晶片的加工方法技術

晶片的加工方法。晶片由基板和層疊體構成，通過層疊體形成多條分割預定線，在由分割預定線劃分的各區域形成有器件，具有：在晶片的該層疊體上配設正面保護部件的正面保護部件配設步驟；保持步驟，在實施了該正面保護部件配設步驟后，隔著該正面保護部件通過保持單元保持晶片并使其基板側露出；切削槽形成步驟，在實施了該保持步驟后，沿著該分割預定線在晶片的該基板上通過具有第一厚度的第一切削刀形成在厚度方向上未完全切斷該基板的切削槽，并且在該切削槽的下方形成該基板的第一切削殘余部；以及截斷步驟，在實施了該切削槽形成步驟后，沿著該分割預定線通過具有比該第一厚度薄的第二厚度的第二切削刀或蝕刻截斷該第一切削殘余部和該層疊體。

【技術實現步驟摘要】

本專利技術涉及作為層間絕緣膜而使用低介電常數絕緣膜(Low-k膜)的晶片的加工方法。
技術介紹
在半導體器件制造工藝中，在大致圓板形狀的硅晶片、砷化鎵晶片等的半導體晶片的正面，通過形成為格子狀的被稱作分割道的分割預定線劃分出多個區域，并且在所劃分出的各區域上形成IC、LSI等的器件。這種半導體晶片在被磨削裝置磨削背面而被加工物規定的厚度后，通過切削裝置或激光加工裝置被分割為各個器件，所分割的器件可廣泛用于移動電話、個人計算機等各種電氣設備中。作為切削裝置，通常使用被稱作切割裝置的切削裝置，該切削裝置通過金屬或樹脂加固金剛石和CBN等的超磨粒，由具有厚度為20～30μm的切削刃的切削刀以大約30000rpm等的高速旋轉并切入半導體晶片中，從而完成切削。形成于半導體晶片的正面上的半導體器件上層疊有多層金屬配線而傳遞信號，各金屬配線間主要通過由SiO2形成的層間絕緣膜實現絕緣。近些年來，伴隨結構的細微化，配線間距離變近，臨近的配線間的電容變大。由此導致產生信號的延遲，消耗功率增加的問題變得顯著。為了減輕各層間的寄生電容，作為在器件(電路)形成時對各層間絕緣的層間絕緣膜，以往主要采用SiO2絕緣膜，而最近開始采用介電常數低于SiO2絕緣膜的低介電常數絕緣膜(Low-k膜)。作為低介電常數絕緣膜，可舉出介電常數低于SiO2膜(介電常數k＝4.1)的(例如k＝2.5至3.6左右)材料，例如SiOC、SiLK等的無機物類的膜、聚酰亞胺類、聚對二甲苯類、聚四氟乙烯系等的聚合物膜即有機物類的膜和含金屬的聚硅氧烷等的多孔硅膜。如果通過切削刀沿著分割預定線切削具有這種低介電常數絕緣膜的層疊體，則由于低介電常數絕緣膜如云母般非常脆，因而會產生層疊體剝離的問題。為了解決該問題，例如在日本特開2005-064230號公報或日本特開2005-142398號公報中，提出了在使用切削刀切削之前，預先通過激光束的照射去除分割預定線上的層疊體，此后通過切削刀分割為芯片的半導體晶片的加工方法。專利文獻1日本特開2005-064230號公報專利文獻2日本特開2005-142398號公報然而，如上述專利文獻1和專利文獻2中所提出的，雖然通過使用激光束加工具有Low-k膜的層疊體而能夠防止被稱作分層的層疊體的剝離，然而需要多路的激光加工，存在生產性較差的問題。此外，在分割預定線上形成有由鋁或銅等金屬構成的被稱作TEG(TestElementGroup：測試元件組)的實驗用電路的情況下，會在晶片的上表面上產生金屬的飛邊。金屬的飛邊會成為使焊盤間短路，或脫落而損傷相鄰電路等的不良情況的產生原因。
技術實現思路
本專利技術就是鑒于上述情況而完成的，其目的在于提供一種在不會產生分層的情況下，能夠去除包含低介電常數絕緣膜的層疊體的晶片的加工方法。本專利技術提供一種晶片的加工方法，該晶片由基板和形成于該基板上的包含低介電常數絕緣膜的層疊體構成，通過該層疊體形成了呈格子狀交叉的多條分割預定線，并在由該分割預定線劃分出的各區域上形成有器件，該加工方法的特征在于，具有：正面保護部件配設步驟，在晶片的該層疊體上配設正面保護部件；保持步驟，在實施了該正面保護部件配設步驟后，隔著該正面保護部件通過保持單元保持晶片并使其基板側露出；切削槽形成步驟，在實施了該保持步驟后，沿著該分割預定線，在晶片的該基板上利用具有第一厚度的第一切削刀形成在厚度方向上未完全切斷該基板的切削槽，并且在該切削槽的下方形成該基板的第一切削殘余部；以及截斷步驟，在實施了該切削槽形成步驟后，沿著該分割預定線，利用具有第二厚度的第二切削刀或蝕刻來截斷該第一切削殘余部和該層疊體，其中，該第二厚度比該第一厚度薄。本專利技術的晶片加工方法優選還具有磨削步驟，在實施了該切削槽形成步驟后且在實施該截斷步驟之前或之后，磨削晶片的該基板而使其變薄并去除該切削槽。