本發(fā)明專利技術(shù)提供一種晶片的加工方法，其能夠防止晶片的破損并且能夠充分地確保器件的形成數(shù)量。包括：磨削步驟，對晶片(11)的背面(11b)進(jìn)行磨削來形成與器件區(qū)域(13)對應(yīng)的凹部(23)，并且在晶片的背面?zhèn)刃纬膳c外周剩余區(qū)域(15)對應(yīng)的環(huán)狀凸部(25)；以及切斷槽形成步驟，在實(shí)施磨削步驟后，在凹部與環(huán)狀凸部之間的邊界上形成從晶片的正面(11a)到背面的切斷槽(33)，該切斷槽(33)切斷器件區(qū)域和外周剩余區(qū)域，切斷槽是通過干蝕刻形成的。
【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)涉及較薄地加工。
技術(shù)介紹
近年來，為了實(shí)現(xiàn)小型輕量的器件，要求較薄地加工由硅等材料而成的晶片。例如，在由晶片正面的分割預(yù)定線(芯片間隔，street)劃分的各區(qū)域上形成IC等器件后，對背面?zhèn)冗M(jìn)行磨削，由此使晶片薄化。然而，通過磨削來使晶片薄化后，剛性大幅地降低而在后續(xù)工序中不易操作。因此，提出了如下這樣的加工方法:對與中央的器件區(qū)域?qū)?yīng)的晶片的背面?zhèn)冗M(jìn)行磨削，并且維持外周部分的厚度，由此在磨削后的晶片上保留規(guī)定的剛性(例如，參照專利文獻(xiàn)I)。在該加工方法中，例如使用直徑比晶片小的磨削輪來對晶片的背面?zhèn)冗M(jìn)行磨削，來形成與器件區(qū)域?qū)?yīng)的凹部。借助在包圍器件區(qū)域的外周剩余區(qū)域的背面?zhèn)葰埩舻沫h(huán)狀的加強(qiáng)部(環(huán)狀凸部)，來保持晶片的剛性。此外，以后通過切削等方法，去除環(huán)狀凸部(例如，參照專利文獻(xiàn)2)。現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)1:日本特開2007 - 19461號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2:日本特開2011 — 61137號(hào)公報(bào)。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
專利技術(shù)所要解決的問題在多數(shù)情況下與上述的器件區(qū)域?qū)?yīng)的凹部被形成為以曲面連接底面與側(cè)面的形狀。形成這種形狀的凹部的原因是，安裝在磨削輪上的磨削砂輪的角部隨著磨削的進(jìn)行被磨耗而成為圓形。即，因磨耗而磨削砂輪的角部上形成的圓形部分被轉(zhuǎn)印到晶片上，在凹部的底面與側(cè)面之間的連接部分上產(chǎn)生曲面形狀(R形狀)。通常，通過在凹部的底面與側(cè)面之間的連接部分切入切削刀片，來去除環(huán)狀的加強(qiáng)部。然而，當(dāng)在如上所述的R形狀的連接部分切入切削刀片時(shí)，切削刀片被施加因R形狀而產(chǎn)生的彎曲方向的力，導(dǎo)致切削刀片彎曲。因此，有時(shí)導(dǎo)致晶片破損。在凹部的底面中，在避開R形狀的平坦的區(qū)域切入切削刀片時(shí)，能夠防止因切削刀片的彎曲而產(chǎn)生的晶片的破損等。然而，在該情況下，器件區(qū)域變窄而無法充分地確保器件的形成數(shù)量。本專利技術(shù)是鑒于所涉及的問題點(diǎn)而提出的，其目的在于提供一種，其能夠防止晶片的破損并且能夠充分地確保器件的形成數(shù)量。用于解決問題的手段根據(jù)本專利技術(shù)，提供一種，該晶片具有器件區(qū)域和圍繞該器件區(qū)域的外周剩余區(qū)域，該器件區(qū)域在由交叉的多個(gè)分割預(yù)定線劃分的正面的各區(qū)域上分別形成有器件，其特征在于，所述包括:磨削步驟，對晶片的背面進(jìn)行磨削來形成與該器件區(qū)域?qū)?yīng)的凹部，并且在晶片的背面?zhèn)刃纬膳c該外周剩余區(qū)域?qū)?yīng)的環(huán)狀凸部；以及切斷槽形成步驟，在實(shí)施該磨削步驟后，在該凹部與該環(huán)狀凸部之間的邊界上形成從晶片的正面到達(dá)背面的切斷槽，該切斷槽用于切斷該器件區(qū)域和該外周剩余區(qū)域，該切斷槽是通過干蝕刻形成的。在本專利技術(shù)中，優(yōu)選的是，所述還包括分割步驟，在該分割步驟中，通過干蝕刻，沿著該分割預(yù)定線形成從晶片的正面到達(dá)背面的分割槽，且沿著該分割預(yù)定線對晶片進(jìn)行分割，同時(shí)實(shí)施該分割步驟與該切斷槽形成步驟。另外，在本專利技術(shù)中，優(yōu)選的是，所述還包括:正面保護(hù)部件配設(shè)步驟，在實(shí)施該磨削步驟之前，在晶片的正面上配設(shè)正面保護(hù)部件；以及掩模形成步驟，在實(shí)施該磨削步驟后，實(shí)施該切斷槽形成步驟和該分割步驟之前，在晶片的背面上形成掩模，該掩模露出了與形成于該凹部與該環(huán)狀凸部之間的邊界上的該切斷槽對應(yīng)的區(qū)域以及與該分割預(yù)定線對應(yīng)的區(qū)域。