蒸鍍掩模、蒸鍍掩模準備體、蒸鍍掩模的制造方法、及有機半導體元件的制造方法技術

本發明專利技術提供一種即使在大型化的情況下，也能夠同時滿足高精細化和輕質化二者，且可以在保持強度的同時形成高精細的蒸鍍圖案的蒸鍍掩模；及可簡便制造該蒸鍍掩模的蒸鍍掩模準備體或蒸鍍掩模的制造方法；以及可制造高精細的有機半導體元件的制造方法。將設有縫隙(15)的金屬掩模(10)、和在與縫隙(15)重合的位置設有與要蒸鍍制作的圖案相對應的開口部(25)的樹脂掩模(20)疊層，金屬掩模(10)具有設有縫隙(15)的一般區域(10a)、和壁厚厚于該一般區域的厚壁區域(10b)。

【技術實現步驟摘要】
【國外來華專利技術】
本專利技術涉及。
技術介紹
目前，在有機EL元件的制造中，為了形成有機EL元件的有機層或陰極電極，例如在應蒸鍍的區域使用以微小間隔平行地排列多個微細縫隙而成的金屬制蒸鍍掩模。在使用該蒸鍍掩模的情況下，在應蒸鍍的基板表面載置蒸鍍掩模，從背面使用磁鐵來保持，但由于縫隙的剛性極小，所以在將蒸鍍掩模保持于基板表面時，容易在縫隙產生變形，而妨礙高精細化或縫隙長度變大的制品大型化。對于用于防止縫隙變形的蒸鍍掩模進行了各種研究，例如在專利文獻I中公開了一種蒸鍍掩模，其具備:具有多個開口部的兼作第一金屬掩模的底板；在覆蓋上述開口部的區域具備多個微細縫隙的第二金屬掩模；使第二金屬掩模以沿縫隙的長度方向拉伸的狀態位于底板上的掩模拉伸保持裝置。即，公開了一種組合有2種金屬掩模的蒸鍍掩模。根據該蒸鍍掩模，縫隙不會發生變形，即可確保縫隙精度。但是，近年來，隨著使用有機EL元件的制品的大型化或基板尺寸的大型化，對于蒸鍍掩模，大型化的要求不斷增高，用于制造由金屬構成的蒸鍍掩模的金屬板也大型化。但是，在現在的金屬加工技術中，難以在大型的金屬板上高精度地形成縫隙，即使通過上述專利文獻I所提出的方法等可防止縫隙部的變形，也不能應對縫隙的高精細化。另外，在形成為僅由金制構成的蒸鍍掩模的情況下，隨著大型化，其質量也增大，包含框架的總質量也增大，因此，會在處理時造成障礙。在上述公開的蒸鍍掩模中，為實現蒸鍍掩模的輕質化，需要減薄由金屬制成的蒸鍍掩模的厚度。但是，在減薄由金屬制成的蒸鍍掩模的厚度的情況下，使蒸鍍掩模的強度降低，會產生在蒸鍍掩模上發生變形的情況、或難以處理等新的問題。現有技術文獻專利文獻專利文獻1:日本特開2003-332057號公報
技術實現思路
專利技術所要解決的課題本專利技術是鑒于這樣的狀況而進行的，其主要課題在于，提供一種即使在大型化的情況下，也能夠滿足高精細化和輕質化二者，且可以在保持強度的同時形成高精細的蒸鍍圖案的蒸鍍掩模；可簡便制造該蒸鍍掩模的蒸鍍掩模準備體、蒸鍍掩模的制造方法；以及可制造高精細的有機半導體元件的有機半導體元件的制造方法。用于解決課題的技術方案為解決上述課題，本專利技術提供一種蒸鍍掩模，其疊層有設有縫隙的金屬掩模、和在與所述縫隙重合的位置設有與要蒸鍍制作的圖案相對應的開口部的樹脂掩模，所述金屬掩模具有設有所述縫隙的一般區域、和壁厚厚于該一般區域的厚壁區域。所述蒸鍍掩模中，所述一般區域的厚度也可以為5 μπι以上且25 μm以下。另外，為解決上述課題，本專利技術提供一種用于獲得蒸鍍掩模的蒸鍍掩模準備體，所述蒸鍍掩模疊層有設有縫隙的金屬掩模、和在與所述縫隙重合的位置設有與要蒸鍍制作的圖案相對應的開口部的樹脂掩模，其中，在樹脂板的一面上疊層設有縫隙的金屬掩模，所述金屬掩模具有設有所述縫隙的一般區域、和壁厚厚于該一般區域的厚壁區域。另外，為解決上述課題，本專利技術提供一種蒸鍍掩模的制造方法，該方法包括:將設有縫隙的金屬掩模和樹脂板貼合的工序；從所述金屬掩模側照射激光，在所述樹脂板上形成與要蒸鍍制作的圖案相對應的開口部的工序，作為所述金屬掩模，使用具有設有所述縫隙的一般區域、和壁厚厚于該一般區域的厚壁區域的金屬掩模。另外，所述制造方法中使用的所述金屬掩模也可以是通過以下工序得到的金屬掩模:將金屬板的所述厚壁區域部分進行掩蔽，將該金屬板的未掩蔽區域進行薄型化加工，由此形成所述一般區域的工序；在所述一般區域內形成所述縫隙的工序。另外，在所述制造方法中，也可以進行下述工序:在將貼合有所述樹脂板的金屬掩模固定于框架上后，從所述金屬掩模側照射激光，在所述樹脂板上形成與要蒸鍍制作的圖案相對應的開口部的工序。