絕緣檢測(cè)裝置及絕緣檢測(cè)方法制造方法及圖紙

本發(fā)明專利技術(shù)提供一種能更好地檢測(cè)電火花的產(chǎn)生，進(jìn)而能更好地將產(chǎn)生電火花的基板區(qū)別為不良品的絕緣檢測(cè)技術(shù)。絕緣檢測(cè)裝置在向絕緣檢測(cè)對(duì)象配線圖形間的電壓施加的開始至絕緣檢測(cè)對(duì)象配線圖形間的電壓變穩(wěn)定的所定時(shí)間為止的期間，檢測(cè)因電壓施加而產(chǎn)生的絕緣檢測(cè)對(duì)象配線圖形間的電壓。在該期間，若檢測(cè)到在絕緣檢測(cè)對(duì)象配線圖形間因產(chǎn)生的電火花而引起的電壓降的發(fā)生，則將被檢測(cè)基板判定為不良品(步驟S17、S18)。尤其，所述期間的供給電流根據(jù)絕緣檢測(cè)對(duì)象配線圖形中上流側(cè)配線圖形(高電位側(cè)配線圖形)上所形成的檢測(cè)點(diǎn)的數(shù)量而進(jìn)行設(shè)定(步驟S11)。

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
【國外來華專利技術(shù)】
本專利技術(shù)涉及一種在被檢測(cè)基板上形成的配線圖形間進(jìn)行絕緣檢測(cè)的絕緣檢測(cè)裝置及其相關(guān)技術(shù)。
技術(shù)介紹
在具有多個(gè)配線圖形的基板(電路基板)中，通過判定從該多個(gè)配線圖形中依次選擇的一對(duì)配線圖形相互間的絕緣狀態(tài)的良好與否，來進(jìn)行該基板是否為良品的絕緣檢測(cè)。具體來講，針對(duì)一對(duì)配線圖形開始施加電壓后，基于在該電壓變穩(wěn)定的所定時(shí)間一對(duì)配線圖形相互間的電壓以及在該所定時(shí)間一對(duì)配線圖形相互間流動(dòng)的電流，算出該一對(duì)配線圖形相互間的電阻值，且基于該電阻值進(jìn)行被檢測(cè)基板的良品判定。在這種絕緣檢測(cè)中，向一對(duì)配線圖形相互間施加較高的電壓。鑒于此，存在著在一對(duì)配線圖形相互間(更詳細(xì)地來講，具有不充分絕緣狀態(tài)的部分)產(chǎn)生電火花的同時(shí)產(chǎn)生因該電火花而引起的不良之情況。對(duì)此，存在一種能更準(zhǔn)確地將產(chǎn)生這種電火花的基板區(qū)別為不良品的技術(shù)(參考專利文獻(xiàn)I)。在專利文獻(xiàn)I記載的技術(shù)中，在開始向一對(duì)配線圖形施加電壓的時(shí)間起至該電壓變穩(wěn)定的所定時(shí)間為止的期間，檢測(cè)出根據(jù)電壓施加而產(chǎn)生的一對(duì)配線圖形的電壓。且在該期間若檢測(cè)出檢測(cè)電壓的電壓降，則將檢測(cè)對(duì)象的基板判定為不良品。但在如上所述絕緣檢測(cè)中，為了縮短該絕緣檢測(cè)所需的時(shí)間，優(yōu)選地應(yīng)盡可能縮短從開始向一對(duì)配線圖形施加電壓的時(shí)間起至該電壓變穩(wěn)定的所定時(shí)間為止的期間。鑒于此，在該期間向一對(duì)配線圖形施加電壓時(shí)，使較大電流在一對(duì)配線圖形中流動(dòng)。但在進(jìn)行專利文獻(xiàn)I記載的檢測(cè)時(shí)，若針對(duì)從多個(gè)配線圖形中提取的任意一對(duì)配線圖形也統(tǒng)一流過較大電流，則會(huì)存有不能適當(dāng)?shù)貦z測(cè)電壓降，從而不能適當(dāng)?shù)貦z測(cè)電火花產(chǎn)生的情況。【現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)】【專利文獻(xiàn)I】日本專利公開第2003-172757號(hào)公報(bào)
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
