一種具有防水照度計的浸潤式光刻機制造技術

本實用新型專利技術涉及一種具有防水照度計的浸潤式光刻機，屬于半導體集成電路工藝技術領域，其包括從上往下依次設置的光源、掩膜板以及投射物鏡，投射物鏡的下方設有待曝光的硅片，還包括：用于提供浸潤介質的浸潤部件、用于采集硅片表面投射的光量的照度計以及處理單元，照度計放置在硅片的表面，照度計的表面涂覆有防水涂層；處理單元與照度計連接，用于接收照度計采集的光量值，并對其進行分析處理。本實用新型專利技術提供的具有防水照度計的浸潤式光刻機，通過在照度計的表面設置防水涂層，使照度計可接觸浸潤介質，避免了傳統照度計受到浸潤液的干擾，從而提高了照度計檢測光量的準確性。

【技術實現步驟摘要】

本技術屬于半導體集成電路工藝
，更具體的，涉及一種具有防水照度計的浸潤式光刻機。
技術介紹
在半導體技術中，光刻的本質是把臨時電路結構復制到以后要進行刻蝕和離子注入的硅片上。光刻使用光敏光刻膠材料和可控制的曝光，在硅片表面形成三維圖形。光刻中一個重要的性能指標是每個圖形的分辨率。為了提高分辨率，更先進的浸潤式光刻得以發展。在傳統的光刻技術中，光刻機投影鏡頭與硅片上的光刻膠之間的介質是空氣。浸潤式光刻是指在光刻機投影鏡頭與硅片之間用一種液體充滿，從而獲得更好的分辨率及增大鏡頭的數值孔徑，進而實現更小曝光尺寸的一種新型光刻技術。浸潤式光刻技術利用了光通過液體介質后光源波長縮短的原理來提高分辨率，其縮短的倍率即為液體介質的折射率。目前，主流的液體介質是超純水(Ultra pure water，UPW)，使用超純水作為浸潤介質的浸潤式光刻，可將投影光源的波長縮短約1.4倍(水的折射率約為1.4)，分辨率比傳統的光刻技術得到明顯提高。請參閱圖1，圖1為傳統光刻機的結構示意圖，光刻機從上往下依次包括光源、掩膜板以及投射物鏡，投射物鏡的下方設有待光刻的硅片。在光刻工藝中，需要采用照度計對投射到硅片表面的光量進行測量，隨著浸潤式光刻的普及，由于光刻機投影鏡頭與硅片之間充滿了液體，傳統的照度計無法對浸潤式光刻機上的硅片進行測量。因此，本領域技術人員亟需研發一種具有防水照度計的浸潤式光刻機，以避免傳統照度計受到浸潤介質的干擾。
技術實現思路
本技術的目的是針對現有技術中存在上述缺陷，提供了一種具有防水照度計的浸潤式光刻機，以避免傳統照度計受到浸潤介質的干擾。為解決上述問題，本技術提供一種具有防水照度計的浸潤式光刻機，用于對硅片進曝光，其包括從上往下依次設置的光源、掩膜板以及投射物鏡，所述投射物鏡的下方設有待曝光的娃片，還包括:照度計，用于采集硅片表面投射的光量，放置在所述硅片的表面，所述照度計的表面涂覆有防水涂層；處理單元，與所述照度計連接，用于接收所述照度計采集的光量值，并對其進行分析處理；浸潤部件，用于提供浸潤介質，設于所述投射物鏡下方的圓周方向上，所述浸潤部件包括液體供應管道以及液體回收管道，所述液體供應管道以及液體回收管道分別設于所述投射物鏡的兩側，其中，浸潤介質從液體供應管道流出，并從液體回收管道回收，形成浸潤介質的循環供給。優選的，所述照度計包括依次連接的光量傳感器、A/D轉換模塊、微控制模塊以及通信模塊，所述光量傳感器將采集的光量數據經過A/D轉換模塊轉換為數字信號后傳輸至微控制模塊，微控制模塊讀取數據后傳輸至通信模塊，由所述通信模塊將光量數據通過無線網絡傳輸至所述處理單元。優選的，所述防水涂層的厚度為10 μπι?100 μπι。優選的，所述照度計具有顯示單元，所述顯示單元用于顯示硅片表面測量的光量值。優選的，所述處理單元設在所述照度計內部。優選的，所述照度計通過無線網絡與計算機連接，所述計算機內部設有處理單元。優選的，所述硅片被夾持在工件臺上。從上述技術方案可以看出，本技術提供的具有防水照度計的浸潤式光刻機，通過在照度計的表面設置防水涂層，使照度計可接觸浸潤介質，避免了傳統照度計受到浸潤液的干擾，從而提高了照度計檢測光量的準確性。【附圖說明】結合附圖，并通過參考下面的詳細描述，將會更容易地對本技術有更完整的理解并且更容易地理解其伴隨的優點和特征，其中:圖1是傳統光刻機的結構示意圖；圖2是本技術優選實施例的浸潤式光刻機的結構示意圖。:10、光源；20、掩膜板；30、投射物鏡；40、硅片；50、液體供應管道；60、液體回收管道；70、照度計；80、浸潤介質。