確定讀取計數(shù)已達(dá)到讀取計數(shù)閾值集合中的一個讀取計數(shù)閾值。從初始測試頁集合中選擇與已達(dá)到的讀取計數(shù)閾值對應(yīng)的初始測試頁。存在至少一個如下的頁，該頁不在初始測試頁集合中，并且被還侵害初始測試頁集合中的頁的侵犯頁所侵害。對選中的測試頁執(zhí)行測試讀取，并且對選中的測試頁的測試讀取的結(jié)果評估讀取干擾噪聲。
【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
【專利說明】讀取干擾檢測相關(guān)申請的交叉引用本申請要求于2014年5月16日提交的題為“READ DISTURB DETECT1N”的美國臨時專利申請N0.61/994，691的優(yōu)先權(quán)，其整體內(nèi)容通過引用合并于此。
技術(shù)介紹
讀取干擾噪聲是在讀取固態(tài)儲存裝置(例如，NAND閃存)的處理期間引入的一種類型的噪聲。在讀取期間，選中的存儲塊(block)中的所有單元(不同于正被讀取的單元)的控制柵極被偏置到超過可以被寫入到該存儲塊中的任何單元的最大電壓的電壓(有時被稱為Vpass)。在這樣做時，這些單元被置于通過狀態(tài)，其中它們用作短路，因而僅隔離正被讀取的單元。然而，該偏置的不需要的副產(chǎn)物是將額外的電子施加到這些單元的浮柵。該意外的和額外的電壓被稱為讀取干擾。對現(xiàn)有技術(shù)進(jìn)行改進(jìn)的新的讀取干擾檢測技術(shù)(例如，如通過諸如所需存儲量、對整個存儲塊檢查讀取干擾所耗用的最大時間量、和/或所消耗的額外的測試讀取次數(shù)的性能度量來測量的)將是令人期待的。【附圖說明】在下面的詳細(xì)描述和附圖中公開了本專利技術(shù)的各種實施例。圖1是圖示具有讀取干擾噪聲的2位多電平單元(MLC)系統(tǒng)的示例的示圖。圖2示出了存儲塊中的初始測試頁集合的實施例。圖3是圖示讀取干擾檢測處理的實施例的流程圖。圖4示出了被使用單個讀取計數(shù)器的群組中的存儲塊的一些實施例。圖5是圖示讀取計數(shù)閾值和相應(yīng)的初始測試頁的表格的實施例的示圖。圖6是圖示用于對測試讀取的結(jié)果評估讀取干擾噪聲的處理的實施例的流程圖。圖7是圖示在檢測到讀取干擾噪聲的事件中關(guān)于后繼處理的處理的實施例的流程圖。圖8是圖示讀取干擾檢測處理的實施例的流程圖，其中計劃頁(scheduled page)和與上一次讀取相鄰的頁二者都被測試。圖9是圖示固態(tài)儲存系統(tǒng)的實施例的示圖。【具體實施方式】本專利技術(shù)可以以許多種方式實現(xiàn)，包括作為處理；設(shè)備；系統(tǒng)；主題組合；在計算機(jī)可讀存儲介質(zhì)上實施的計算機(jī)程序產(chǎn)品；和/或處理器，諸如被配置成執(zhí)行耦接到處理器的存儲器存儲和/或提供的指令的處理器。在本說明書中，這些實現(xiàn)方案或者本專利技術(shù)可以采取的任何其他形式可以被稱為技術(shù)。通常，所公開的處理的步驟的順序可以在本專利技術(shù)的范圍內(nèi)變更。除非另外闡明，否則被描述為被配置成執(zhí)行任務(wù)的諸如處理器或存儲器的部件可以被實現(xiàn)為被臨時配置成在指定時間執(zhí)行該任務(wù)的常規(guī)部件或者被制造成執(zhí)行該任務(wù)的特定部件。如這里使用的，術(shù)語“處理器”指的是被配置成處理諸如計算機(jī)程序指令的數(shù)據(jù)的一個或更多個裝置、電路和/或處理核。下文連同說明本專利技術(shù)的原理的附圖一起提供本專利技術(shù)的一個或更多個實施例的詳細(xì)描述。結(jié)合這些實施例描述本專利技術(shù)，但是本專利技術(shù)不限于任何實施例。本專利技術(shù)的范圍僅由權(quán)利要求限定并且本專利技術(shù)涵蓋許多替換、修改和等同方案。在下面的描述中闡述了許多特定細(xì)節(jié)以便提供對本專利技術(shù)的透徹理解。這些細(xì)節(jié)是出于示例的目的而提供的，并且本專利技術(shù)可以在沒有這些特定細(xì)節(jié)中的一些細(xì)節(jié)或全部細(xì)節(jié)的情況下根據(jù)權(quán)利要求實踐。出于清楚的目的，涉及本專利技術(shù)的
