整流器件和電路制造技術

一種整流器件，分壓環區包括環形的第一分壓環和環形的第二分壓環，相對于傳統的單分壓環結構，雙分壓環結構可以有效提高功率器件的反向擊穿電壓。以功率三極管為例，經過試驗證明，采用上述結構的功率三極管的集電極-基極的反向擊穿電壓可以達到800多伏甚至900多伏，遠優于傳統功率三極管的700多伏。采用上述整流器件的電路，可以有效降低電路故障幾率。

【技術實現步驟摘要】

本技術涉及電子器件領域，特別是涉及一種整流器件和一種電路。
技術介紹
近年來隨著發光二極管照明技術的不斷發展，對與之配套的驅動電源也提出了新 的要求。不但要求具有良好的穩壓、恒流特性，還要求更小的體積和更加廉價的驅動電源。 由于發光二極管驅動電源電路的不斷改善及新材料的出現，對其中的主要功率變 換元件的反向擊穿電壓要求越來越高。目前，普遍應用在發光二極管驅動電源電路的功率 三極管，其集電極-基極的反向擊穿電壓一般都以大于700伏為標準。但在實際應用中，某 些特殊電路因為電路結構、元件材料等因素，施加在三極管集電極上面的峰值電壓往往超 過700伏。因此，在發光二極管驅動電源的生產、應用中，很容易造成驅動電源的損壞。為 此，迫切需要一種更加耐壓的功率三極管，以適應目前發光二極管驅動電源電路的需求。
技術實現思路
基于此，有必要提供一種更加耐壓的整流器件。此外，還提供一種應用該整流器件 的電路。-種整流器件，包括元胞區和位于所述元胞區周圍的分壓環區，所述分壓環區包 括環形的第一分壓環和環形的第二分壓環，所述第一分壓環和第二分壓環由導電雜質摻雜 而成。在其中一個實施例中，所述第一分壓環和第二分壓環的環寬均在8微米~12微米 之間。在其中一個實施例中，所述第一分壓環和第二分壓環的環寬為10微米。在其中一個實施例中，所述第一分壓環和第二分壓環之間的環距在30微米~40微米之間。在其中一個實施例中，所述第一分壓環和第二分壓環之間的環距為35微米。 在其中一個實施例中，所述第一分壓環和第二分壓環的摻雜深度在15微米~20 微米之間。 在其中一個實施例中，所述第一分壓環和第二分壓環的摻雜深度為17微米。在其中一個實施例中，所述整流器件采用T0-92封裝。在其中一個實施例中，所述整流器件為功率三極管。-種電路，包括上述的整流器件。上述整流器件，分壓環區包括環形的第一分壓環和環形的第二分壓環，相對于傳 統的單分壓環結構，雙分壓環結構可以有效提高功率器件的反向擊穿電壓。以功率三極管 為例，經過試驗證明，采用上述結構的功率三極管的集電極-基極的反向擊穿電壓可以達 到800多伏甚至900多伏，遠優于傳統功率三極管的700多伏。采用上述整流器件的電路， 可以有效降低電路故障幾率。【附圖說明】 為了更清楚地說明本技術實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例 或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅 是本技術的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提 下，還可以根據這些附圖獲得其他實施例的附圖。 圖1為一個實施例的整流器件示意圖。【具體實施方式】 為了便于理解本技術，下面將參照相關附圖對本技術進行更全面的描 述。附圖中給出了本技術的較佳實施例。但是，本技術可以以許多不同的形式來 實現，并不限于本文所描述的實施例。相反地，提供這些實施例的目的是使對本技術的 公開內容的理解更加透徹全面。 除非另有定義，本文所使用的所有的技術和科學術語與屬于本技術的技術領 域的技術人員通常理解的含義相同。本文中在本技術的說明書中所使用的術語只是為 了描述具體的實施例的目的，不是旨在限制本技術。本文所使用的術語"和/或"包括 一個或多個相關的所列項目的任意的和所有的組合。 圖1為一個實施例的整流器件示意圖。 一種整流器件，包括元胞區100和位于元胞區100周圍的分壓環區200。