存儲裝置、存儲裝置的操作方法和訪問存儲裝置的方法制造方法及圖紙

提供一種存儲裝置、存儲裝置的操作方法和訪問存儲裝置的方法。所述存儲裝置包括非易失性存儲器和控制非易失性存儲器的存儲器控制器。檢測溫度。利用溫度來計算當前加權時間。利用基于當前加權時間而調整的讀取電壓電平從非易失性存儲器讀取數據。當前加權時間是在所述溫度下根據從存儲數據的存儲器單元泄漏的電荷的量來確定的。

【技術實現步驟摘要】
本申請要求于2014年5月13日在韓國知識產權局提交的第10-2014-0057301號韓國專利申請的優先權，該韓國專利申請的公開內容通過引用全部包含于此。
本專利技術構思涉及一種存儲裝置、一種存儲裝置的操作方法和一種訪問存儲裝置的方法。
技術介紹
存儲裝置根據諸如計算機、智能電話和智能平板等的主機裝置的控制而存儲數據。存儲裝置可以包括硬盤驅動器(HDD)以及諸如固態硬盤(SSD)和存儲卡等的半導體存儲器。具體地，存儲裝置可以包括在非易失性存儲器中存儲數據的裝置。非易失性存儲器可以包括只讀存儲器(ROM)、可編程ROM(PROM)，電可編程ROM(EPROM)、電可擦除可編程ROM(EEPROM)、閃存、相變RAM(PRAM)、磁性RAM(MRAM)、電阻RAM(RRAM)以及鐵電RAM(FRAM)等。已經提高了半導體存儲器的集成程度以確保存儲更多信息的能力。這種在半導體存儲器的集成程度上的提高可能會導致錯誤率—被寫入半導體存儲器的數據出現錯誤的幾率—增大。因此，需要一種減小包括半導體存儲器的存儲裝置的錯誤率并提高可靠性的技術。
技術實現思路
根據本專利技術構思的示例性實施例，提供一種存儲裝置的操作方法。所述存儲裝置包括非易失性存儲器和控制非易失性存儲器的存儲器控制器。檢測溫度。利用溫度來計算當前加權時間。利用基于當前加權時間而調整的讀取電壓電平從非易失性存儲器讀取數據。當前加權時間是在所述溫度下根據從存儲數據的存儲器單元泄漏的電荷的量來確定的。根據本專利技術構思的示例性實施例，提供一種存儲裝置。所述存儲裝置包括溫度傳感器、非易失性存儲器以及被配置為控制非易失性存儲器的存儲器控制器。存儲器控制器基于通過溫度傳感器檢測的溫度的變化來計算當前加權時間，并且利用根據當前加權時間調整的讀取電壓電平從非易失性存儲器讀取數據。根據本專利技術構思的示例性實施例，提供一種訪問包括非易失性存儲器的存儲裝置的方法。將數據寫入到非易失性存儲器。將加權時間寄存為數據的加權時間戳。加權時間是基于溫度變化而周期性地更新的。根據本專利技術構思的示例性實施例，提供一種操作包括非易失性存儲器裝置的存儲裝置的方法。接收包括第一數據和第一地址的第一寫入請求。緩沖第一數據。接收包括第二數據和第二地址的第二寫入請求。緩沖第二數據。利用緩沖過的第一數據和第二數據，在同一時間執行針對第一寫入請求和第二寫入請求的寫入操作。寄存與寫入操作關聯的第一加權時間戳。附圖說明通過參照附圖詳細地描述專利技術構思的示例性實施例，專利技術構思的這些和其他特征將變得更明顯，附圖中：圖1是示出根據專利技術構思的示例性實施例的存儲裝置的框圖；圖2是示出根據專利技術構思的示例性實施例的非易失性存儲器的框圖；圖3是示出根據專利技術構思的示例性實施例的存儲塊的電路圖；圖4是示出隨時間和溫度從非易失性存儲器的存儲器單元泄漏的電荷的量的曲線圖；圖5示出非易失性存儲器的存儲器單元的閾值電壓分布；圖6是示出根據專利技術構思的示例性實施例的存儲裝置的操作方法的流程圖；圖7是示出根據專利技術構思的示例性實施例的加權時間計算單元的框圖；圖8是示出根據專利技術構思的示例性實施例的檢測感測溫度的方法的流程圖；圖9是示出根據專利技術構思的示例性實施例的計算加權時間的方法的流程圖；圖10示出根據專利技術構思的示例性實施例的用于計算加權流逝時間的表；圖11示出根據專利技術構思的示例性實施例的用于計算加權流逝時間的表；圖12示出根據專利技術構思的示例性實施例的用于計算加權流逝時間的表；圖13示出根據專利技術構思的示例性實施例的用于計算加權流逝時間的表；圖14是示出根據專利技術構思的示例性實施例的加權時間計算單元的框圖；圖15是示出根據專利技術構思的示例性實施例的在非易失性存儲器寫入數據的方法的流程圖；圖16是示出根據專利技術構思的示例性實施例的寄存在第一時間戳表的加權時間戳的表；圖17是示出根據專利技術構思的示例性實施例的從非易失性存儲器110讀取數據的方法的流程圖；圖18是示出根據專利技術構思的示例性實施例的從非易失性存儲器110讀取數據的方法的流程圖；圖19是示出根據專利技術構思的示例性實施例的對通過存儲器控制器計算的差值進行補償的方法的表；圖20是示出在電力切斷之后當向存儲裝置100供應電力時使存儲裝置中的加權時間恢復的方法的流程圖；圖21是示出存儲器控制器根據讀取的電平差值來計算加權時間WT的示例性實施例的表；圖22是示出根據專利技術構思的示例性實施例的計算裝置的框圖；圖23是示出根據專利技術構思的示例性實施例的計算裝置1000的操作方法的流程圖；圖24是示出根據專利技術構思的示例性實施例的存儲塊的電路圖；圖25是示出根據專利技術構思的示例性實施例的存儲器控制器的框圖；圖26是示出根據專利技術構思的示例性實施例的存儲裝置的框圖；圖27是示出根據專利技術構思的示例性實施例的計算裝置的框圖；圖28是示出根據專利技術構思的示例性實施例的存儲裝置的操作方法的流程圖；以及圖29是示出根據專利技術構思的示例性實施例的計算裝置的框圖。具體實施方式將在下面參照附圖詳細地描述專利技術構思的示例性實施例。然而，專利技術構思可以以不同形式實施，并且不應被解釋為受限于在此闡述的實施例。在附圖中，為了清楚起見，可夸大層和區域的厚度。還將理解的是，當元件被稱作“在”另一元件或基底“上”時，該元件可直接在所述另一元件或基底上，或者也可以存在中間層。還將理解的是，當元件被稱作“結合到”或“連接到”另一元件時，該元件可以直接結合到或連接到另一元件，或者也可以存在中間元件。在整個說明書和附圖中，同樣的附圖標記可以指示同樣的元件。圖1是示出根據專利技術構思的示例性實施例的存儲裝置100的框圖。參照圖1，存儲裝置100包括非易失性存儲器110、存儲器控制器120、隨機存取存儲器(RAM)130以及溫度傳感器140。存儲裝置100可以是固態硬盤(SSD)、存儲卡或嵌入式存儲器。非易失性存儲器110根據存儲器控制器120的控制而執行讀取操作、寫入操作和擦除操作。非易失性存儲器110可以包括閃存。然而，專利技術構思不限于此。非易失性存儲器110可以包含諸如相變RAM(PRAM)、磁性RAM(MRAM)、電阻RAM(RRAM)和鐵電RAM(FRAM)等的非易失性存儲器中的至少一種。存儲器控制器120根據外部主機裝置的請求或者根據預定的調度來控制非易失性存儲器110。例如，本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種存儲裝置的操作方法，所述存儲裝置包括非易失性存儲器和被配置為控制非易失性存儲器的存儲器控制器，所述操作方法包括：檢測溫度；利用所述溫度來計算當前加權時間；以及利用基于當前加權時間而調整的讀取電壓電平從非易失性存儲器讀取數據。

