一種陣列基板，包括：具有多個子像素區域的基底(100)，其中，在每個子像素區域中包括：設置在所述基底上的開關元件(1)，設置于該開關元件(1)上的導電平坦層(113)，以及設置于該平坦層上的像素電極(111)，所述像素電極(111)與所述開關元件(1)的輸出電極(105)電連接。這種陣列基板改善了材料之間由于應力導致的器件不穩定性，提高了器件的長期穩定性，并且生產工藝也得到簡化。
【技術實現步驟摘要】
本專利技術的實施例涉及一種具有導電平坦層的陣列基板、包含其的顯示裝置及其制 備方法。
技術介紹
有機電致發光顯示器件中，陣列基板上的反射陽極的制備通常采用ITO/Ag或 AINd/ITO結構，其中Ag或者AlNd用作反射電極，ITO用作透明的導電陽極。由于在陣列基 板的制作中，陣列基板上的開關元件例如薄膜晶體管（TFT)上會產生一些段差，所以，常常 會在開關元件上沉積有機樹脂平坦層，然后將ITO/Ag或AINd/ITO電極沉積在該有機樹脂 平坦層上面，然而由于有機樹脂材料與電極材料之間應力不匹配，ITO/Ag或AINd/ITO電極 很容易脫落，器件的合格率與器件的長期穩定性都存在問題。 因此，本領域中需要一種改進的陣列基板結構來改善器件的合格率與器件的長期 穩定性。
技術實現思路
本專利技術的實施方式涉及一種陣列基板，包含其的顯示設備，及其制備方法。本專利技術 包含以下內容： 實施方式1. 一種陣列基板，包括： 具有多個子像素區域的基底， 其中，所述陣列基板在每個子像素區域中包括：設置在所述基底上的開關元件，設 置于該開關元件上的導電平坦層，以及設置于該平坦層上的像素電極，所述像素電極與所 述開關元件的輸出電極電連接。這種陣列基板中由于平坦層和像素電極都由無機材料構 成，改善了材料之間由于應力導致的器件不穩定性，提高了器件的長期穩定性，并且生產工 藝也得到簡化。 實施方式2.根據實施方式1所述的陣列基板，其中，所述導電平坦層為包含金屬 的導電平坦層。 實施方式3.根據實施方式1或2所述的陣列基板，其中，所述導電平坦層通過燒 結納米級金屬材料制成。 實施方式4.根據實施方式3所述的陣列基板，其中，所述納米級金屬材料為納米 級金屬線、納米級金屬顆粒，或其組合。 實施方式5.根據實施方式1至4中任一項所述的陣列基板，還包括像素隔離層， 所述像素隔離層將所有的導電平坦層彼此隔開并絕緣。 實施方式6.根據實施方式1至5中任一項所述的陣列基板，其中所述導電平坦層 的厚度為大于或等于10納米至小于1微米。 實施方式7.根據實施方式1至6中任一項所述的陣列基板，其中所述像素電極經 所述導電平坦層與所述開關元件的輸出電極電連接。 實施方式8.根據實施方式1至7中任一項所述的陣列基板，其中所述開關元件與 所述平坦層之間設置有無機緩沖層。 實施方式9.根據實施方式4所述的陣列基板，其中所述納米級金屬材料包括納米 銀材料。 實施方式10.根據實施方式8或9所述的陣列基板，其中所述無機緩沖層的厚度 為50納米至1500納米。 實施方式11.根據實施方式1-10中任一項所述的陣列基板，其中所述開關元件為 薄膜晶體管，所述開關元件的輸出電極為該薄膜晶體管的漏極。 實施方式12.根據實施方式1-11中任一項所述的陣列基板，其中所述陣列基板還 包括位于所述像素電極上方的有機發光層和位于所述有機發光層上方的透明電極。 實施方式13.根據實施方式1-12中任一項所述的陣列基板，其中所述導電平坦層 與所述像素電極彼此直接接觸。 實施方式14.根據實施方式1-13中任一項所述的陣列基板，其中所述像素電極的 材料包含透明導電氧化物例如ITO (氧化銦錫）和IZO (氧化銦鋅）、碳納米管和碳納米線中 的至少一種。 實施方式15. -種顯示裝置，包括根據實施方式1-14中任一項所述的陣列基板。 實施方式16. -種陣列基板的制造方法， 所述陣列基板包括：包括多個子像素區域的基底， 其中，所述陣列基板在每個子像素區域中包括：設置在所述基底上的開關元件，設 置于該開關元件上的導電平坦層，以及設置于該平坦層上的像素電極，其中所述像素電極 與所述開關兀件的輸出電極電連接； 其中所述方法包括以下步驟： 在所述基底的每個子像素區域上形成開關元件， 在所述開關元件上形成導電平坦層，和 在所述導電平坦層上形成像素電極。 