本實(shí)用新型專利技術(shù)屬于晶體元件技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種高韌性雙晶片。它解決了現(xiàn)有技術(shù)使用壽命短等技術(shù)問題。本高韌性雙晶片包括基板，在基板兩面分別設(shè)有陶瓷片，每片陶瓷片與基板之間設(shè)有第一導(dǎo)電層且在每片陶瓷片的兩面分別設(shè)有毛細(xì)加強(qiáng)結(jié)構(gòu)。本實(shí)用新型專利技術(shù)優(yōu)點(diǎn)在于：進(jìn)一步增強(qiáng)了韌性且使用壽命長。
【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本技術(shù)屬于晶體元件
，尤其涉及一種高韌性雙晶片，可應(yīng)用于紡織機(jī)械、新能源、精密機(jī)械和傳感器等等
技術(shù)介紹
雙晶片的結(jié)構(gòu)包括基板結(jié)合陶瓷的結(jié)構(gòu)。目前，現(xiàn)有的雙晶片其結(jié)構(gòu)強(qiáng)度低，韌性差且使用壽命短。為了能提高雙晶片的韌性和延長使用壽命，例如，中國專利文獻(xiàn)公開了一種新型雙晶片，，包括上下陶瓷基層和中間層，其特征是中間層包括纖維基層，銅皮和川型銅條，纖維基層是玻璃纖維單向排列或交錯(cuò)排列后澆注膠制備而成，銅皮鑲嵌于纖維基層表面的端頭，川型銅條鑲嵌于纖維基層上并與銅皮連接，在上下陶瓷基層表面印刷有導(dǎo)電銀膠層。該方案的中間層結(jié)構(gòu)能使壓電陶瓷片的電性能和機(jī)械性能同時(shí)得到兼顧和匹配，提高了雙晶片電性能和工作穩(wěn)定性。上述的方案雖然具有以上的多個(gè)優(yōu)點(diǎn)，但是，這種方案至少存在以下缺陷:設(shè)計(jì)不合理，上下陶瓷基層的韌性差且無形中縮短了雙晶片的使用壽命。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
本技術(shù)的目的是針對上述問題，提供一種設(shè)計(jì)更合理，提高韌性和延長使用壽命的高韌性雙晶片。為達(dá)到上述目的，本技術(shù)采用了下列技術(shù)方案:本高韌性雙晶片包括基板，在基板兩面分別設(shè)有陶瓷片，每片陶瓷片與基板之間設(shè)有第一導(dǎo)電層且在每片陶瓷片的兩面分別設(shè)有毛細(xì)加強(qiáng)結(jié)構(gòu)。在本申請中，由于設(shè)置了毛細(xì)加強(qiáng)結(jié)構(gòu)能夠進(jìn)一步增強(qiáng)陶瓷片的韌性，即延長了使用壽命，實(shí)用性強(qiáng)且降低了使用成本。在上述的高韌性雙晶片中，所述的毛細(xì)加強(qiáng)結(jié)構(gòu)包括若干設(shè)置在每片陶瓷片兩面的毛細(xì)槽。在上述的高韌性雙晶片中，所述的毛細(xì)槽相互平行分布；或者所述的毛細(xì)槽相互交叉分布。在上述的高韌性雙晶片中，所述的毛細(xì)槽為直線槽和彎曲槽中的任意一種。當(dāng)然還可以是其他各種的形狀的槽體，只要能滿足使用要求即可。在上述的高韌性雙晶片中，所述的毛細(xì)槽深度為0.005?0.020mm。毛細(xì)槽的深度可以根據(jù)使用要求進(jìn)行設(shè)定。在上述的高韌性雙晶片中，在每片陶瓷片遠(yuǎn)離第一導(dǎo)電層的一面設(shè)有碳漿層。在上述的高韌性雙晶片中，所述的陶瓷片和碳漿層之間設(shè)有第二導(dǎo)電層。在上述的高韌性雙晶片中，所述的第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層均為銀漿導(dǎo)電層。在上述的高韌性雙晶片中，所述的基板為玻璃纖維基板、碳纖維基板、硼纖維基板、阿拉米的纖維基板和芳綸類纖維基板中的任意一種。在上述的高韌性雙晶片中，所述的毛細(xì)槽兩端與外界連通；或者所述的毛細(xì)槽的兩端位于陶瓷片的周向側(cè)邊內(nèi)側(cè)。