【具體實施方式】為使本技術的內容更加清楚易懂，以下結合說明書附圖，對本技術的內容作進一步說明。當然本技術并不局限于該具體實施例，本領域內的技術人員所熟知的一般替換也涵蓋在本技術的保護范圍內。其次，本技術利用示意圖進行了詳細的表述，在詳述本技術實例時，為了便于說明，示意圖不依照一般比例局部放大，不應以此作為對本技術的限定。需要說明的是，在下述的實施例中，利用圖2的結構示意圖對按本技術具有防水照度計的浸潤式光刻機進行了詳細的表述。在詳述本技術的實施方式時，為了便于說明，各示意圖不依照一般比例繪制并進行了局部放大及省略處理，因此，應避免以此作為對本技術的限定。請參閱圖2，圖2是本技術優選實施例的浸潤式光刻機的結構示意圖。如圖2所示，本技術提供了一種具有防水照度計的浸潤式光刻機，用于對硅片進曝光，其包括從上往下依次設置的光源10、掩膜板20以及投射物鏡30，所述投射物鏡30的下方設有待曝光的硅片40，硅片40被夾持在工件臺上，光刻機還包括浸潤部件、照度計70以及處理單元。具體的，浸潤部件用于提供浸潤介質，設于投射物鏡30下方的圓周方向上，浸潤部件包括液體供應管道50以及液體回收管道60，液體供應管道50以及液體回收管道60分別設于投射物鏡30的兩側，其中，浸潤介質從液體供應管道50流出，并從液體回收管道60回收，形成浸潤介質80的循環供給；浸潤部件將一層區域固定、但水流不斷的浸潤介質80源源不斷的固定在投射物鏡30與硅片40之間，使所有的曝光光線從投射物鏡30射向浸潤介質80，最終到達硅片40表面。本實施例中的浸潤介質80優選為超純水。本實施例中的照度計70用于采集硅片40表面投射的光量，放置在硅片40的表面，照度計70包括依次連接的光量傳感器、A/D轉換模塊、微控制模塊以及通信模塊，光量傳感器將采集的光量數據經過A/D轉換模塊轉換為數字信號后傳輸至微控制模塊，微控制模塊讀取數據后傳輸至通信模塊，由通信模塊將光量數據通過無線網絡傳輸至處理單元。為了使照度計70在具有浸潤介質80的環境中使用，照度計70的表面具有防水涂層，防水涂層的厚度優選為10 μ???100 μπι。此外，娃片40的表面也可涂覆有防水涂層，其中，防水涂層優選為含氟基的材料，使用它疏水性接觸角達到107度，從而實現完全疏水。本實施例中的照度計與處理單元連接，處理單元用于接收照度計70采集的光量值，并對其進行分析處理，處理單元可設在照度計內部，也可設在計算機的內部，照度計通過無線網絡連接計算機，計算機內的處理單元對采集的數據進行分析處理。為了更加便捷的查看照度計的檢測數據，照度計70可具有顯示單元，顯示單元用于顯示硅片40表面測量的光量值，此外，也可通過計算機屏幕查閱照度計檢測的光量值。綜上所述，本技術提供的具有防水照度計的浸潤式光刻機，通過在照度計的表面設置防水涂層，使照度計可接觸浸潤介質，避免了傳統照度計受到浸潤液的干擾，從而提高了照度計檢測光量的準確性。可以理解的是，雖然本技術已以較佳實施例披露如上，然而上述實施例并非用以限定本技術。對于任何熟悉本領域的技術人員而言，在不脫離本技術技術方案范圍情況下，都可利用上述揭示的
技術實現思路
對本技術技術方案作出許多可能的變動和修飾，或修改為等同變化的等效實施例。因此，凡是未脫離本技術技術方案的內容，依據本技術的技術實質對以上實施例所做的任何簡單修改、等同變化及修飾，均仍屬于本技術技術方案保護的范圍內。【主權項】1.一種具本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種具有防水照度計的浸潤式光刻機，用于對硅片進曝光，其包括從上往下依次設置的光源、掩膜板以及投射物鏡，所述投射物鏡的下方設有待曝光的硅片，其特征在于，還包括：照度計，用于采集硅片表面投射的光量，放置在所述硅片的表面，所述照度計的表面涂覆有防水涂層；處理單元，與所述照度計連接，用于接收所述照度計采集的光量值，并對其進行分析處理；浸潤部件，用于提供浸潤介質，設于所述投射物鏡下方的圓周方向上，所述浸潤部件包括液體供應管道以及液體回收管道，所述液體供應管道以及液體回收管道分別設于所述投射物鏡的兩側，其中，浸潤介質從液體供應管道流出，并從液體回收管道回收，形成浸潤介質的循環供給。

【技術特征摘要】

【專利技術屬性】
技術研發人員：張浩，常歡，
申請(專利權)人：上海華力微電子有限公司，
類型：新型
國別省市：上海;31