本專利技術(shù)的課題是提供一種能更好地檢測(cè)電火花的產(chǎn)生，進(jìn)而更好地將產(chǎn)生電火花的基板區(qū)別為不良品的絕緣檢測(cè)技術(shù)。根據(jù)一個(gè)實(shí)施形態(tài)的本專利技術(shù)，提供了一種絕緣檢測(cè)裝置，用于進(jìn)行被檢測(cè)基板的絕緣檢測(cè)，所述絕緣檢測(cè)裝置包括:電源設(shè)備，向在所述被檢測(cè)基板上形成的多個(gè)配線圖形中作為絕緣檢測(cè)對(duì)象配線圖形而被選擇的上流側(cè)配線圖形和下流側(cè)配線圖形的兩配線圖形間，進(jìn)行電壓施加；電流調(diào)整設(shè)備，調(diào)整所述電壓施加時(shí)來自所述電源設(shè)備的供給電流；電壓檢測(cè)設(shè)備，檢測(cè)根據(jù)所述電壓施加而產(chǎn)生的所述兩配線圖形間的電壓；電壓降檢測(cè)設(shè)備，在所述電壓施加的開始至所述兩配線圖形間的所述電壓變穩(wěn)定的所定時(shí)間(timing)為止的期間，檢測(cè)在所述兩配線圖形間因產(chǎn)生的電火花而引起的電壓降的產(chǎn)生與否；判定設(shè)備，根據(jù)所述電壓降檢測(cè)設(shè)備若檢測(cè)所述電壓降，則將所述被檢測(cè)基板判定為不良品；記憶部，記憶在所述多個(gè)配線圖形的各個(gè)配線圖形上形成的檢測(cè)點(diǎn)的數(shù)量，所述電流調(diào)整設(shè)備根據(jù)在所述上流側(cè)配線圖形上形成的檢測(cè)點(diǎn)的數(shù)量即第一檢測(cè)點(diǎn)數(shù)量調(diào)整所述供給電流。根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，所述電流調(diào)整設(shè)備在所述第一檢測(cè)點(diǎn)數(shù)量大于所定數(shù)量時(shí)，將所述供給電流設(shè)定為第一電流值，在所述第一檢測(cè)點(diǎn)數(shù)量小于所述所定數(shù)量時(shí)，將所述供給電流設(shè)定為小于所述第一電流值的第二電流值。根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，所述電流調(diào)整設(shè)備將所述記憶設(shè)備所記憶的檢測(cè)點(diǎn)數(shù)量分類為所定數(shù)量的組，進(jìn)而將與所述第一檢測(cè)點(diǎn)數(shù)量所屬的組對(duì)應(yīng)的電流值作為所述供給電流而設(shè)定，根據(jù)與較少檢測(cè)點(diǎn)數(shù)量相對(duì)應(yīng)的組而設(shè)定的電流值，小于根據(jù)與較多檢測(cè)點(diǎn)數(shù)量相對(duì)應(yīng)的另一組而設(shè)定的電流值。根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，所述判定設(shè)備基于所述所定時(shí)間的所述兩配線圖形間的電壓以及所述所定時(shí)間的所述兩配線圖形間流動(dòng)的電流，算出所述兩配線圖形間的電阻值，且進(jìn)一步進(jìn)行基于所述電阻值的所述被檢測(cè)基板的良好與否判定。根據(jù)一個(gè)實(shí)施形態(tài)的本專利技術(shù)，提供了一種絕緣檢測(cè)方法，用于進(jìn)行被檢測(cè)基板的絕緣檢測(cè)，所述絕緣檢測(cè)方法包括:步驟a，向在所述被檢測(cè)基板上形成的多個(gè)配線圖形中作為絕緣檢測(cè)對(duì)象配線圖形而被選擇的上流側(cè)配線圖形和下流側(cè)配線圖形的兩配線圖形間，開始電壓施加，步驟b，在所述電壓施加的開始至所述兩配線圖形間的電壓變穩(wěn)定的所定時(shí)間為止的期間，檢測(cè)根據(jù)所述電壓施加而產(chǎn)生的所述兩配線圖形間的電壓，在所述期間，根據(jù)在所述上流側(cè)配線圖形上形成的檢測(cè)點(diǎn)的數(shù)量即第一檢測(cè)點(diǎn)數(shù)量，調(diào)整所述電壓施加時(shí)的供給電流，在所述期間，若檢測(cè)到在所述兩配線圖形間因產(chǎn)生的電火花而引起的電壓降，則將所述被檢測(cè)基板判定為不良品。根據(jù)本專利技術(shù)，能更好地檢測(cè)因電火花而引起的電壓降，進(jìn)而能更好地檢測(cè)電火花的產(chǎn)生。進(jìn)一步能更好地檢測(cè)不良的被檢測(cè)基板。【附圖說明】圖1是示出絕緣檢測(cè)裝置的概略構(gòu)成的示圖。圖2是示出被檢測(cè)基板的一個(gè)示例的示圖。圖3A和圖3B是示出電壓計(jì)測(cè)定的電壓隨時(shí)間變化的示圖。圖4是示出絕緣檢測(cè)裝置的動(dòng)作的流程圖。圖5是放大示出圖3A的一部分的示圖。1:絕緣檢測(cè)裝置2:電源3:電壓計(jì)4、開關(guān)5:電流計(jì)90:被檢測(cè)基板P11、P12、P21 至 P23、P31 至 P37:電極(檢測(cè)點(diǎn))PA:上流側(cè)配線圖形PB:下流側(cè)配線圖形PTl至PT5:配線圖形【具體實(shí)施方式】以下，將基于附圖對(duì)本專利技術(shù)的實(shí)施形態(tài)進(jìn)行說明。