中已知的技術(shù)資料未被詳細(xì)描述，使得不會不必要地使本專利技術(shù)模糊。圖1是圖示具有讀取干擾噪聲的2位多電平單元(MLC)系統(tǒng)的示例的示圖。示圖100示出了由單元群組儲存的電壓的示例分布。在所示示例中，每個單元被配置成存儲2位:最高有效位(MSB)和最低有效位(LSB)。當(dāng)讀取單元時，使用3個閾值:A閾值110、B閾值112和C閾值114。A和C閾值用于讀取MSB。如果該單元存儲的電壓小于A閾值110或大于C閾值114，則MSB被讀作I。如果該電壓介于A閾值110和C閾值114之間，則MSB被讀作O。B閾值用于讀取LSB。如果該單元存儲的電壓小于B閾值112，則LSB被讀作I。如果該單元存儲的電壓大于B閾值112，則LSB被讀作O。顯然，在一些其他實施例中，LSB和MSB可以交換和/或可以使用一些其他位映射。讀取干擾噪聲趨于影響較低的電壓，例如區(qū)間(bin) 120中的單元存儲的那些電壓。考慮如下單元，該單元在一些讀取干擾噪聲被添加到該單元之前具有略低于A閾值110的電壓。利用來自讀取干擾噪聲的額外的電壓，該單元的電壓將被拉到A閾值之上，使得該單元現(xiàn)在處于區(qū)間122而非區(qū)間120中。在比較區(qū)間120與區(qū)間122的LSB和MSB值時，LSB值是相同的。因而LSB對檢測讀取干擾噪聲是沒有幫助的，既然區(qū)間120和122中的單元具有相同的LSB值。然而，較之區(qū)間122，對于區(qū)間120中的單元，MSB值是不同的，并且因此MSB在檢測讀取干擾噪聲時將是更為有用的。盡管這里描述的一些實施例示出了 2位的MLC示例，但是這里描述的技術(shù)可應(yīng)用于存儲任何位數(shù)的固態(tài)系統(tǒng)。例如，這里描述的技術(shù)對I位單電平單元(SLC)系統(tǒng)以及3位三電平單元(RLC)系統(tǒng)等有效。圖2示出了存儲塊中的初始測試頁集合的實施例。該示例示出了每個字線具有單LSB頁和單MSB頁的全位線結(jié)構(gòu)。出于以上描述的原因，測試MSB頁以便檢測讀取干擾，并且不測試LSB頁(至少在該MLC示例中)。在所示示例中，存儲塊開始(結(jié)束)于單MSB頁，該單MSB頁不在初始測試頁集合(示為白色)中、被跟隨有處于該集合中的2個MSB頁(示為灰色)、被跟隨有不在該集合中的2個MSB頁，如此等等。初始測試頁集合被這樣稱呼的原因在于，這些頁是被首先測試的頁。如果檢測到讀取干擾噪聲，則可以對相關(guān)頁(不一定在初始測試頁集合中)測試讀取干擾噪聲。換言之，不在初始測試頁集合中的頁(例如，MSB頁0(200))沒有被排除在讀取干擾測試本身之外，但是至少沒有被首先測試。在對指定頁執(zhí)行讀取(例如，由主機(jī)發(fā)起)時，上方和下方的頁最易受讀取干擾噪聲影響。例如，如果讀取MSB頁O (200)，則MSB頁I (201)會接收大部分讀取干擾噪聲。相似地，讀取如果MSB頁I (201)，則MSB頁O (200)和MSB頁2 (202)會接收最嚴(yán)重讀取干擾噪聲。正被讀取的頁的直接相鄰的頁受影響最大并且因而在這里描述的實施例中它們是在需要時被測試和校正的頁。顯然，在一些實施例中，如果需要，則測試和/或校正不直接相鄰的頁。評估所示出的初始測試頁的布置的一種方式是考慮在使用所示出的布置反復(fù)讀取同一頁(例如，對直接上方的頁和直接下方的頁引起讀取干擾噪聲)的情況下是否能夠檢測到讀取干擾噪聲。所示出的初始測試頁的布置將捕捉與正被重復(fù)讀取的頁相鄰的兩個頁中的至少一個頁。例如，如果重復(fù)讀取MSB頁O (200) JJjMSBH 1(201)將最終被選擇和測試。如果重復(fù)讀取MSB頁I (201)，則MSB頁2 (202)將最終被選擇和測試。如果重復(fù)讀取MSB頁2 (202)，則MSB頁I (201)將最終被選擇和測試，如此等等。一旦在一個初始測試頁中檢測到讀取干擾噪聲，則可以對其他MSB頁(例如，其不一定在初始測試頁集合中)發(fā)起檢測。下文更詳細(xì)地描述了該檢測處理的示例。盡管存儲塊可以開始或結(jié)束于初始測試頁集合中的兩個頁，但是在一些應(yīng)用中，期望開始和結(jié)束于被排除在初始測試頁集合之外的單頁，如該示例中所示的那樣。這是因為邊緣頁趨于具有其他頁的一半的讀取干擾噪聲。例如，MSB頁0(200)將僅具有來自MSB頁1(201)的讀取干擾噪聲，因為在MSB頁O (200)下方?jīng)]有頁。因此，要么本文檔來自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護(hù)點】
一種系統(tǒng)，包括：測試控制器，其被配置成：確定讀取計數(shù)已達(dá)到讀取計數(shù)閾值集合中的一個讀取計數(shù)閾值；從初始測試頁集合中選擇與已達(dá)到的讀取計數(shù)閾值對應(yīng)的初始測試頁，其中存在至少一個如下的頁，該頁(1)不在所述初始測試頁集合中并且(2)被還侵害所述初始測試頁集合中的頁的侵犯頁所侵害；以及對選中的測試頁的測試讀取評估讀取干擾噪聲；以及存儲器接口，其被配置成對所述選中的測試頁執(zhí)行所述測試讀取。
【技術(shù)特征摘要】
...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：詹森·貝羅拉多，吳征，曾令琪，
申請(專利權(quán))人：愛思開海力士有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：韓國;KR
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