與現(xiàn)有的技術(shù)相比，本高韌性雙晶片的優(yōu)點(diǎn)在于:1、設(shè)計(jì)更合理，由于設(shè)置了毛細(xì)加強(qiáng)結(jié)構(gòu)能夠進(jìn)一步增強(qiáng)陶瓷片的韌性，即延長了使用壽命，實(shí)用性強(qiáng)且降低了使用成本。2、結(jié)構(gòu)簡單且易于制造。【附圖說明】圖1是本技術(shù)提供的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。圖2是本技術(shù)提供的陶瓷片結(jié)合毛細(xì)槽結(jié)構(gòu)示意圖。圖3是本技術(shù)提供的第二種毛細(xì)槽結(jié)構(gòu)示意圖。圖4是本技術(shù)提供的第三種毛細(xì)槽結(jié)構(gòu)示意圖。圖5是本技術(shù)提供的第四種毛細(xì)槽結(jié)構(gòu)示意圖。圖6是本技術(shù)提供的毛細(xì)槽交叉結(jié)構(gòu)示意圖。圖7是本技術(shù)提供的第二種毛細(xì)槽交叉結(jié)構(gòu)示意圖。圖8是本技術(shù)提供的毛細(xì)槽呈彎曲結(jié)構(gòu)示意圖。圖中，基板1、陶瓷片2、第一導(dǎo)電層3、毛細(xì)加強(qiáng)結(jié)構(gòu)4、毛細(xì)槽41、碳漿層5、第二導(dǎo)電層6。【具體實(shí)施方式】以下是技術(shù)的具體實(shí)施例并結(jié)合附圖，對本技術(shù)的技術(shù)方案作進(jìn)一步的描述，但本技術(shù)并不限于這些實(shí)施例。實(shí)施例一如圖1所示，本高韌性雙晶片包括基板1，基板I為玻璃纖維基板、碳纖維基板、硼纖維基板、阿拉米的纖維基板和芳綸類纖維基板中的任意一種。在基板I兩面分別設(shè)有陶瓷片2，每片陶瓷片2與基板I之間設(shè)有第一導(dǎo)電層3且在每片陶瓷片2的兩面分別設(shè)有毛細(xì)加強(qiáng)結(jié)構(gòu)4。具體地，本實(shí)施例的毛細(xì)加強(qiáng)結(jié)構(gòu)4包括若干設(shè)置在每片陶瓷片2兩面的毛細(xì)槽41。該毛細(xì)槽41深度為0.005?0.020mm。優(yōu)化方案，如圖2-5和圖8所示，本實(shí)施例的毛細(xì)槽41相互平行分布。毛細(xì)槽41相對陶瓷片2側(cè)邊傾斜；或者毛細(xì)槽41相對陶瓷片2的一側(cè)邊平行。其次，本實(shí)施例的毛細(xì)槽41為直線槽和彎曲槽中的任意一種。該結(jié)構(gòu)便于加工制造。如圖1所示，在每片陶瓷片2遠(yuǎn)離第一導(dǎo)電層3的一面設(shè)有碳漿層5。在陶瓷片2和碳漿層5之間設(shè)有第二導(dǎo)電層6。本實(shí)施例的第一導(dǎo)電層3和第二導(dǎo)電層6均為銀漿導(dǎo)電層。毛細(xì)槽41兩端與外界連通；或者所述的毛細(xì)槽41的兩端位于陶瓷片2的周向側(cè)邊內(nèi)側(cè)。根據(jù)使用的需求進(jìn)行相關(guān)結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)。優(yōu)化方案，本實(shí)施例的毛細(xì)槽41深度為0.010?0.015mm。毛細(xì)槽41深度為0.012mmo實(shí)施例二本實(shí)施例同實(shí)施例一的結(jié)構(gòu)及原理基本相同，固在此不作贅述，而不一樣的地方在于:如圖6-7所示，所述的毛細(xì)槽41相互交叉分布。本文中所描述的具體實(shí)施例僅僅是對本技術(shù)精神作舉例說明。本技術(shù)所屬
