低損耗與高熱穩定性的超低介電常數微波介電陶瓷Gd2YV3O12制造技術

本發明專利技術公開了一種低損耗與高熱穩定性的四方氧化鋯結構超低介電常數微波介電陶瓷Gd2YV3O12及其制備方法。（1）將純度為99.9%（重量百分比）以上的Gd2O3、Y2O3和V2O5的原始粉末按Gd2YV3O12的組成稱量配料；（2）將步驟（1）原料濕式球磨混合12小時，球磨介質為蒸餾水，烘干后在800℃大氣氣氛中預燒6小時；（3）在步驟（2）制得的粉末中添加粘結劑并造粒后，再壓制成型，最后在850~900℃大氣氣氛中燒結4小時；所述的粘結劑采用質量濃度為5%的聚乙烯醇溶液，聚乙烯醇的添加量占粉末總質量的3%。本發明專利技術制備的陶瓷在900℃以下燒結良好，介電常數達到12.1～12.6，其品質因數Qf值高達137000-175000GHz，諧振頻率溫度系數小，在工業上有著極大的應用價值。

【技術實現步驟摘要】

【技術保護點】
一種高熱穩定性與低損耗的四方氧化鋯結構超低介電常數微波介電陶瓷，其特征在于所述微波介電陶瓷的化學組成為：Gd2YV3O12；所述微波介電陶瓷的制備方法具體步驟為：（1）將純度為99.9%（重量百分比）以上的Gd2O3、Y2O3和V2O5的原始粉末按Gd2YV3O12的組成稱量配料；（2）將步驟（1）原料濕式球磨混合12小時，球磨介質為蒸餾水，烘干后在800℃大氣氣氛中預燒6小時；（3）在步驟（2）制得的粉末中添加粘結劑并造粒后，再壓制成型，最后在850~900℃大氣氣氛中燒結4小時；所述的粘結劑采用質量濃度為5%的聚乙烯醇溶液，聚乙烯醇添加量占粉末總質量的3%。

【技術特征摘要】

【專利技術屬性】
技術研發人員：羅昊，方維雙，唐瑩，
申請(專利權)人：桂林理工大學，
類型：發明
國別省市：廣西;45