本實用新型專利技術提供了一種倒裝式無金線封裝的超導鋁LED?COB面光源，包括超導鋁基板、芯片、硅膠層、透鏡，所述超導鋁基板由基板本體和容納芯片的安裝部組成，基板本體包括線路層、樹脂層、粘結層和基板層，基板層的材質為超導鋁，基板層和粘結層通過膠膜熱壓結合，樹脂層和線路層通過粘合膠相粘結；所述安裝部的兩側、粘接層和基板層之間對稱設有阻流塊，阻流塊的厚度為20-100μm；所述芯片由硅膠襯底、N型外延層、P型外延層組成。本實用新型專利技術芯片倒裝利于熱量及時散發(fā)，提高了散熱效率，保證LED芯片處于合適的溫度，延長其使用壽命；采用特殊漫反射油墨處理超導鋁為基板層，使得其反射率高達99%，超導鋁基板更有利于將LED器件的光激發(fā)出來，且光色的一致性好。
【技術實現步驟摘要】
本技術涉及一種COB光源，特別涉及一種倒裝式無金線封裝的超導鋁LEDCOB面光源，屬于電子
技術介紹
眾所周知，正裝芯片技術是傳統(tǒng)的微電子封裝技術，其技術成熟，應用范圍最為廣泛，目前市場上絕大多數LED均為正裝LED，LED裸芯片正裝在一個帶有反射杯的支架上，其P型外延層、N型外延層分別通過金屬線焊接在陽極和陰極的引線上，這種正裝LED可反射側面的光使其從正面射出，但是正面發(fā)出的光會被金屬焊線遮蔽，且散熱性差；此外傳統(tǒng)的鋁制基板反射率較低，具有一定的局限性。
技術實現思路
本技術要解決的技術問題是克服現有的缺陷，提供一種倒裝式無金線封裝的超導鋁LED COB面光源，將芯片倒裝在超導鋁基板上，可以有效解決
技術介紹
中的問題。為了解決上述技術問題，本技術提供了如下的技術方案:本技術的一種倒裝式無金線封裝的超導鋁LED COB面光源，包括超導鋁基板、芯片、硅膠層、透鏡，所述超導鋁基板由基板本體和容納芯片的安裝部組成，基板本體包括線路層、樹脂層、粘結層和基板層，基板層的材質為超導鋁，基板層和粘結層通過膠膜熱壓結合，樹脂層和線路層通過粘合膠相粘結；所述安裝部的兩側、粘接層和基板層之間對稱設有阻流塊，阻流塊的厚度為20-100 μ m ;所述芯片由硅膠襯底、N型外延層、P型外延層組成，N型外延層和P型外延層分別通過兩個金屬引腳倒裝焊接在線路層上；所述硅膠層為凸出結構覆于硅膠襯底的上表面，硅膠層的上方設有透鏡。作為本技術的一種優(yōu)選技術方案，所述線路層上表面涂覆有高白度的油墨或白色的殼月旲。作為本技術的一種優(yōu)選技術方案，所述膠膜的厚度為20-50 μ m。作為本技術的一種優(yōu)選技術方案，所述硅膠襯底的上方設有粗化結構。作為本技術的一種優(yōu)選技術方案，所述芯片上涂覆有熒光粉。本技術所達到的有益效果是:1、芯片倒裝利于熱量及時散發(fā)，提高了散熱效率，保證LED芯片處于合適的溫度，延長其使用壽命；2、采用特殊漫反射油墨處理超導鋁為基板層，使得其反射率高達99%，超導鋁基板更有利于將LED器件的光激發(fā)出來，且光色的一致性好。【附圖說明】附圖用來提供對本技術的進一步理解，并且構成說明書的一部分，與本技術的實施例一起用于解釋本技術，并不構成對本技術的限制。在附圖中:圖1是本技術實施例所述的一種倒裝式無金線封裝的超導鋁LED COB面光源的結構示意圖；圖中標號:1、超導招基板；2、芯片；3、娃I父層；4、透鏡；5、安裝部；6、線路層；7、樹脂層；8、粘結層；9、基板層；10、膠膜；11、阻流塊；12、硅膠襯底；13、N型外延層；14、P型外延層；15、引腳；16、粗化結構?！揪唧w實施方式】以下結合附圖對本技術的優(yōu)選實施例進行說明，應當理解，此處所描述的優(yōu)選實施例僅用于說明和解釋本技術，并不用于限定本技術。實施例:如圖1所示，本技術一種倒裝式無金線封裝的超導鋁LED COB面光源，包括超導鋁基板1、芯片2、硅膠層3、透鏡4，所述超導鋁基板I由基板本體和容納芯片的安裝部5組成，基板本體包括線路層6、樹脂層7、粘結層8和基板層9，基板層9的材質為超導鋁，基板層9和粘結層8通過膠膜10熱壓結合，樹脂層7和線路層6通過粘合膠相粘結；所述安裝部5的兩側、粘接層8和基板層9之間對稱設有阻流塊11，阻流塊11的厚度為20-100 μ m ;所述芯片2由硅膠襯底12、N型外延層13、P型外延層14組成，N型外延層13和P型外延層14分別通過兩個金屬引腳15倒裝焊接在線路層6上；所述硅膠層3為凸出結構覆于硅膠襯底12的上表面，硅膠層3的上方設有透鏡4。為了進一步提尚反射率，所述線路層6上表面涂覆有尚白度的油墨或白色的殼膜。為了讓粘結層8和基板層9有效粘結，所述膠膜10的厚度為20-50 μ m。