電容中的第二引腳，以形成第一連接；將所述芯片中的第三引腳連接到所述去耦電容中的第四引腳，以形成第二連接；將所述芯片中的第一引腳、所述去耦電容中的第二引腳分別連接到與該第一引腳極性相同的地層和電源層中的第一方，以形成所述第一引腳和第二引腳在所述第一方中的第三連接；以形成所述第一連接與所述第三連接并聯連接到第二連接的并聯回路。優選地，所述芯片中的第一引腳為距離所述去耦電容最近的引腳；所述去耦電容中的第二引腳為距離所述芯片最近的引腳。優選地，所述芯片中的第一引腳連接到所述第一方中的第一過孔；所述去耦電容中的第二引腳連接到所述第一方中的第二過孔。本專利技術實施例提供了，該電路板包括:芯片、去耦電容、地層和電源層，其中，所述芯片中的第一引腳連接到所述去耦電容中的第二引腳，形成第一連接；所述芯片中的第三引腳與所述去耦電容中的第四引腳互聯，形成第二連接；所述芯片中的第一引腳、所述去耦電容中的第二引腳還分別連接到與該第一引腳極性相同的地層和電源層中的第一方，以形成所述第一引腳和第二引腳在所述第一方中的第三連接；以形成所述第一連接與所述第三連接并聯連接到第二連接的并聯回路，該并聯回路有效地降低電路板中電路的寄生效應。【附圖說明】圖1為本專利技術實施例提供的一種電路板的結構示意圖；圖2為本專利技術另一實施例提供的一種電路板的結構示意圖；圖3為本專利技術又一實施例提供的一種電路板的結構示意圖；圖4為本專利技術實施例提供的一種電路板上芯片去耦的方法流程圖。【具體實施方式】下面將結合本專利技術實施例中的附圖，對本專利技術實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述。顯然，所描述的實施例僅是本專利技術一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本專利技術中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本專利技術保護的范圍。如圖1所示，本專利技術實施例提供的一種電路板，包括:芯片、去耦電容、地層和電源層，其中，所述芯片101中的第一引腳1011連接到所述去耦電容102中的第二引腳1021，形成第一連接；所述芯片101中的第三引腳1012與所述去耦電容102中的第四引腳1022互聯，形成第二連接；所述芯片101中的第一引腳1011、所述去耦電容102中的第二引腳1021還分別連接到與該第一引腳極性相同的地層和電源層中的第一方103，以形成所述第一引腳和第二引腳在所述第一方中的第三連接；以形成所述第一連接與所述第三連接并聯連接到第二連接的并聯回路。由于減少回路的面積，也可以有效地使寄生效應導致的影響降低，上述實施例中所述芯片101中的第一引腳1011為距離所述去耦電容最近的引腳，所述去耦電容102中的第二引腳1021，為距離所述芯片最近的引腳；另外，由于第一引腳可以為芯片的地引腳，也可以為芯片的電源引腳，在本專利技術又一實施例中，按照第一引腳類型的不同，將電路板分為兩類:在第一類電路板中，如圖2所示，芯片101中第一引腳為芯片的地引腳2011，第三引腳為芯片的電源引腳2012，該芯片101中地引腳2011為距離去耦電容最近的引腳，且去耦電容102的第二引腳為去耦電容的地引腳2021，也為距離該芯片最近的引腳，去耦電容102的第四引腳為去耦電容的電源引腳2022 ;芯片101中芯片地引腳2011通過連接線或預先鋪設的導通介質連接到所述去耦電容102中去耦電容地引腳2021 ；芯片地引腳2011和去耦電容地引腳2021還分別通過過孔連接到所述地層203 ;芯片電源引腳2012與去耦電容電源引腳2022分別具體通過過孔連接到電源層204。在第二類電路板中，如圖3所示，芯片101中第一引腳為芯片的電源引腳3011，第三引腳為芯片的地引腳3012，該芯片101中電源引腳3011為距離去耦電容最近的引腳，且去耦電容102的第二引腳為去耦電容的電源引腳3021，也為距離該芯片最近的引腳，去耦電容102的第四引腳為去耦電容的地引腳3022 ;芯片101中芯片電源引腳3011通過連接線或預先鋪設的導通介質連接到所述去耦電容102中去耦電容電源引腳3021 ;芯片電源引腳3011和去耦電容電源引腳3021還分別通過過孔連接到所述電源層303 ；芯片地引腳2012與去耦電容地引腳2022分別具體通過過孔連接到地層304。在本專利技術又一實施例中，在第一類電路板中，芯片電源引腳2012與去耦電容電源引腳2022互聯的方式為:芯片電源引腳具體通過連接線或預先鋪設的導通介質與去耦電容電源引腳互聯。在本專利技術又一實施例中，在第二類電路板中，芯片地引腳2012與去耦電容的地引腳2022互聯的方式為:芯片地引腳具體通過連接線或預先鋪設的導通介質與去耦電容地引腳互聯。在本專利技術又一實施例中，在第二類電路板中，芯片地引腳2012與去耦電容的地引腳2022互聯的方式為:芯片地引腳、去耦電容地引腳分別具體通過過孔連接到地層。如圖4所示，本專利技術實施例提供一種電路板上芯片去耦的方法，該方法可以包括如下步驟:步驟401:將所述芯片中的第一引腳連接到所述去耦電容中的第二引腳，以當前第1頁1 2 本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種電路板，其特征在于，包括：芯片、去耦電容、地層和電源層，其中，所述芯片中的第一引腳連接到所述去耦電容中的第二引腳，形成第一連接；所述芯片中的第三引腳與所述去耦電容中的第四引腳互聯，形成第二連接；所述芯片中的第一引腳、所述去耦電容中的第二引腳還分別連接到與該第一引腳極性相同的地層和電源層中的第一方，以形成所述第一引腳和第二引腳在所述第一方中的第三連接；以形成所述第一連接與所述第三連接并聯連接到第二連接的并聯回路。

【技術特征摘要】

【專利技術屬性】
技術研發人員：李德恒，
申請(專利權)人：浪潮電子信息產業股份有限公司，
類型：發明
國別省市：山東;37