專利技術(shù)效果在本專利技術(shù)的中，對晶片的背面?zhèn)冗M(jìn)行磨削來形成凹部和環(huán)狀凸部的磨削步驟后，實(shí)施通過干蝕刻來在凹部與環(huán)狀凸部之間的邊界形成切斷槽的切斷槽形成步驟，因此能夠在不使切削刀片切入的情況下形成切斷槽來去除環(huán)狀凸部。因而，能夠防止因切削刀片的彎曲而產(chǎn)生的晶片的破損等。另外，由于不需要避開凹部與環(huán)狀凸部之間的邊界而形成切斷槽，所以能夠充分地確保器件的形成數(shù)量。這樣，根據(jù)本專利技術(shù)，能夠提供防止晶片的破損并且能夠充分地確保器件的形成數(shù)量的。【附圖說明】圖1的(A)是示意性地示出晶片的例子的立體圖，圖1的(B)是示意性地示出正面保護(hù)部件配設(shè)步驟的立體圖，圖1的(C)是示意性地示出正面保護(hù)部件配設(shè)步驟的剖視圖。圖2的(A)是示意性地示出磨削步驟的立體圖，圖2的⑶是示意性地示出實(shí)施了磨削步驟后的晶片等的剖視圖。圖3的(A)是示意性地示出掩模形成步驟的剖視圖，圖3的⑶是示意性地示出切斷槽形成步驟及分割步驟的剖視圖。圖4的(A)是示意性地示出轉(zhuǎn)印步驟的剖視圖，圖4的⑶是示意性地示出掩模形成步驟的剖視圖，圖4的(C)是示意性地示出切斷槽形成步驟的剖視圖，圖4的(D)是示意性地示出環(huán)狀凸部去除步驟的剖視圖。圖5是示意性地示出分割步驟的立體圖。標(biāo)號(hào)說明:11:晶片；Ila:正面；lib:背面；lie:外周；13:器件區(qū)域；15:外周剩余區(qū)域；17:分割預(yù)定線(芯片間隔)；19:器件；21:保護(hù)部件；21a:正面；21b:背面；23:凹部；25:環(huán)狀凸部(加強(qiáng)部)；31:掩模；33:切斷槽；35:分割槽；41:切割帶；43:框架；45:掩模；47:切斷槽；51:晶片；53:分割槽；2:磨削裝置；4:保持工作臺(tái)；6:磨削機(jī)構(gòu)；8:主軸箱；10:主軸；12:磨削輪；12a:輪基座；12b:磨削砂輪；22:切削裝置；24:切削刀片；26:主軸；28:主軸箱。【具體實(shí)施方式】參照附圖，對本專利技術(shù)的實(shí)施方式進(jìn)行說明。此外，在以下的第I實(shí)施方式中，對同時(shí)實(shí)施切斷槽形成步驟和分割步驟的進(jìn)行說明，在所述切斷槽形成步驟中，在晶片上形成用于切斷器件區(qū)域和外周剩余區(qū)域的切斷槽，在所述分割步驟中，沿著分割預(yù)定線對晶片進(jìn)行分割，在第2實(shí)施方式中，對以不同的時(shí)刻實(shí)施切斷槽形成步驟和分割步驟的進(jìn)行說明。(第I實(shí)施方式)在本實(shí)施方式中，對同時(shí)實(shí)施切斷槽形成步驟和分割步驟的進(jìn)行說明。本實(shí)施方式的包括:正面保護(hù)部件配設(shè)步驟(參照圖1的(B)及圖1的(C))、磨削步驟(參照圖2的㈧及圖2的(B))、掩模形成步驟(參照圖3的㈧)、切斷槽形成步驟(參照圖3的(B))以及分割步驟(參照圖3的(B))。在正面保護(hù)部件配設(shè)步驟中，在晶片的正面?zhèn)扰湓O(shè)保護(hù)部件。在磨削步驟中，對晶片的背面?zhèn)冗M(jìn)行磨削，來形成與器件區(qū)域?qū)?yīng)的凹部以及與外周剩余區(qū)域?qū)?yīng)的環(huán)狀凸部。在掩模形成步驟中，在晶片的背面?zhèn)刃纬裳谀＃撗谀Ｂ冻隽税疾颗c環(huán)狀凸部之間的邊界及與分割預(yù)定線對應(yīng)的區(qū)域。在切斷槽形成步驟中，對晶片從背面?zhèn)冗M(jìn)行干蝕刻，在凹部與環(huán)狀凸部之間的邊界上形成切斷槽。在分割步驟中，對晶片從背面?zhèn)冗M(jìn)行干蝕刻，形成與分割預(yù)定線對應(yīng)的分割槽。此外，在本實(shí)施方式中，同時(shí)實(shí)施切斷槽形成步驟和分割步驟當(dāng)前第1頁1 2 3 本文檔來自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種晶片的加工方法，該晶片具有器件區(qū)域和圍繞該器件區(qū)域的外周剩余區(qū)域，該器件區(qū)域在由交叉的多個(gè)分割預(yù)定線劃分的正面的各區(qū)域上分別形成有器件，其特征在于，所述晶片的加工方法包括：磨削步驟，對晶片的背面進(jìn)行磨削來形成與該器件區(qū)域?qū)?yīng)的凹部，并且在晶片的背面?zhèn)刃纬膳c該外周剩余區(qū)域?qū)?yīng)的環(huán)狀凸部；以及切斷槽形成步驟，在實(shí)施該磨削步驟后，在該凹部與該環(huán)狀凸部之間的邊界上形成從晶片的正面到達(dá)背面的切斷槽，該切斷槽用于切斷該器件區(qū)域和該外周剩余區(qū)域，該切斷槽是通過干蝕刻形成的。
【技術(shù)特征摘要】
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【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：鈴木克彥，
申請(專利權(quán))人：株式會(huì)社迪思科，
類型：發(fā)明
國別省市：日本;JP
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