【技術特征摘要】
2014.05.13 KR 10-2014-00573011.一種存儲裝置的操作方法，所述存儲裝置包括非易失性存儲器和被配
置為控制非易失性存儲器的存儲器控制器，所述操作方法包括：
檢測溫度；
利用所述溫度來計算當前加權時間；以及
利用基于當前加權時間而調整的讀取電壓電平從非易失性存儲器讀取數
據。
2.根據權利要求1所述的操作方法，其中，所述溫度是在第一時間段周
期性地檢測的，對當前加權時間的計算是在第二時間段基于所檢測到的溫度
而周期性地執行的，其中，計算當前加權時間的步驟包括：
通過基于檢測到的溫度調整第二時間段的時間來計算加權流逝時間；以
及
通過將加權流逝時間與先前的加權時間相加來計算當前加權時間。
3.根據權利要求2所述的操作方法，其中，加權流逝時間與檢測到的溫
度的升高成比例地增加。
4.根據權利要求2所述的操作方法，其中，加權流逝時間與周期性地計
算當前加權時間所用的第二時間段的時間的增加成比例地增加。
5.根據權利要求2所述的操作方法，其中，還利用對存儲裝置執行的編
程-擦除周期的次數來調整第二時間段的時間，其中，加權流逝時間與編程-
擦除周期的次數的增加成比例地增加。
6.根據權利要求5所述的操作方法，其中，編程-擦除周期的次數是對
非易失性存儲器的多個存儲塊中的每個存儲塊執行擦除操作的平均次數。
7.根據權利要求2所述的操作方法，其中，計算當前加權時間所用的第
二時間段比檢測溫度所用的第一時間段短。
8.根據權利要求1所述的操作方法，其中，利用存儲裝置的內部溫度傳
感器或存儲裝置的外部溫度傳感器來檢測溫度。
9.根據權利要求1所述的操作方法，所述操作方法還包括：
將數據寫入到非易失性存儲器；以及
將與寫入到非易失性存儲器的數據相關聯的加權時間寄存為數據的加權
時間戳。
10.根據權利要求9所述的操作方法，所述操作方法還包括：
計算數據的加權時間戳和數據的當前加權時間之間的差值，其中，基于
計算出的差值來調整讀取電壓電平。
11.根據權利...

【專利技術屬性】
技術研發人員：張世正，金經綸，金男鎬，
申請(專利權)人：三星電子株式會社，
類型：發明
國別省市：韓國;KR