另外，為解決上述課題，本專利技術提供一種有機半導體元件的制造方法，該方法包括:使用框架上固定有蒸鍍掩模的帶框架的蒸鍍掩模，在蒸鍍對象物上形成蒸鍍圖案的工序，在形成所述蒸鍍圖案的工序中，所述固定于所述框架的所述蒸鍍掩模疊層有設有縫隙的金屬掩模、和在與所述縫隙重合的位置設有與要蒸鍍制作的圖案相對應的開口部的樹脂掩模，所述金屬掩模具有設有所述縫隙的一般區域、和壁厚厚于該一般區域的厚壁區域。專利技術的效果根據本專利技術一實施方式的蒸鍍掩模，即使在大型化的情況下，也能夠滿足高精細化及輕質化二者，且可在保持強度的同時，形成高精細的蒸鍍圖案。另外，根據本專利技術一實施方式的蒸鍍掩模準備體、蒸鍍掩模的制造方法，可簡便制造上述特征的蒸鍍掩模。另外，根據本專利技術一實施方式的有機半導體元件的制造方法，可高精度地制造有機半導體元件。【附圖說明】圖1 (a)是從金屬掩模側觀察一實施方式的蒸鍍掩模的正面圖，(b)是一實施方式的蒸鍍掩模的概略剖面圖；圖2 (a)?(d)是從金屬掩模側觀察一實施方式的蒸鍍掩模的正面圖；圖3是從金屬掩模側觀察一實施方式的蒸鍍掩模的正面圖；圖4是從金屬掩模側觀察一實施方式的蒸鍍掩模的正面圖；圖5是從金屬掩模側觀察一實施方式的蒸鍍掩模的正面圖；圖6是一實施方式的蒸鍍掩模100的局部放大剖面圖；圖7(a)是樹脂掩模的其它實施方式的立體圖，(b)是其剖面圖；圖8是表示陰影和金屬掩模的厚度的關系的概略剖面圖；圖9是表示金屬掩模的縫隙和樹脂掩模的開口部的關系的部分概略剖面圖；圖10是表示金屬掩模的縫隙和樹脂掩模的開口部的關系的部分概略剖面圖；圖11是從金屬掩模側觀察一實施方式的蒸鍍掩模的正面圖；圖12是從金屬掩模側觀察一實施方式的蒸鍍掩模的正面圖；圖13是從金屬掩模側觀察一實施方式的蒸鍍掩模的正面圖；圖14是一實施方式的蒸鍍掩模的概略剖面圖；圖15是從金屬掩模側觀察一實施方式的蒸鍍掩模的正面圖；圖16是用于說明一實施方式的蒸鍍掩模的制造方法的工序圖，其中(a)?(C)全是剖面圖；圖17是用于說明金屬掩模的形成方法的例子的工序圖，其中(a)?(h)全是剖面圖；圖18是從樹脂掩模側觀察一實施方式的帶框架的蒸鍍掩模的正面圖；圖19是從樹脂掩模側觀察一實施方式的帶框架的蒸鍍掩模的正面圖。標記說明10:金屬掩模1a:一般區域1b:厚壁區域15:縫隙18:橋部20:樹脂掩模25:開口部60:金屬框架100:蒸鍍掩模200:帶框架的蒸鍍掩模【具體實施方式】以下，采用附圖具體說明本專利技術一實施方式的蒸鍍掩模100。圖1(a)是從金屬掩模側觀察本專利技術一實施方式的蒸鍍掩模的正面圖，圖1 (b)是圖1 (a)的概略剖面圖。另外，圖2?圖4是從金屬掩模側觀察一實施方式的蒸鍍掩模的正面圖。需要說明的是，圖1(a)、(b)、圖2?圖4中以斜線部所示區域為厚壁區域10b，金屬掩模10通過一般區域1a和厚壁區域1b而形成一體。以下，以圖示實施方式的蒸鍍掩模為中心進行說明，但本專利技術不限于圖示實施方式。如圖1 (b)所示，一實施方式的蒸鍍掩模100采用下述結構:由設有縫隙15的金屬掩模10 ;和位于金屬掩模10的表面(在為圖1 (b)所不的情況下為金屬掩模10的下面)且在與縫隙15重合的位置設有與要蒸鍍制作的圖案相對應的開口部25的樹脂掩模20疊層而成的結構。在此，假設一實施方式的蒸鍍掩模100和現有公知的僅由金屬制成的蒸鍍掩模的整體厚度相同，將二者的質量進行比較時，僅就現有公知的蒸鍍掩模的金屬材料的一部分被置換成樹脂材料這部分而言，本專利技術的蒸鍍掩模100的質量變輕。另外，使用僅由金屬構成本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種蒸鍍掩模，其疊層有金屬掩模和樹脂掩模，其中，所述金屬掩模設有縫隙，所述樹脂掩模在與所述縫隙重合的位置設有與要蒸鍍制作的圖案相對應的開口部，所述金屬掩模具有設有所述縫隙的一般區域、和壁厚厚于該一般區域的厚壁區域。

【技術特征摘要】
【國外來華專利技術】...

【專利技術屬性】
技術研發人員：小幡勝也，武田利彥，川崎博司，西村佑行，真木淳，落合洋光，廣部吉紀，
申請(專利權)人：大日本印刷株式會社，
類型：發明
國別省市：日本;JP