分壓環 區200包括環形的第一分壓環210和環形的第二分壓環220,第一分壓環210和第二分壓環 220包括由導電雜質摻雜而成的摻雜區域，導電雜質可以是P型導電類型雜質，例如可以是 硼離子。導電雜質的注入劑量可以在每平方厘米lel2~lel3之間。 第一分壓環210和第二分壓環220的環寬（環的寬度）均在8微米~12微米之 間。在其中一個實施例中，第一分壓環210和第二分壓環220的環寬為10微米。第一分壓 環210和第二分壓環220之間的環距（兩環之間的間距）在30微米~40微米之間。在其 中一個實施例中，第一分壓環210和第二分壓環220之間的環距為35微米。第一分壓環 210和第二分壓環220摻雜深度（擴散深度）在15微米~20微米之間。在其中一個實施 例中，第一分壓環210和第二分壓環220的摻雜深度為17微米。 在其中一個實施例中，上述整流器件為功率三極管，采用T0-92封裝。當然，在其 他實施例中，還可以采用其他的三極管封裝結構。 挑選采用傳統單分壓環結構和上述整流器件結構的三極管各10支進行對比測 試，測試結果見表1和表2。通過表1和表2可以發現：單分壓環結構的三極管，其集電 極-基極反向擊穿電壓一般在700伏至720伏之間；而采用上述整流器件結構的三極管，其 集電極-基極反向擊穿電壓都在900伏以上，遠優于傳統功率三極管的700多伏。 表 2 上述整流器件只有兩個分壓環（保護環），可以滿足擊穿電壓的應用要求，過多的 分壓環雖然能夠進一步提高擊穿電壓，但是也會相應增加制造難度和制造成本，上述整流 器件兩個分壓環是最佳的平衡點。 以下描述一種包含該整流器件的電路。 -種電路，包括上述的整流器件。 請參考圖1，該整流器件包括元胞區100和位于元胞區100周圍的分壓環區200。 分壓環區200包括環形的第一分壓環210和環形的第二分壓環220,第一分壓環210和第二 分壓環220包括由導電雜質摻雜而成的摻雜區域，導電雜質可以是P型導電類型雜質，例如 可以是硼離子。導電雜質的注入劑量可以在每平方厘米lel2~lel3之間。 第一分壓環210和第二分壓環220的環寬（環的寬度）均在8微米~12微米之 間。在其中一個實施例中，第一分壓環210和第二分壓環220的環寬為10微米。第一分壓 環210和第二分壓環220之間的環距（兩環之間的間距）在30微米~40微米之間。在其 中一個實施例中，第一分壓環210和第二分壓環220之間的環距為35微米。第一分壓環 210和第二分壓環220摻雜深度在15微米~20微米之間。在其中一個實施例中，第一分壓 環210和第二分壓環220的摻雜深度為17微米。 在其中一個實施例中，上述整流器件為功率三極管，采用T0-92封裝。當然，在其 他實施例中，還可以采用其他的三極管封裝結構。 上述電路還可以包含其他的電子元件，例如可以包括電阻、電容、電感、二極管、三 極管、變壓器中至少一種。上述電路可以是發光二極管驅動電源電路，可以制作在電路板 (例如印刷電路板）上，并可以應用于照明產品中。 上述整流器件和包括該整流器件的電路，分壓環區包括環形的第一分壓環和環形 的第二分壓環，相對于傳統的單分壓環結構，雙分壓環結構可以有效提高功率器件的反向 擊穿電壓。以功率三極管為例，經過試驗，采用上述結構的功率三極管的集電極-基極的反 向擊穿電壓可以達到800多伏甚至900多伏，遠優于傳統功率三極管的700多伏。采用上 述整流器件的電路，可以有效降低電路故障幾率。 以上所述實施例僅表達了本技術的幾種實施方式，其描述較為具體和詳細， 但并不能因此而理解為對本技術專利范圍的限制。應當指出的是，對于本領域的普通 技術人員來說，在不脫離本本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種整流器件，其特征在于，包括元胞區和位于所述元胞區周圍的分壓環區，所述分壓環區包括環形的第一分壓環和環形的第二分壓環，所述第一分壓環和第二分壓環由導電雜質摻雜而成。

【技術特征摘要】

【專利技術屬性】
技術研發人員：全新，賴輝朋，張貴斌，
申請(專利權)人：深圳市晶導電子有限公司，
類型：新型
國別省市：廣東;44