本專利技術的晶片加工方法優選在該切削槽形成步驟中形成具有第一寬度的第一切削槽，具有第二切削槽形成步驟，在實施了該切削槽形成步驟后且在實施該截斷步驟之前，在該第一切削槽的底部形成具有第二寬度且在厚度方向上未完全切斷該基板的第二切削槽，并且在該第二切削槽的下方形成該基板的第二切削殘余部，其中，該第二寬度窄于該第一寬度。根據本專利技術的晶片的加工方法，在晶片的層疊體上配設了正面保護部件后，從基板側起截斷層疊體。由于在層疊體正面上配設有正面保護部件，因而能夠防止在層疊體正面上產生分層和飛邊。附圖說明圖1是表示正面保護部件配設步驟的立體圖。圖2是表示保持步驟的剖面圖。圖3是表示切削槽形成步驟的剖面圖。圖4是表示截斷步驟的剖面圖。圖5的(A)是表示磨削步驟的局部剖面側面圖，圖5的(B)是磨削步驟實施后的晶片的剖面圖。圖6是表示第二切削槽形成步驟的剖面圖。圖7是說明基于蝕刻的截斷步驟的剖面圖。圖8是磨削和蝕刻后的晶片的剖面圖。標號說明11：半導體晶片；12：基板；13：層疊體；15：分割預定線；16：第一切削刀；17：器件；18：第二切削刀；19：正面保護帶；21：第一切削槽；22：磨削單元；23：第二切削槽；27、29：截斷槽；28：磨削輪。具體實施方式以下，參照附圖詳細說明本專利技術的實施方式。參照圖1，示出了表示在半導體晶片(以下，有時簡稱為晶片)11的正面11a上貼附作為正面保護部件的正面保護帶19的情形的立體圖。如圖2所示，半導體晶片11由Si等的基板12、以及層疊于基板12上的包含低介電常數絕緣膜(Low-k膜)的層疊體13構成。在形成于晶片11的正面11a上的層疊體13上，在由形成為格子狀的多條分割預定線(分割道)15劃分出的各區域上形成有IC、LSI等的器件17。晶片11例如由硅晶片形成，其厚度為700μm左右。在本專利技術的晶片的加工方法中，在晶片11的正面11a、即層疊體13上，如圖1所示，實施配設正面保護帶19等的正面保護部件的正面保護部件配設步驟。此時，將正面保護帶19貼附于晶片11的正面11a上。接著，如圖2所示，實施保持步驟，具體是通過切削裝置的卡盤臺(保持單元)14隔著正面保護帶19吸附保持晶片11，并使晶片11的基板12側露出。在通過卡盤臺14保持晶片11的狀態下，如圖3所示，實施切削槽形成步驟，具體是沿著分割預定線15通過具有第一厚度的第一切削刀16，從晶片11的背面11b側起形成在厚度方向上未完全切斷基板12的切削槽21，并且在切削槽21的下方形本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種晶片的加工方法，該晶片由基板和形成于該基板上的包含低介電常數絕緣膜的層疊體構成，且通過該層疊體形成了呈格子狀交叉的多條分割預定線，并在由該分割預定線劃分出的各區域上形成了器件，該加工方法的特征在于，具有：正面保護部件配設步驟，在晶片的該層疊體上配設正面保護部件；保持步驟，在實施了該正面保護部件配設步驟后，隔著該正面保護部件通過保持單元保持晶片并使其基板側露出；切削槽形成步驟，在實施了該保持步驟后，沿著該分割預定線，在晶片的該基板上利用具有第一厚度的第一切削刀形成在厚度方向上未完全切斷該基板的切削槽，并且在該切削槽的下方形成該基板的第一切削殘余部；以及截斷步驟，在實施了該切削槽形成步驟后，沿著該分割預定線，利用具有第二厚度的第二切削刀或蝕刻來截斷該第一切削殘余部和該層疊體，其中，該第二厚度比該第一厚度薄。

【技術特征摘要】
2014.05.07 JP 2014-0956861.一種晶片的加工方法，該晶片由基板和形成于該基板上的包含低介電常數絕
緣膜的層疊體構成，且通過該層疊體形成了呈格子狀交叉的多條分割預定線，并在由
該分割預定線劃分出的各區域上形成了器件，
該加工方法的特征在于，具有：
正面保護部件配設步驟，在晶片的該層疊體上配設正面保護部件；
保持步驟，在實施了該正面保護部件配設步驟后，隔著該正面保護部件通過保持
單元保持晶片并使其基板側露出；
切削槽形成步驟，在實施了該保持步驟后，沿著該分割預定線，在晶片的該基板
上利用具有第一厚度的第一切削刀形成在厚度方向上未完全切斷該基板的切削槽，并
且在該切削槽的下方形成該基板的第一切削殘余部；以及
截斷步驟，在實施了該切削槽形成步驟后...

【專利技術屬性】
技術研發人員：卡爾·普利瓦西爾，
申請(專利權)人：株式會社迪思科，
類型：發明
國別省市：日本;JP