的技術(shù)人員可以對所描述的具體實(shí)施例做各種各樣的修改或補(bǔ)充或采用類似的方式替代，但并不會(huì)偏離本技術(shù)的精神或者超越所附權(quán)利要求書所定義的范圍。盡管本文較多地使用了基板1、陶瓷片2、第一導(dǎo)電層3、毛細(xì)加強(qiáng)結(jié)構(gòu)4、毛細(xì)槽41、碳漿層5、第二導(dǎo)電層6等術(shù)語，但并不排除使用其它術(shù)語的可能性。使用這些術(shù)語僅僅是為了更方便地描述和解釋本技術(shù)的本質(zhì)；把它們解釋成任何一種附加的限制都是與本技術(shù)精神相違背的。【主權(quán)項(xiàng)】1.一種高韌性雙晶片，包括基板(I)，其特征在于，所述的基板(I)兩面分別設(shè)有陶瓷片(2)，每片陶瓷片(2)與基板(I)之間設(shè)有第一導(dǎo)電層(3)且在每片陶瓷片(2)的兩面分別設(shè)有毛細(xì)加強(qiáng)結(jié)構(gòu)(4)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高韌性雙晶片，其特征在于，所述的毛細(xì)加強(qiáng)結(jié)構(gòu)(4)包括若干設(shè)置在每片陶瓷片(2)兩面的毛細(xì)槽(41)。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的高韌性雙晶片，其特征在于，所述的毛細(xì)槽(41)相互平行分布；或者所述的毛細(xì)槽(41)相互交叉分布。4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的高韌性雙晶片，其特征在于，所述的毛細(xì)槽(41)為直線槽和彎曲槽中的任意一種。5.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的高韌性雙晶片，其特征在于，所述的毛細(xì)槽(41)深度為0.005 ?0.020mmo6.根據(jù)權(quán)利要求1或2或3所述的高韌性雙晶片，其特征在于，在每片陶瓷片(2)遠(yuǎn)離第一導(dǎo)電層(3)的一面設(shè)有碳漿層(5)。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的高韌性雙晶片，其特征在于，所述的陶瓷片(2)和碳漿層(5)之間設(shè)有第二導(dǎo)電層(6)。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的高韌性雙晶片，其特征在于，所述的第一導(dǎo)電層(3)和第二導(dǎo)電層(6)均為銀漿導(dǎo)電層。9.根據(jù)權(quán)利要求1或2或3所述的高韌性雙晶片，其特征在于，所述的基板⑴為玻璃纖維基板、碳纖維基板、硼纖維基板、阿拉米的纖維基板和芳綸類纖維基板中的任意一種。10.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的高韌性雙晶片，其特征在于，所述的毛細(xì)槽(41)兩端與外界連通；或者所述的毛細(xì)槽(41)的兩端位于陶瓷片(2)的周向側(cè)邊內(nèi)側(cè)。【專利摘要】本技術(shù)屬于晶體元件
，尤其涉及一種高韌性雙晶片。它解決了現(xiàn)有技術(shù)使用壽命短等技術(shù)問題。本高韌性雙晶片包括基板，在基板兩面分別設(shè)有陶瓷片，每片陶瓷片與基板之間設(shè)有第一導(dǎo)電層且在每片陶瓷片的兩面分別設(shè)有毛細(xì)加強(qiáng)結(jié)構(gòu)。本技術(shù)優(yōu)點(diǎn)在于：進(jìn)一步增強(qiáng)了韌性且使用壽命長。【IPC分類】H01L41/083【公開號(hào)】CN204834695【申請?zhí)枴緾N2015206517本文檔來自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種高韌性雙晶片，包括基板(1)，其特征在于，所述的基板(1)兩面分別設(shè)有陶瓷片(2)，每片陶瓷片(2)與基板(1)之間設(shè)有第一導(dǎo)電層(3)且在每片陶瓷片(2)的兩面分別設(shè)有毛細(xì)加強(qiáng)結(jié)構(gòu)(4)。
【技術(shù)特征摘要】
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：王振，姚金強(qiáng)，陳偉，郁秋峰，莊河輝，樊惠強(qiáng)，凌峰，
申請(專利權(quán))人：浙江嘉康電子股份有限公司，
類型：新型
國別省市：浙江;33
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