〈1、裝置構(gòu)成〉圖1是示出絕緣檢測(cè)裝置I的概略構(gòu)成的概略構(gòu)成圖。絕緣檢測(cè)裝置I是在被檢測(cè)基板(電路基板)上形成的多個(gè)配線圖形相互間進(jìn)行絕緣檢測(cè)的絕緣檢測(cè)裝置。被檢測(cè)基板例如可以是印刷配線基板、柔性(flexible)基板、多層配線基板以及半導(dǎo)體封裝用封裝基板等各種基板。如圖1所示，絕緣檢測(cè)裝置I包括電源2、電壓計(jì)3、電流計(jì)5、控制部7和記憶部8。電源2針對(duì)多個(gè)配線圖形中依次選擇的絕緣檢測(cè)的對(duì)象配線圖形(絕緣檢測(cè)對(duì)象配線圖形)相互間，施加較高的電壓(例如，200V)。絕緣檢測(cè)的對(duì)象配線圖形分為兩種配線圖形，即在絕緣檢測(cè)的電壓施加時(shí)與電源2的上流側(cè)(陽極側(cè)或高電位側(cè))端子連接的上流側(cè)配線圖形PA，以及該電壓施加時(shí)與電源2的下流側(cè)(陰極側(cè)或低電位側(cè))端子連接的下流側(cè)配線圖形PB。。上流側(cè)配線圖形PA與電源2的上流側(cè)端子利用探針而電連接，下流側(cè)配線圖形PB與電源2的下流側(cè)端子利用另外的探針而電連接。在此電源2由可變電壓源構(gòu)成。電源2還可將施加電壓時(shí)的供給電流調(diào)整為一定值。即，電源2在供給一定值的電流(供給電流)而為配線圖形PA和PB相互間的靜電容量“充電”的同時(shí)，能使配線圖形PA和PB相互間的電壓達(dá)到任意的輸出電壓值Va。若配線圖形PA和PB相互間的靜電容量充電結(jié)束，由于從根本上講來自電源2的電流降低為小于上述一定值的值，因此將上述一定值還稱為供給電流的限定值(上限值)。且如后述，來自電源2的供給電流(詳細(xì)來講為其限定值)可設(shè)定為多個(gè)值(例如值II，12)中的任意一個(gè)。電壓計(jì)3檢測(cè)隨電源2的電壓施加而產(chǎn)生的絕緣檢測(cè)對(duì)象配線圖形PA和PB間的電壓(具體來講，上流側(cè)配線圖形和下流側(cè)配線圖形相互間的電壓)的值。電流計(jì)5檢測(cè)根據(jù)電源2的電壓施加時(shí)在絕緣檢測(cè)對(duì)象配線圖形PA和PB當(dāng)前第1頁1 2 3 4 本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種絕緣檢測(cè)裝置，用于進(jìn)行被檢測(cè)基板的絕緣檢測(cè)，所述絕緣檢測(cè)裝置包括：電源設(shè)備，向在所述被檢測(cè)基板上形成的多個(gè)配線圖形中作為絕緣檢測(cè)對(duì)象配線圖形而被選擇的上流側(cè)配線圖形和下流側(cè)配線圖形的兩配線圖形間，進(jìn)行電壓施加，電流調(diào)整設(shè)備，調(diào)整所述電壓施加時(shí)來自所述電源設(shè)備的供給電流，電壓檢測(cè)設(shè)備，檢測(cè)根據(jù)所述電壓施加而產(chǎn)生的所述兩配線圖形間的電壓，電壓降檢測(cè)設(shè)備，在所述電壓施加的開始至所述兩配線圖形間的所述電壓變穩(wěn)定的所定時(shí)間(timing)為止的期間，檢測(cè)在所述兩配線圖形間因產(chǎn)生的電火花而引起的電壓降的產(chǎn)生與否，判定設(shè)備，根據(jù)所述電壓降檢測(cè)設(shè)備若檢測(cè)所述電壓降，則將所述被檢測(cè)基板判定為不良品，記憶部，記憶在所述多個(gè)配線圖形的各個(gè)配線圖形上形成的檢測(cè)點(diǎn)的數(shù)量，所述電流調(diào)整設(shè)備根據(jù)在所述上流側(cè)配線圖形上形成的檢測(cè)點(diǎn)的數(shù)量即第一檢測(cè)點(diǎn)數(shù)量調(diào)整所述供給電流。

【技術(shù)特征摘要】
【國外來華專利技術(shù)】...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：笠井淳，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：日本電產(chǎn)理德股份有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：日本;JP