本發(fā)明專利技術(shù)公開了一種高阻片式薄膜電阻及其制備方法，所述方法包括以下步驟：(1)將印刷有阻擋層或掩膜層的基片，安裝于雙離子濺射鍍膜機(jī)上，裝入高阻CrSi靶材，開啟雙離子濺射鍍膜機(jī)；(2)當(dāng)本底真空度達(dá)到5.0×10-4Pa～2.0×10-3Pa，開啟基片旋轉(zhuǎn)裝置，使得基片旋轉(zhuǎn)；(3)通入Ar氣體，開啟清洗離子源各級電源，開始對基片進(jìn)行清洗；(4)基片清洗完畢后，基片加熱溫度設(shè)置為150℃～250℃；(5)通入Ar氣體、氮?dú)猓瑫r開啟濺射離子源各級電源以及輔助離子源各級電源，濺射3min～20min；(6)濺射后的基片在溫度為350℃～450℃下烘烤2h～8h；(7)采用薄膜激光調(diào)阻機(jī)對產(chǎn)品進(jìn)行調(diào)阻，制得所述高阻片式薄膜電阻。本發(fā)明專利技術(shù)具有較低的低溫度系數(shù)以及很好的穩(wěn)定性。
【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)屬于電子生產(chǎn)
，具體設(shè)及。
技術(shù)介紹
薄膜電阻器是高精度電阻器的一種，薄膜電阻器為由導(dǎo)電電阻材料薄膜形成的半 導(dǎo)體電阻器，與W常規(guī)方式形成的離散電阻器一樣，薄膜電阻器經(jīng)形成W對電流穿過電阻 器的流動提供預(yù)定義電阻。 薄膜電阻器是一種具有很高阻值精度和極低的溫度系數(shù)的片式電阻器，薄膜電阻 器是用類蒸發(fā)的方法將一定電阻率材料蒸鍛于絕緣材料表面制成，一般運(yùn)類電阻常用的絕 緣材料是陶瓷基板。 對于如何實(shí)現(xiàn)高阻片式薄膜電阻的低電阻溫度系數(shù)，一直是行業(yè)內(nèi)的技術(shù)難題， 現(xiàn)有技術(shù)真空瓣射工藝技術(shù)中，大部分廠家采用磁控瓣射方式，在實(shí)現(xiàn)高阻方面主要采取 了低瓣射速率或射頻瓣射的沉積方式，也有一部分廠家采用離子瓣射的方式。上述兩種方 法雖然可W實(shí)現(xiàn)高阻片式薄膜電阻的低電阻溫度系數(shù)，但是最終制備得到的薄膜電阻器產(chǎn) 品阻值的穩(wěn)定性較差。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
陽〇化]本專利技術(shù)提供了一種高阻片式薄膜電阻的制備方法，可W實(shí)現(xiàn)高阻片式薄膜電阻的 低電阻溫度系數(shù)，并且使得最終制備得到的薄膜電阻器產(chǎn)品阻值保持很好的穩(wěn)定性。 一種高阻片式薄膜電阻的制備方法，包括W下步驟： (1)將印刷有阻擋層或掩膜層的基片，安裝于雙離子瓣射鍛膜機(jī)上，裝入高阻 化Si祀材，開啟雙離子瓣射鍛膜機(jī)； 陽00引 似當(dāng)本底真空度達(dá)到5.OX10-4化~2.OX10-3Pa，開啟基片旋轉(zhuǎn)裝置，使得基 片旋轉(zhuǎn)； (3)通入Ar氣體，開啟清洗離子源各級電源，開始對基片進(jìn)行清洗； (4)基片清洗完畢后，基片加熱溫度設(shè)置為150°C~250°C; (5)通入Ar氣體、氮?dú)?，同時開啟瓣射離子源各級電源W及輔助離子源各級電源， 瓣射 3min~20min; (6)瓣射后的基片在溫度為350°C~450°C下烘烤化~化； (7)采用薄膜激光調(diào)阻機(jī)對產(chǎn)品進(jìn)行調(diào)阻，制得所述高阻片式薄膜電阻。 本專利技術(shù)主要應(yīng)用了真空瓣射原理，采用瓣射離子源產(chǎn)生高能的Ar+離子，對高阻 CrSi祀材進(jìn)行轟擊，使祀材的成分瓣射至基片上，同時用輔助離子源形成較低能量的等離 子體，對基片進(jìn)行轟擊，使基片表面結(jié)合力低的粒子飛瓣出來，結(jié)合力高的粒子逐漸沉積在 基片上，瓣射同時通入一定量的氮?dú)猓闺娮梵w膜層成分形成更加穩(wěn)定的化合鍵，從而得到 致密性均勻、穩(wěn)定性高的電阻體膜層。最后通過熱處理工藝對電阻體進(jìn)行熱處理，最終獲得 低電阻溫度系數(shù)的高阻薄膜電阻層。 作為優(yōu)選，所述步驟（3)中Ar氣體氣流量為20sccm~50sccm。 作為優(yōu)選，所述步驟（3)中清洗離子源各級電源的陽極電壓為40V~60V，加速電 壓80V~120V，屏柵電壓300V~500V，屏柵電流為30mA~50mA。 作為優(yōu)選，所述步驟巧）中Ar氣體氣流量為20sccm~SOsccm，氮?dú)鈿饬髁繛?1.Osccm~3.Osccm〇[001引作為優(yōu)選，所述步驟巧）中瓣射離子源各級電源的陽極電壓為40V~60V，加速電 壓80V~120V，屏柵電壓500V~700V，屏柵電流為50mA~70mA。 