本發明專利技術公開了一種電可擦可編程只讀存儲器及其數據處理方法。其中，該電可擦可編程只讀存儲器包括：邏輯前置電路，用于接收用于測試電可擦可編程只讀存儲器的設定值；以及內部電路，內部電路設置在電可擦可編程只讀存儲器上，內部電路與邏輯前置電路相連接，用于存儲設定值。通過本發明專利技術，解決現有技術中EEPROM芯片整體的管腳數量多導致EEPROM芯片使用不便的問題，進而達到了減少管腳數量的效果。
【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及存儲器領域，具體而言，涉及一種。
技術介紹
目前，定制的電可擦可編程只讀存儲器(Electrically Erasable Read-OnlyMemory,簡稱EEPROM)芯片通常加入一些額外的功能電路來滿足客戶對于EEPROM芯片特殊的性能要求。對于這些功能需求，在EEPROM電路設計時，通常加入一些由測試管腳控制的開關電路來對EEPROM芯片的時間、速度等性能指標進行微調。但是隨著功能的增多，測試管腳也逐步增多，不但增加EEPROM芯片整體的管腳數量，而且還增大EEPROM芯片測試時的初始化時間。由于EEPROM芯片整體的管腳數量增多，導致EEPROM芯片的使用不便。針對現有技術中EEPROM芯片整體的管腳數量多導致EEPROM芯片使用不便的問題，目前尚未提出有效的解決方案。
技術實現思路
本專利技術的主要目的在于提供一種，以解決現有技術中EEPROM芯片整體的管腳數量多導致EEPROM芯片使用不便的問題。為了實現上述目的，根據本專利技術的一個方面，提供了一種電可擦可編程只讀存儲器。根據本專利技術的電可擦可編程只讀存儲器包括:邏輯前置電路，用于接收用于測試電可擦可編程只讀存儲器的設定值；以及內部電路，內部電路設置在電可擦可編程只讀存儲器上，內部電路與邏輯前置電路相連接，用于存儲設定值。進一步地，電可擦可編程只讀存儲器還包括安全存儲區域，安全存儲區域包括冗余地址，電可擦可編程只讀存儲器通過冗余地址讀取設定值。進一步地，電可擦可編程只讀存儲器還包括數據存儲區域，數據存儲區域的存儲空間大于安全存儲區域的存儲空間。進一步地，邏輯前置電路包括數據總線，數據總線用于接收寫入的設定數據，并將在數據總線內寫入的設定數據作為設定值。進一步地，電可擦可編程只讀存儲器還包括:寄存器，與數據總線相連接，用于存儲數據總線的數據。進一步地，邏輯前置電路包括多個輸出總線，多個輸出總線用于將設定值拆分，并將拆分后的設定值逐一傳輸給內部電路。為了實現上述目的，根據本專利技術的另一方面，提供了一種電可擦可編程只讀存儲器的數據處理方法。根據本專利技術的數據處理方法包括:邏輯前置電路接收用于測試電可擦可編程只讀存儲器的設定值，其中，邏輯前置電路與電可擦可編程只讀存儲器的內部電路相連接；以及邏輯前置電路將設定值傳輸給內部電路，其中，內部電路用于存儲設定值。進一步地，在邏輯前置電路接收用于測試電可擦可編程只讀存儲器的設定值之后，數據處理方法還包括:邏輯前置電路接收選區信號，選區信號用于選擇電可擦可編程只讀存儲器的存儲區域；基于選區信號選擇電可擦可編程只讀存儲器的安全存儲區域；以及通過安全存儲區域的冗余地址讀取設定值。進一步地，邏輯前置電路包括多個輸出總線，其中，邏輯前置電路將設定值傳輸給內部電路包括:邏輯前置電路對設定值進行拆分；將拆分后的設定值賦值給多個輸出總線；以及通過多個輸出總線將拆分后的設定值傳輸給內部電路。進一步地，邏輯前置電路包括數據總線，其中，邏輯前置電路接收用于測試電可擦可編程只讀存儲器的設定值包括:數據總線接收寫入的設定數據，將設定數據作為設定值，在邏輯前置電路接收用于測試電可擦可編程只讀存儲器的設定值之后，數據處理方法還包括:將設定數據寫入寄存器。通過本專利技術，采用邏輯前置電路，用于接收用于測試電可擦可編程只讀存儲器的設定值；以及內部電路，內部電路設置在電可擦可編程只讀存儲器上，內部電路與邏輯前置電路相連接，用于存儲設定值，解決現有技術中EEPROM芯片整體的管腳數量多導致EEPROM芯片使用不便的問題，進而達到了減少管腳數量的效果。【附圖說明】構成本申請的一部分的附圖用來提供對本專利技術的進一步理解，本專利技術的示意性實施例及其說明用于解釋本專利技術，并不構成對本專利技術的不當限定。在附圖中:圖1是根據本專利技術實施例的電可擦可編程只讀存儲器的電路圖；圖2是根據本專利技術實施例可選的電可擦可編程只讀存儲器的電路圖；以及圖3是根據本專利技術實施例的電可擦可編程只讀存儲器的數據處理方法的流程圖。【具體實施方式】需要說明的是，在不沖突的情況下，本申請中的實施例及實施例中的特征可以相互組合。下面將參考附圖并結合實施例來詳細說明本專利技術。 為了使本