為了提高取光的效率，所述硅膠襯底12的上方設有粗化結構16。為了增加芯片的發(fā)光度，所述芯片2上涂覆有熒光粉。該技術通過芯片倒裝利于熱量及時散發(fā)，提高了散熱效率，保證LED芯片處于合適的溫度，延長其使用壽命；采用特殊漫反射油墨處理超導鋁為基板層，使得其反射率高達99%，超導鋁基板更有利于將LED器件的光激發(fā)出來，且光色的一致性好。最后應說明的是:以上所述僅為本技術的優(yōu)選實施例而已，并不用于限制本技術，盡管參照前述實施例對本技術進行了詳細的說明，對于本領域的技術人員來說，其依然可以對前述各實施例所記載的技術方案進行修改，或者對其中部分技術特征進行等同替換。凡在本技術的精神和原則之內，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本技術的保護范圍之內。【主權項】1.一種倒裝式無金線封裝的超導鋁LED COB面光源，其特征在于，包括超導鋁基板(1)、芯片(2)、硅膠層(3)、透鏡(4)，所述超導鋁基板(I)由基板本體和容納芯片的安裝部(5)組成，基板本體包括線路層(6)、樹脂層(7)、粘結層(8)和基板層(9)，基板層(9)的材質為超導鋁，基板層(9 )和粘結層(8 )通過膠膜(10 )熱壓結合，樹脂層(7 )和線路層(6 )通過粘合膠相粘結；所述安裝部(5)的兩側、粘接層(8)和基板層(9)之間對稱設有阻流塊(11)，阻流塊(11)的厚度為20-100 μ m ;所述芯片(2)由硅膠襯底(12)、N型外延層(13)、P型外延層(14)組成，N型外延層(13)和P型外延層(14)分別通過兩個金屬引腳(15)倒裝焊接在線路層(6)上；所述硅膠層(3)為凸出結構覆于硅膠襯底(12)的上表面，硅膠層(3)的上方設有透鏡(4)。2.根據權利要求1所述的一種倒裝式無金線封裝的超導鋁LEDCOB面光源，其特征在于，所述線路層(6)上表面涂覆有尚白度的油墨或白色的殼月旲。3.根據權利要求1所述的一種倒裝式無金線封裝的超導鋁LEDCOB面光源，其特征在于，所述膠膜(10)的厚度為20-50 μ m。4.根據權利要求1所述的一種倒裝式無金線封裝的超導鋁LEDCOB面光源，其特征在于，所述硅膠襯底(12)的上方設有粗化結構(16)。5.根據權利要求1所述的一種倒裝式無金線封裝的超導鋁LEDCOB面光源，其特征在于，所述芯片(2 )上涂覆有熒光粉?！緦＠勘炯夹g提供了一種倒裝式無金線封裝的超導鋁LED？COB面光源，包括超導鋁基板、芯片、硅膠層、透鏡，所述超導鋁基板由基板本體和容納芯片的安裝部組成，基板本體包括線路層、樹脂層、粘結層和基板層，基板層的材質為超導鋁，基板層和粘結層通過膠膜熱壓結合，樹脂層和線路層通過粘合膠相粘結；所述安裝部的兩側、粘接層和基板層之間對稱設有阻流塊，阻流塊的厚度為20-100μm；所述芯片由硅膠襯底、N型外延層、P型外延層組成。本技術芯片倒裝利于熱量及時散發(fā)，提高了散熱效率，保證LED芯片處于合適的溫度，延長其使用壽命；采用特殊漫反射油墨處理超導鋁為基板層，使得其反射率高達99%，超導鋁基板更有利于將LED器件的光激發(fā)出來，且光色的一致性好。【IPC分類】H01L33/48, H01L33/60, H01L33/52, H01L33/56【公開號】CN204834686【申請?zhí)枴緾N201520516026【專利技術人】楊帆 【本文檔來自技高網...
【技術保護點】
一種倒裝式無金線封裝的超導鋁LED?COB面光源，其特征在于，包括超導鋁基板（1）、芯片（2）、硅膠層（3）、透鏡（4），所述超導鋁基板（1）由基板本體和容納芯片的安裝部（5）組成，基板本體包括線路層（6）、樹脂層（7）、粘結層（8）和基板層（9），基板層（9）的材質為超導鋁，基板層（9）和粘結層（8）通過膠膜（10）熱壓結合，樹脂層（7）和線路層（6）通過粘合膠相粘結；所述安裝部（5）的兩側、粘接層（8）和基板層（9）之間對稱設有阻流塊（11），阻流塊（11）的厚度為20?100μm；所述芯片（2）由硅膠襯底（12）、N型外延層（13）、P型外延層（14）組成，N型外延層（13）和P型外延層（14）分別通過兩個金屬引腳（15）倒裝焊接在線路層（6）上；所述硅膠層（3）為凸出結構覆于硅膠襯底（12）的上表面，硅膠層（3）的上方設有透鏡（4）。
【技術特征摘要】
【專利技術屬性】
技術研發(fā)人員：楊帆，
申請(專利權)人：深圳市同一方光電技術有限公司，
類型：新型
國別省市：廣東;44
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