作為優(yōu)選，所述步驟巧）中輔助離子源各級電源的陽極電壓為40V~60V，加速電 壓80V~120V，屏柵電壓150V~250V，屏柵電流為25mA~40mA。 作為優(yōu)選，所述步驟化）中瓣射后的基片在熱風(fēng)烤箱中進(jìn)行熱處理。 本專利技術(shù)提供了上述的制備方法制備得到的高阻片式薄膜電阻。 與現(xiàn)有技術(shù)相比，本專利技術(shù)的有益效果體現(xiàn)在： 本專利技術(shù)采用雙離子束輔助反應(yīng)瓣射的方式，得到致密性均勻、穩(wěn)定性高的電阻體 膜層，最后通過熱處理工藝對電阻體進(jìn)行熱處理，最終獲得低電阻溫度系數(shù)的高阻薄膜電 阻層。本專利技術(shù)制備得到的高阻片式薄膜電阻具有較低的低溫度系數(shù)而且具有很好的穩(wěn)定 性?！揪唧w實(shí)施方式】 下面將結(jié)合本專利技術(shù)實(shí)施例，對本專利技術(shù)實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述， 顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本專利技術(shù)一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒緦＠夹g(shù)中的 實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都 屬于本專利技術(shù)保護(hù)的范圍。 陽〇2引實(shí)施例1 -種高阻片式薄膜電阻的制備方法，包括W下步驟：(1)將印刷有阻擋層或掩膜層的基化安裝于雙離子瓣射鍛膜機(jī)上，裝入高阻 化Si祀材，開啟雙離子瓣射鍛膜機(jī)； 似當(dāng)本底真空度達(dá)到2. OX 10中曰，開啟基片旋轉(zhuǎn)裝置，使得基片旋轉(zhuǎn)； (3)通入氣流量為20sccm的Ar氣體，開啟清洗離子源各級電源，開始對基片進(jìn)行 清洗其中陽極電壓為60V，加速電壓80V，屏柵電壓500V，屏柵電流為30mA; (4)基片清洗完畢后，基片加熱溫度設(shè)置為250°C; (5)通入氣流量為20sccm的Ar氣體、氣流量為3.Osccm的氮?dú)猓瑫r開啟瓣射離 子源各級電源W及輔助離子源各級電源，瓣射3min，其中瓣射離子源各級電源的陽極電壓 為60V，加速電壓80V，屏柵電壓700V，屏柵電流為50mA，輔助離子源各級電源的陽極電壓為 60V，加速電壓80V，屏柵電壓250V，屏柵電流為25mA; (6)瓣射后的基片在溫度為450°C下烘烤化； (7)高阻膜層采用高溫精密熱風(fēng)烤箱對產(chǎn)品進(jìn)行調(diào)阻，制得所述高阻片式薄膜電 阻。 實(shí)施例2 一種高阻片式薄膜電阻的制備方法，包括W下步驟： (I)將印刷有阻擋層或掩膜層的基化安裝于雙離子瓣射鍛膜機(jī)上，裝入高阻 化Si祀材，開啟雙離子瓣射鍛膜機(jī)； 似當(dāng)本底真空度達(dá)到5. OX 10 4Pa,開啟基片旋轉(zhuǎn)裝置，使得基片旋轉(zhuǎn)； (3)通入氣流量為SOsccm的Ar氣體，開啟清洗離子源各級電源，開始對基片進(jìn)行 清洗當(dāng)前第1頁1 2 本文檔來自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種高阻片式薄膜電阻的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：(1)將印刷有阻擋層或掩膜層的基片，安裝于雙離子濺射鍍膜機(jī)上，裝入高阻CrSi靶材，開啟雙離子濺射鍍膜機(jī)；(2)當(dāng)本底真空度達(dá)到5.0×10?4Pa～2.0×10?3Pa，開啟基片旋轉(zhuǎn)裝置，使得基片旋轉(zhuǎn)；(3)通入Ar氣體，開啟清洗離子源各級電源，開始對基片進(jìn)行清洗；(4)基片清洗完畢后，基片加熱溫度設(shè)置為150℃～250℃；(5)通入Ar氣體、氮?dú)?，同時開啟濺射離子源各級電源以及輔助離子源各級電源，濺射3min～20min；(6)濺射后的基片在溫度為350℃～450℃下烘烤2h～8h；(7)采用薄膜激光調(diào)阻機(jī)對產(chǎn)品進(jìn)行調(diào)阻，制得所述高阻片式薄膜電阻。
【技術(shù)特征摘要】
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：羅彥軍，韓玉成，陳德雁，席毅，
申請(專利權(quán))人：中國振華集團(tuán)云科電子有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：貴州;52
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