的人員更好地理解本專利技術方案，下面將結合本專利技術實施例中的附圖，對本專利技術實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本專利技術一部分的實施例，而不是全部的實施例。基于本專利技術中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都應當屬于本專利技術保護的范圍。需要說明的是，本專利技術的說明書和權利要求書及上述附圖中的術語“包括”和“具有”以及他們的任何變形，意圖在于覆蓋不排他的包含，例如，包含了一系列步驟或單元的過程、方法、系統、產品或設備不必限于清楚地列出的那些步驟或單元，而是可包括沒有清楚地列出的或對于這些過程、方法、產品或設備固有的其它步驟或單元。本專利技術實施例提供了一種電可擦可編程只讀存儲器，該電可擦可編程只讀存儲器可以是通過集成電路形成的EEPROM芯片。本專利技術實施例的電可擦可編程只讀存儲器包括邏輯前置電路和內部電路。邏輯前置電路用于接收用于測試電可擦可編程只讀存儲器的設定值。內部電路設置在電可擦可編程只讀存儲器上，該內部電路與邏輯前置電路相連接，用于存儲設定值。用于測試電可擦可編程只讀存儲器的設定值可以是現有技術中用于輸入測試管腳的設定值，可以采用寄存器存儲該設定值。采用邏輯前置電路代替測試管腳，從而減少測試管腳的數量減少EEPROM芯片中測試管腳占整體管腳的數量，同時不影響原有測試管腳所控制的電路的功能。本專利技術實施例中，可以將加入新的內部數據總線DBIX與原有的數據總線DBI相關聯，同時結合已有的輸入信號(A，SMSEL，WEN)作為邏輯電路的控制信號，來實現邏輯前置電路的功能。具體地，如圖1所示，A為EEPROM芯片的地址輸入信號，SMSEL為選區信號，WEN為使能信號。電可擦可編程只讀存儲器包括安全存儲區域(Security Memory，簡稱SM)和數據存儲區域(Data Memory，簡稱DM)，數據存儲區域的存儲空間大于安全存儲區域的存儲空間。安全存儲區域包括冗余地址，電可擦可編程只讀存儲器通過冗余地址讀取設定值。EEPROM芯片的儲存區域分為兩部分，通過SMSEL信號進行選取，Data Memory (DM)區域往往遠大于Security Memory (SM)區域,這樣SM區域將存在冗余地址,此次邏輯前置電路將利用SM區域的冗余地址線作為EEPROM芯片電路判斷的條件，通過該冗余地址讀取設定值，用于測試EEPROM芯片。由于EEPROM芯片輸出位越少，所需要的地址越多，對于多位輸出的EEPROM芯片(32位或36位輸出)而言，一個地址所儲存的數據將足以滿足原有的測試管腳的數量需求。對于32位以下輸出的EEPROM芯片則將采用多個地址的協同控制電路，如圖2所示，通過多組(A，SMSEL)作為控制信號進行控制。邏輯前置電路包括數據總線，數據總線用于接收寫入的設定數據，并將在數據總線內寫入的設定數據作為設定值。如圖所示，數據總線包括新加入的第一數據總線DBIX和第二數據總線DBI (原有的數據總線)。邏輯前置電路還包括新邏輯塊NLB (New 本文檔來自技高網...
【技術保護點】
一種電可擦可編程只讀存儲器，其特征在于，包括：邏輯前置電路，用于接收用于測試電可擦可編程只讀存儲器的設定值；以及內部電路，所述內部電路設置在所述電可擦可編程只讀存儲器上，所述內部電路與所述邏輯前置電路相連接，用于存儲所述設定值。
【技術特征摘要】
【專利技術屬性】
技術研發人員：趙子鑒，鄭曉，楊翼，殷常偉，于春天，
申請(專利權)人：中芯國際集成電路制造上海有限公司，
類型：發明
國別省市：上海;31
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