實施方式17.根據實施方式16所述的方法，其中，在開關元件上形成導電平坦層 的步驟包括：在所述開關元件上施加納米級金屬材料，然后進行燒結，得到所述導電平坦 層。 實施方式18.根據實施方式16或17所述的方法，還包括在形成所述導電平坦層 之前，在所述開關元件上形成無機緩沖層，并且對所述無機緩沖層進行蝕刻以露出所述開 關兀件的輸出電極。 實施方式19.根據實施方式16至18中任一項的方法，還包括在形成所述導電平 坦層之前，形成像素隔離層，所述像素隔離層將不同子像素區域中的導電平坦層彼此隔離。 實施方式20.根據實施方式19所述的方法，其中像素隔離層也將不同子像素區域 中的像素電極彼此隔離。 實施方式21.根據實施方式17所述的方法，其中所述納米級金屬材料通過噴墨打 印、絲網印刷或轉印的方式施加，所述燒結在120至600°C的溫度，例如，130至560°C的溫度 進行。 實施方式22.根據實施方式17所述的方法，其中所述納米級金屬材料包括納米銀 材料。【附圖說明】 為了更清楚地說明本專利技術實施例的技術方案，下面將對實施例的附圖作簡單地介 紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅涉及本專利技術的一些實施例，而非對本專利技術的限制。 圖1為現有技術中的頂發射型陣列基板的示意圖。 圖2為根據本專利技術的一種實施方式的陣列基板的示意圖。 圖3為根據本專利技術的一種實施方式的陣列基板的示意圖。 圖4-10為示意圖，其說明制造本專利技術實施例的陣列基板的方法。 附圖標記： 1-開關元件； 100-基底； 101-基底上的柵極； 102-柵極絕緣層；103-半導體層； 104-刻蝕阻擋層； 105-漏極； 106-源極； 1〇7_中間金屬層； 108-無機絕緣層；109-有機樹脂平坦層；110-反射電極； 111-透明像素電極；112-像素界定層； 113-導電平坦層。 114-像素隔離層【具體實施方式】 為使本專利技術實施例的目的、技術方案和優點更加清楚，下面將結合本專利技術實施例 的附圖，對本專利技術實施例的技術方案進行清楚、完整地描述。顯然，所描述的實施例是本發 明的一部分實施例，而不是全部的實施例。基于所描述的本專利技術的實施例，本領域普通技術 人員在無需創造性勞動的前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本專利技術保護的范圍。 圖1為頂發射型陣列基板的視圖，其包括：基底100、基底上的柵極101、柵極絕 緣層102、半導體層103、刻蝕阻擋層104、源極106、漏極105、中間金屬層107、無機絕緣層 108 (任選的）、有機樹脂平坦層109、反射電極110、透明像素電極111、和像素界定層112。 本申請中的術語具有本領域技術人員通常理解的含義。 例如，術語"開關元件"具有本領域技術人員通常理解的含義。一般而言，在電子 器件中，開關元件可以是晶體管，尤其是薄膜晶體管（Thin Film Transistor)。例如，如圖 2中的附圖標記1所指示的，開關元件1可以包括基底上的柵極101、柵極絕緣層102、半導 體層103、刻蝕阻擋層104、源極106、漏極105、和中間金屬層107。這里的所述的開關元件 的結構僅僅為一種示例性結構，根據本專利技術的實施例并不限制于此。 本專利技術的實施例提出了一種改進的陣列基板，包含其的顯示設備，及其制備方法。 在陣列基板的開關元件上通過例如噴墨打印等工藝施加納本文檔來自技高網...
【技術保護點】
一種陣列基板，包括：具有多個子像素區域的基底，其中，所述陣列基板在每個子像素區域中包括：設置在所述基底上的開關元件，設置于所述開關元件上的導電平坦層，以及設置于所述平坦層上的像素電極，所述像素電極與所述開關元件的輸出電極電連接。
【技術特征摘要】
【專利技術屬性】
技術研發人員：劉則，
申請(專利權)人：京東方科技集團股份有限公司，
類型：發明
國別省市：北京;11
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